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[发明专利]低压综合配电箱的工频耐压击穿位置定位方法及装置-CN202210353720.0在审
发明人：程胤璋;高涛;任勇;刘星廷;韩润东;苏龙;王强;白雪婷;王楠;李帅;景卫哲;王腾鑫 -专利权人：国网山西省电力公司电力科学研究院
申请日： 2022-04-06 - 公布日： 2022-08-02 - 主分类号： G01R31/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种低压综合配电箱的工频耐压击穿位置定位方法及装置，通过根据待测元件发生击穿时产生的击穿信号的击穿时间、以及至少三个超声波传感器分别接收的待测元件发生击穿时所发出的超声波信号的接收时间，计算待测元件的击穿位置与各个超声波传感器之间的距离值；通过确定各个超声波传感器在根据低压综合配电箱的轮廓边界建立空间坐标系中的坐标数据、以及击穿位置分别与各个超声波传感器之间的距离值，确定击穿位置在空间坐标系中的坐标数据，以完成对击穿位置的定位，进而实现在不打开低压综合配电箱的盖板的情况下对击穿位置的定位
低压综合配电箱耐压击穿位置定位方法装置

[发明专利]用于真空断路器的关合老练试验装置和老练参数确定方法-CN202210744404.6在审
发明人：李志兵;张然;刘北阳;徐晓东;田阳;黄河;田宇;和彦淼 -专利权人：中国电力科学研究院有限公司
申请日： 2022-06-29 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： G01R31/327 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于真空断路器的关合老练试验装置和老练参数确定方法，所述装置包括：储能电容、放电电抗器、关合回路控制开关、金属氧化物限压器和电流互感器；所述方法，包括：获取试品断路器在试验电压为相电压下的第一预击穿时间和在试验电压为不同预设电压下的第二预击穿时间和实时关合涌流；基于相电压对应的电容器组背对背关合型式试验关合涌流和第一预击穿时间，获取第一预击穿电弧能量；基于试第二预击穿时间和实时关合涌流，获取第二预击穿电弧能量；计算第二预击穿电弧能量和第一预击穿电弧能量的比值，确定预击穿能量系数；基于预击穿能量系数确定用于对所述试品断路器进行老练的老练试验电压及老练试验电流。
用于真空断路器老练试验装置参数确定方法

[发明专利]煤尘成分检测装置-CN202310881262.2在审
发明人：罗文;薛夏民;黄婧;郑丽娜;周福宝;李佳林;乔金林;李鹏;王亚军 -专利权人：国能神东煤炭集团有限责任公司;中国神华能源股份有限公司神东煤炭分公司;山东科技大学;中国矿业大学
申请日： 2023-07-17 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： G01N21/27 文献下载
摘要：本发明提供了一种煤尘成分检测装置，包括：光谱分析组件；安装座，内部具有内腔室；进料漏斗，设置在安装座的顶部；阳极击穿组件，设置在安装座的上方，且至少一部分位于内腔室内；阴极击穿组件，设置在安装座的下方，且至少一部分位于内腔室内，阴极击穿组件承接煤尘；高压电源，分别与阳极击穿组件和阴极击穿组件电连接；其中，阳极击穿组件和阴极击穿组件通电的情况下在两者之间产生电火花，电火花击穿阴极击穿组件上的煤尘，光谱分析组件根据击穿时采集到的光谱数据进行分析处理
煤尘成分检测装置

[发明专利]一种薄膜击穿现象的实时捕捉和分析方法-CN201710910237.7有效
发明人：陈建文;王修才;于昕梅;樊耘;段志奎;朱珍;谭海曙;何志敏 -专利权人：佛山科学技术学院
申请日： 2017-09-29 - 公布日： 2021-05-04 - 主分类号： G01N27/92 文献下载
摘要：本发明公开了一种薄膜击穿现象的实时捕捉和分析方法，包括步骤：读取薄膜击穿现象原始图像数据；对所读取的图像数据进行形态学图像处理；对处理后的图像数据进行图像分割运算，将击穿点与图像背景分离；将所述击穿点在原始图像数据中进行标记，得到击穿点分布图；对所述击穿点分布图进行击穿点的数量统计和形态学分析。本发明实现了电介质或半导体薄膜的击穿现象的实时捕捉和统计分析，解决了传统方法需要相当数量的样品用于测试以确保统计数据的准确性，并且消耗大量人力物力，效率低下的问题，还解决了传统方法由于无法实现特定击穿现象的实时过程研究，使分析和评价薄膜击穿诱因及其形成机理变得极为困难的问题。
一种薄膜击穿现象实时捕捉分析方法

[发明专利]防止器件高压击穿的晶圆结构、其制作方法与应用-CN202211568924.2有效
发明人：彭虎 -专利权人：苏州龙驰半导体科技有限公司
申请日： 2022-12-08 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种防止器件高压击穿的晶圆结构、其制作方法与应用。所述晶圆结构包括间隔设置的多个晶粒，所述晶粒包括半导体器件结构，以及设置于所述多个晶粒之间的切割道，还包括：耐击穿层，设置于相邻晶粒之间，并覆盖在相应的切割道上，缓冲层，设置于耐击穿层和与耐击穿层相邻的任一个晶粒之间，用于将相邻的耐击穿层和晶粒彼此分隔，且所述缓冲层与耐击穿层紧密结合。本发明通过设置耐击穿层，提高了晶粒电极与切割道之间的耐击穿能力，同时配合设置缓冲层，一方面能够继续提升上述耐击穿能力，另一方面还能够增强切割时切割道上耐击穿层的稳定性，更好的释放切割时产生的应力，避免边缘破损
防止器件高压击穿结构制作方法应用

[实用新型]一种耐高压视频密封件-CN201920384692.2有效
发明人：张铭 -专利权人：安徽润康橡塑科技股份有限公司
申请日： 2019-03-25 - 公布日： 2019-12-20 - 主分类号： H05K1/02 文献下载
摘要：本实用新型属于密封件技术领域，具体涉及一种耐高压视频密封件，包括密封件主体，所述密封件主体内部中心处设有防击穿槽，所述防击穿槽上下两端均设有相匹配且固定连接的防击穿板，所述防击穿槽内设有若干均匀分布的弹簧，所述弹簧的上下两端分别与上下两端的防击穿板之间固定连接，将密封件主体内设置防击穿槽，使密封件主体采用固体绝缘和气体绝缘的方式相结合，提高密封件主体的耐高压防击穿性能，在防击穿槽上下两端设置防击穿板，进一步的提高了整体的耐高压防击穿性能
防击穿密封件主体上下两端耐高压弹簧防击穿性能密封件本实用新型固体绝缘缓冲能力气体绝缘密封夹中心处匹配视频保证

[实用新型]用于检测隔膜击穿电压的测试装置-CN201920913490.2有效
发明人：左浩峰;张叶青;张翰林;翁星星;陈朝晖;贡晶晶 -专利权人：江苏厚生新能源科技有限公司
申请日： 2019-06-18 - 公布日： 2020-04-28 - 主分类号： G01R31/12 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种用于检测隔膜击穿电压的测试装置，本测试装置包括：上、下电极板和升压测试电路；所述升压测试电路与上、下电极板电性相连；所述升压测试电路适于通过上、下电极板对放置在上电极板和下电极板之间的隔膜施加上升电压，以对隔膜进行击穿；以及所述升压测试电路适于检测隔膜在被击穿时的击穿电压值；本实用新型通过对两电极板之间的隔膜进行隔膜击穿并检测击穿电压值，实现了对一卷隔膜所测试的区域击穿电压数据快速检测的功能，并能够统计隔膜的面区域内最低击穿电压，同时能够用于固定电压击穿点统计，在保持不断电压的情况下提起上电极板，移动隔膜测试区域，判断隔膜在某一电压下的全区域击穿情况。
用于检测隔膜击穿电压测试装置

[实用新型]一种新型72对棒还原炉高压击穿系统-CN201921999603.1有效
发明人：邹分红;简凤麟;赵小飞;梁国东;梁瑞锋;张龙刚 -专利权人：新疆东方希望新能源有限公司
申请日： 2019-11-18 - 公布日： 2020-08-14 - 主分类号： C01B33/035 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种新型72对棒还原炉高压击穿系统，包括8个高压击穿柜和至少1个功率控制柜，高压击穿柜串接每相硅芯，能够为硅芯加载电压以进行击穿和维持，功率控制柜串接6相硅芯，能够在每相硅芯被击穿后以恒定电流加热该相硅芯第1～3相硅芯中每相的12对硅芯设置为两组，第1组包括8对硅芯，第2组包括4对硅芯，第1组的8对硅芯由第1～4个高压击穿柜进行击穿并维持，第2组的4对硅芯由第5～8个高压击穿柜进行击穿；第4～6相硅芯中每相的12对硅芯仅设置为一组，并由第1～6个高压击穿柜进行击穿。本实用新型缩短了硅芯的高压维持时间，减小了长时间维持高压状态对硅芯的损伤，将高压击穿柜由传统的12面减少为8面，节省了设备投资。
一种新型 72 还原高压击穿系统

[发明专利]电极空气间隙击穿电压的预测方法-CN201310752299.1有效
发明人：阮江军;舒胜文;黄道春;普子恒 -专利权人：武汉大学
申请日： 2013-12-31 - 公布日： 2014-03-26 - 主分类号： G06F19/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种电极空气间隙击穿电压的预测方法，首先，测量不同结构典型电极空气间隙的击穿电压值，并定义耐受电压区间和击穿电压区间；然后，对不同结构典型电极间隙进行电场计算并提取电场特征量，构建训练样本集；接着，基于训练样本集构建击穿电压预测模型，该击穿电压预测模型以电场特征量为输入、以耐受电压区间和击穿电压区间为输出；最后，采用击穿电压预测模型预测电极空气间隙的击穿电压。
电极空气间隙击穿电压预测方法

[发明专利]一种输电线路通道异常裂缝样本生成方法及系统-CN202110651075.6有效
发明人：张文宝;李文凯;高益坚;温晗;唐珉;史海涛;马建兵;宋江伟 -专利权人：河北华电沽源风电有限公司
申请日： 2021-06-10 - 公布日： 2022-11-29 - 主分类号： G06T11/00 文献下载
摘要：一种输电线路通道异常裂缝样本生成方法及系统，包括以下步骤：模拟云地闪电模型；选择生长点，模拟电流的击穿点；经过上述选中的新电荷加入到击穿点集内，将击穿点集内的所有点的电势和场强重新计算；把新选择的击穿点周围的待击穿点，加入到待击穿集内；对于新加入击穿点集的点跟此前点集内所有点做一次平面镜像电势计算，求出该点电场强度；重复上述迭代，击穿点到图像底部为止；通过计算其二阶矩估算实际图像纹理走向。
一种输电线路通道异常裂缝样本生成方法系统

[发明专利]一种含气泡绝缘油的击穿过程自触发观测系统-CN202011302270.X在审
发明人：张永泽;赵勇进;张良县 -专利权人：西安西电变压器有限责任公司;中国西电电气股份有限公司
申请日： 2020-11-19 - 公布日： 2021-02-09 - 主分类号： G01R31/12 文献下载
摘要：本申请公开了一种含气泡绝缘油的击穿过程自触发观测系统，包括油箱、高压电源装置、气泡注入装置和放电触发观测装置。油箱是击穿发生的主体装置，高压电源装置为油箱提供外施电压，气泡注入装置用于向油箱注入气泡，放电触发观测装置用于实现外施电压、击穿电信号及击穿影像的同步自触发采集。放电发生时，放电触发观测装置中的示波器存储击穿电信号、外施电压，同时输出TTL电平至高速摄像机的触发接口，高速摄像机存储击穿影像，实现了击穿电信号、外施电压和击穿影像的自动同步采集，从而能够为含气泡绝缘油的击穿机理研究提供研究素材
一种气泡绝缘油击穿过程触发观测系统

[发明专利]一种CVT电容单元击穿缺陷试验方法及装置-CN202111415264.X有效
发明人：舒想;周原;杨贤;马志钦;林春耀;蔡玲珑;靳宇晖;周丹;姜烁 -专利权人：广东电网有限责任公司;广东电网有限责任公司电力科学研究院
申请日： 2021-11-25 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： G01R31/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种CVT电容单元击穿缺陷试验方法及装置，该方法包括：采集待测CVT在额定电压范围以内的正常运行数据；在所述待测CVT的电容分压器间设置多个控制开关，使多个待模拟击穿电容处于预击穿状态；对所述多个待模拟击穿电容进行击穿模拟试验，采集击穿时的故障运行数据；将所述正常运行数据与所述故障运行数据进行对比分析，生成CVT电容单元击穿缺陷试验结果。本发明提供的CVT电容单元击穿缺陷试验方法，能够模拟运行电压下CVT电容单元击穿的瞬间，并通过示波器及时采集CVT故障信息，以为后续的CVT故障分析提供条件，有利于提高电网设备的使用寿命和维护电网系统的稳定运行
一种 cvt 电容单元击穿缺陷试验方法装置

[发明专利]一种测定栅介质经时击穿寿命的方法-CN200410084264.6无效
发明人：赵毅;万星拱;徐向明 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2004-11-17 - 公布日： 2006-05-31 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明有关一种测定栅介质经时击穿寿命的方法，其步骤包括：第一步，使用高电场测得栅介质的经时击穿寿命；第二步，利用高电场的经时击穿寿命通过1/E模型测得中间电场的经时击穿寿命；第三步，利用中间电场的经时击穿寿命通过E模型测得使用电场的经时击穿寿命。使用上述方法，大幅度地减小了测试时间，可以在非常短的时间内测定出需要的栅介质的经时击穿寿命。
一种测定介质击穿寿命方法

[发明专利]一种基于IGBT单元的击穿检测方法-CN201910599011.9有效
发明人：谢美珍;郑昕斌 -专利权人：福州丹诺西诚电子科技有限公司
申请日： 2019-07-04 - 公布日： 2021-06-08 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明涉及IGBT击穿检测技术领域，特别涉及一种基于IGBT单元的击穿检测方法，在IGBT单元的输出时长达到切换时间的时候，对当前时刻IGBT单元的输出功率进行判断，只有在IGBT单元的输出功率满足可进行击穿检测的条件时，再控制IGBT单元由当前的工作状态切换至击穿检测状态对IGBT单元进行击穿检测；本方案设计的击穿检测方法对IGBT单元的低边驱动和高边驱动的击穿情况都能检测到且无需更改IGBT单元的驱动方式，只需要通过预设的切换时间进行定时的状态切换即可检测到IGBT单元的击穿情况，算法简单，可检测的范围大。
一种基于 igbt 单元击穿检测方法

[发明专利]芯片级测试装置-CN201210548259.0无效
发明人：王云锋 -专利权人：深圳深爱半导体股份有限公司
申请日： 2012-12-17 - 公布日： 2013-04-24 - 主分类号： G01R31/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种芯片级测试装置，包括测试针、测试模块和击穿模块，击穿模块提供击穿电流击穿测试针与芯片连接处的接触电阻，使测试模块与芯片之间接触良好，测试模块在击穿模块击穿测试针与芯片的接触电阻后对芯片进行芯片级测试该芯片级测试装置，通过设置击穿模块击穿测试针与芯片的测试位置接触时的接触电阻，避免了因测试针氧化造成与芯片接触不良引起的误测；并且该芯片级测试装置在不改变硬件条件的情况下实现了降低接触电阻，避免了探卡的使用降低了成本
芯片级测试装置