专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]锂电池隔膜的横拉萃取工艺-CN201710599461.9有效
  • 叶茂;彭立群 - 苏州捷力新能源材料有限公司
  • 2017-07-21 - 2021-03-19 - H01M50/403
  • 本发明提供一种锂电池隔膜的横拉萃取工艺,属于湿法制备锂电池隔膜领域。一种锂电池隔膜的横拉萃取工艺,包括顺序进行的一次横向拉伸步骤以及萃取步骤,在隔膜萃取穿之前,将隔膜两侧的边切除。切边后,再进行萃取穿,没有边翻卷,展平快,无需翻边,穿效率高,而且避免操作人员在穿过程中长时间接触二氯甲烷;进入二次横向拉伸没有边,有效宽度与设备实际达到的宽度差距很小,有效宽度增加。没有边存在,两侧平整度好,大分切利用率高。
  • 锂电池隔膜萃取工艺
  • [发明专利]一种二氧化硅制备方法-CN201710099133.2有效
  • 郭海峰;王红杰;胡炎彰;查强;孙健;王传朋;高志豪;王亚伟;钟飞;葛海泉;安俊明;吴远大;常夏森 - 河南仕佳光子科技股份有限公司
  • 2017-02-23 - 2019-04-26 - H01L21/02
  • 本发明公开了一种二氧化硅制备方法,步骤如下:S1,选取基片,并采用LPCVD工艺在基片上生长一层多晶硅薄膜,厚度为0.7um~1.8um;S2,对多晶硅薄膜热氧化处理,热氧化温度为1000℃~1300℃,温度由低到高,热氧化时间为78~3个小时,形成二氧化硅,二氧化硅的厚度为1.49~4.10μm;S3,在二氧化硅上生长新的多晶硅薄膜,厚度为0.7um~1.8um;S4,对新的多晶硅薄膜进行热氧化处理,热氧化温度为1000℃~1300℃,热氧化时间为78~3个小时,形成另一层二氧化硅,二氧化硅的厚度为1.49~4.10um;S5,重复步骤S3和步骤S4,直至获得所需要厚度的二氧化硅。本发明分层制备,二氧化硅氧化热预算较低,成品率稳定,作为硅基二氧化硅光波导器件下包层的SiO2可在多种基片上进行制备
  • 一种二氧化硅制备方法

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