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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]一种应用PMW控制器OB2269的低损耗开关电源装置-CN201410345571.9在审
发明人：费志瑾 -专利权人：苏州塔可盛电子科技有限公司
申请日： 2014-07-20 - 公布日： 2014-10-15 - 主分类号： H02M3/155 文献下载
摘要：与现有技术相比，本发明通过配置PMW控制器OB2269，其所具有的：低待机功耗特性、低启动电流特性、低工作电流内置特性、前沿消隐内置特性和MOSFET软驱动特性等充分保证了电源的低损耗保护。
一种应用 pmw 控制器 ob2269 损耗开关电源装置

[实用新型]一种应用PMW控制器OB2269的低损耗开关电源装置-CN201420400818.8有效
发明人：费志瑾 -专利权人：苏州塔可盛电子科技有限公司
申请日： 2014-07-20 - 公布日： 2014-12-03 - 主分类号： H02M3/155 文献下载
摘要：与现有技术相比，本实用新型通过配置PMW控制器OB2269，其所具有的：低待机功耗特性、低启动电流特性、低工作电流内置特性、前沿消隐内置特性和MOSFET软驱动特性等充分保证了电源的低损耗保护。
一种应用 pmw 控制器 ob2269 损耗开关电源装置

[实用新型]1U加固型固态阵列-CN200920064835.8有效
发明人：徐欣;吴佳;步凯 -专利权人：湖南源科创新科技股份有限公司
申请日： 2009-06-18 - 公布日： 2010-07-14 - 主分类号： G11C5/00 文献下载
摘要：该固态阵列采用标准1U服务器机架结构，采用高速、低功耗的SATA固态硬盘作为基本单元，结合SAS总线的高速传输带宽的特点，以及固态硬盘高速、结构紧凑、重量轻、低功耗、高抗震等优良特性，可以满足要求存储系统数据并发访问量大
加固固态阵列

[发明专利]低功耗温度补偿电流源电路-CN201710212894.4在审
发明人：温立国 -专利权人：华大半导体有限公司
申请日： 2017-04-01 - 公布日： 2018-10-16 - 主分类号： G05F1/567 文献下载
摘要：一种用于电子标签的低功耗温度补偿电流源的电路，其特征在于，包括产生一个正温度电流的晶体管单元，和产生负温度补偿的温度控制单元，所述温度控制单元包括至少一个二极管D1，电流输入二极管D1产生一个随温度变化的电压值本发明的二极管产生的负温度系数电压控制MOS管栅极形成正温度系数的电阻，实现了负温度特性的电流，与原有的正温度系数电流互补得到零温度系数的电流。可以在极低功耗条件下达到电流源的良好温度特性。
低功耗温度补偿电流源温度控制单元二极管电路负温度系数电压正温度系数电流负温度特性晶体管单元零温度系数输入二极管正温度系数电子标签温度补偿温度电流温度特性电流源原有的电阻

[发明专利]一种基于反铁电材料的高浓度电学掺杂方法-CN202310742541.0在审
发明人：周久人;金发鑫;韩根全;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学;西安电子科技大学杭州研究院
申请日： 2023-06-21 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H01L21/326 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于反铁电材料的高浓度电学掺杂方法，主要解决现有基于传统氧化物外加偏置电学掺杂技术受到介电响应局限的限制而难以实现高浓度掺杂以及功耗高等问题。本发明利用反铁电材料的极化翻转特性实现了电学掺杂，提高了掺杂的精度和均匀性，有利于可重构器件的制备；利用反铁电材料具有较大极化值的特性降低了纳米尺寸器件中实现高浓度掺杂的难度，有利于低功耗器件的制备。
一种基于反铁电材料浓度电学掺杂方法

[发明专利]用于照明装置的监测器设备、使用监测装置的驱动器和驱动方法-CN201980039709.3有效
发明人： J·G·斯奎拉切;J·H·A·哈格拉尔;A·塞沃;L·L·M·沃格尔斯;M·范德汉姆 -专利权人：昕诺飞控股有限公司
申请日： 2019-06-06 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： H05B45/30 文献下载
摘要：这用于确定电气特性或参数，电气特性或参数至少包括电源单元与照明装置之间的电缆电阻。然后可以获得照明装置的功耗。这避免了需要单独地探测照明元件的子集来确定负载的性质及其功耗。
用于照明装置监测器设备使用监测驱动器驱动方法

[实用新型]一种MOS管过流保护电路-CN201721125190.5有效
发明人：许守东;陈勇;李胜男;郭成;周鑫 -专利权人：云南电网有限责任公司电力科学研究院
申请日： 2017-09-04 - 公布日： 2018-03-16 - 主分类号： H03K17/081 文献下载
摘要：本申请公开了一种MOS管过流保护电路，利用MOS管发生过流时其导通电压VDS将产生压降这一特性，判断MOS管是否发生过流，其具体判断过程为，在接通MOS管后，若MOS管的导通电压VDS稳定，则判定MOS与传统的MOS管过流保护电路相比，本申请的MOS管过流保护电路利用MOS管发生过流时其导通电压VDS将产生压降这一特性，避免了高成本、高功耗电流采样器等装置的使用，大幅降低了保护电路的功耗与成本。
一种 mos 保护电路

[发明专利]利用隧道场效应管抑制漏电的混合非易失性随机存储器-CN202011047144.4有效
发明人：蔡浩;周永亮;李鑫;刘波 -专利权人：东南大学
申请日： 2020-09-28 - 公布日： 2022-10-25 - 主分类号： G11C11/413 文献下载
摘要：、磁隧道结(MTJ)数据恢复路径，SRAM存储模块包含六个隧穿场效晶体应管(TFET)晶体管，即两个上拉集体管、两个下拉晶体管、两个数据传输晶体管；本发明利用了TFET的超低漏电和在超低电压下工作的的特性，能够实现非易失存储功能，达到整体电路漏电和SRAM唤醒功耗降低的目的。该结构利用了TFET的超低漏电和在超低电压下工作的的特性，使得整体电路漏电和SRAM唤醒功耗降低。此外，在MTJ写入速度以及电路唤醒功耗上也有一定的改善。
利用隧道场效应抑制漏电混合非易失性随机存储器

[发明专利]一种基于振荡负阻特性的低功耗单端反射放大器电路-CN202110920111.4有效
发明人：吕红亮;陈旭;夏敏杰;赵冉冉;戚军军;张玉明;张义门 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2021-08-11 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： H03F1/34 文献下载
摘要：本发明提供的一种基于振荡负阻特性的低功耗单端反射放大器电路，通过确定工作频率区间并选择在工作频率区间的射频信号，在符合偏置条件的直流偏置电压下工作，产生负电阻对接收的射频信号进行负放大；将负阻放大模块放大的射频信号在选频模块本发明采用E类振荡器的设计原理，实现负阻特性的反射放大功能，功耗能够达到个位数的毫瓦级别，功耗低，利于应用于射频识别系前端；并且反射放大器电路结构简单，使用单个晶体管设计负阻放大，不会额外占用过多的芯片面积
一种基于振荡特性功耗反射放大器电路

[实用新型]一种基于隧道二极管的负阻特性的低功耗反射放大器电路-CN202022484767.X有效
发明人：李苗钰;李昊育;寇欣;刘彤;王旋;牛思莹;王夫蔚;刘宝英 -专利权人：西北大学
申请日： 2020-10-30 - 公布日： 2021-02-02 - 主分类号： H03F1/02 文献下载
摘要：本实用新型提供一种基于隧道二极管的负阻特性的低功耗反射放大器电路，包括射频输入模块和负阻抗负载模块，还包括直流偏置供电模块；射频输入模块用于接收天线端口输入的射频信号，负阻抗负载模块用于提供负阻抗与输入端口的阻抗失配产生高于本实用新型提供的基于隧道二极管的负阻特性的低功耗反射放大器电路，可以用于提升射频识别技术的通信距离，采用隧道二极管提供负阻抗负载，能在较低的功耗范围内提供较高的增益，反射放大能够应用在射频识别技术的反向散射标签中
一种基于隧道二极管特性功耗反射放大器电路

[实用新型]光学装置-CN201721387033.1有效
发明人：北村彰宏;广幡知子 -专利权人：株式会社村田制作所
申请日： 2017-10-25 - 公布日： 2018-06-15 - 主分类号： G01J5/20 文献下载
摘要：本实用新型提供一种具备结构简单、功耗小、且安全的针对光透过构件的结露防止单元的光学装置。具备壳体(1)、安装于壳体(1)的光学滤光片(3)(光透过构件)、配置于光学滤光片(3)的附近的加热器、以及向加热器供电的电源，加热器的发热体由正特性热敏电阻元件(9)构成。正特性热敏电阻元件(9)模塑成形于树脂密封正特性热敏电阻(8)的内部。 1
正特性热敏电阻加热器光透过构件光学滤光片光学装置壳体本实用新型防止单元模塑成形树脂密封发热体功耗结露电源供电配置安全

[实用新型]一种导电电极、薄膜晶体管、显示装置及半导体光电器件-CN201220356596.5有效
发明人：孙建 -专利权人：北京京东方光电科技有限公司
申请日： 2012-07-20 - 公布日： 2013-01-23 - 主分类号： B32B15/04 文献下载
摘要：本实用新型涉及半导体生成技术领域，公开了一种导电电极、薄膜晶体管、显示装置及半导体光电器件，用以同时提高导电电极的电学特性和光学特性，降低导电电极的电阻，以减小功耗。
一种导电电极薄膜晶体管显示装置半导体光电器件

[实用新型]基于自适应尾电流的跨导运算放大器-CN201420550090.7有效
发明人：陈茂奎;白俊兵 -专利权人：无锡华大国奇科技有限公司
申请日： 2014-09-23 - 公布日： 2015-02-04 - 主分类号： H03F3/45 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种基于自适应尾电流的跨导运算放大器，属于跨导运算放大器的电路设计领域，本实用新型提供的基于自适应尾电流的跨导运算放大器通过增加自适应尾电流模块和静态功耗减小模块，合理设计自适应尾电流模块和静态功耗减小模块的电路结构，从而克服了现有技术中的跨导运算放大器不能兼顾低功耗和大摆率的问题，既降低了静态功耗，又提高了摆率，改善大信号瞬态特性，进而为电路设计行业在跨导运算放大器方面提供了良好发展的基础。
基于自适应电流运算放大器

[发明专利]航天器用镉镍蓄电池组在轨减记忆效应的充放电方法-CN201710311759.5有效
发明人：钟丹华;唐筱;凌玉;费君生;沈冰冰;周妍 -专利权人：上海空间电源研究所
申请日： 2017-05-05 - 公布日： 2019-09-17 - 主分类号： H01M10/44 文献下载
摘要：本发明提供航天器用镉镍蓄电池组在轨减记忆效应的充放电方法，包括：根据航天器的实时负载功耗和镉镍蓄电池组的特性，分三阶段设定蓄电池组放电深度和调整充电控制电压。第一阶段，当实时功耗大于等于航天器负载的额定功耗80％时，控制全部蓄电池组并网工作，电池组的放电深度为额定放电深度的30％‑40％，采用正常的充电控制电压；第二阶段，当实时功耗为额定功耗50％的以下时，控制隔离至少1个蓄电池组，使每个蓄电池组的平均放电深度为20％‑30％，并采用降低的充电控制电压；第三阶段，当实时功耗由额定功耗的50％以下升至80％以上时，控制全部蓄电池组并网工作，恢复为正常的充电控制电压
航天器用蓄电池记忆效应放电方法

[发明专利]一种并行存储系统检查点功耗优化方法-CN201010229535.8有效
发明人：陈娟;杨灿群;黄春;董勇;易会战;王锋;杜云飞;赵克佳 -专利权人：中国人民解放军国防科学技术大学
申请日： 2010-07-19 - 公布日： 2010-11-10 - 主分类号： G06F1/32 文献下载
摘要：本发明公布了一种并行存储系统检查点功耗优化方法，要解决的技术问题是如何基于检查点操作特性对并行存储系统实施功耗优化。技术方案是为每个对象存储服务器构造一个表示该对象存储服务器的工作状态的服务器工作状态集合，该集合中的每个元素代表该对象存储服务器提供服务的进程，集合中的元素越多，代表该对象存储服务器为越多的进程提供检查点服务；当某个对象存储服务器收到一个功耗状态设定请求后采用本发明可以根据每个响应检查点操作的对象存储服务器的忙闲状态自适应地设置不同的功耗状态，降低空闲服务器功耗，消除对象存储服务器多个功耗状态指令设定的冲突问题。
一种并行存储系统检查点功耗优化方法

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