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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]平坦化金属凸块表面的方法-CN200810130466.8有效
发明人：傅文勇 -专利权人：南茂科技股份有限公司;百慕达南茂科技股份有限公司
申请日： 2008-07-04 - 公布日： 2010-01-06 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：一种平坦化金属凸块表面的方法，包含：提供晶片，于主动面上具有多个金属凸块，其中每一个金属凸块的表面为粗糙表面；提供平坦装置，其具有上压板；传送晶片且置放在平坦装置上，以使晶片的主动面的多个金属凸块朝向平坦装置的上压板的下表面；施加一压力于晶片的主动面的多个金属凸块，是将上压板的下表面向下且与晶片的主动面上的多个金属凸块的粗糙表面接触，以平坦化晶片的主动面上的多个金属凸块的粗糙表面；及移除上压板，是将上压板与晶片的主动面上的多个金属凸块分离，以使得晶片的主动面上的多个金属凸块的表面为平坦化的表面。
平坦金属表面方法

[发明专利]凸块形成装置、凸块形成方法以及凸块形成程序-CN202180075021.8在审
发明人：田中清贵 -专利权人：株式会社新川
申请日： 2021-06-22 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：凸块形成装置(1)包括接合工具(15)及接合控制部(10)，接合控制部构成为执行压接工序(S14)、放出工序(S15)、按压工序(S16)以及切断工序(S17)，基于与引线(w)相关的第一参数以及与接合工具
形成装置方法以及程序

[发明专利]弹性凸块表面金属膜成型制程-CN200710143469.0无效
发明人：陆颂屏;黄崑永 -专利权人：福葆电子股份有限公司
申请日： 2007-08-01 - 公布日： 2009-02-04 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本发明主要揭露一种弹性凸块表面金属膜成型制程，先于集成电路组件形成有与焊垫相对应配置的弹性座体，再将可举离式光阻利用涂布、曝光、显影制程，于弹性座体周边形成光阻图案，然后在弹性座体及其周边的光阻图案上利用溅镀或蒸镀等金属化制程形成至少一层导电层，并使该导电层得以连接焊垫、弹性座体顶部的构装接合面以及针测表面，最后利用光阻剥离剂将光阻图案连同覆盖在光阻图案上的导电层去除，以形成弹性凸块的表面金属膜，以在不造成短路之下，可达到精确控制表面金属膜的宽度的目的
弹性表面金属膜成型

[发明专利]包括具有凸块的表面的产品容器-CN200780038697.X无效
发明人：米切尔·B·迪克塞利斯;苏拉吉·基伏库拉;理查德·西格特曼斯;埃尔伯特·古德 -专利权人： WM.雷格利JR.公司
申请日： 2007-10-15 - 公布日： 2009-09-23 - 主分类号： B65D25/10 文献下载
摘要：多个凸块(26)沿所述底面布置。
包括具有表面产品容器

[发明专利]凸块结构和凸块结构制造方法-CN201910825779.3在审
发明人：李灿浩;李仁荣;裵镇国;郑显秀 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-09-03 - 公布日： 2020-04-07 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：公开了凸块结构和凸块结构制造方法。可以提供包括焊盘和位于所述焊盘的顶表面上的凸块的凸块结构。所述凸块可以包括上凸块部分和下凸块部分，所述下凸块部分可以包括与所述焊盘的顶表面接触的基座部分和从所述基座部分向上延伸的柱状部分。所述基座部分的至少一部分在与所述焊盘的所述顶表面平行的平面上的截面面积可以大于所述柱状部分在与所述焊盘的所述顶表面平行的所述平面上的截面面积。
结构制造方法

[发明专利]凸块封装结构及凸块封装方法-CN201210041079.3有效
发明人：王之奇;王宥军;俞国庆;王琦;喻琼;王蔚 -专利权人：苏州晶方半导体科技股份有限公司
申请日： 2012-02-22 - 公布日： 2012-07-18 - 主分类号： H01L21/603 文献下载
摘要：一种凸块封装结构及凸块封装方法，其中，凸块封装方法包括：提供待封装衬底，所述待封装衬底表面具有焊垫，焊垫表面具有凸块；在所述待封装衬底表面形成覆盖所述凸块的异向导电胶层；提供PCB板，所述PCB板具有突出PCB板表面的电极，所述电极位置与凸块位置对应；将PCB板与待封装衬底压合，使得所述电极与所述凸块位置正对并且PCB板表面与异向导电胶层表面接触，其中，位于所述凸块与所述电极间的异向导电胶层受到垂直所述封装衬底表面的压力本发明实施例的凸块封装方法工艺简便，本发明实施例的凸块封装结构封装质量高。
封装结构方法

[发明专利]凸块形成方法及焊接凸块-CN200580029094.4有效
发明人：辛岛靖治;山下嘉久;留河悟;北江孝史;中谷诚一 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2005-08-30 - 公布日： 2007-08-01 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本发明提供一种可以均一性良好地形成多个微细凸块并且生产性高的凸块形成方法。在向形成了多个电极(11)的基板(10)上，供给了含有焊粉及对流添加剂(12)的树脂(13)后，在以平板(14)顶触向基板(10)上供给的树脂(13)的表面的同时，将基板(10)加热到焊粉熔融的温度。其后，如果将平板(14)从树脂(13)的表面分离，除去树脂(13)，则可以获得在多个电极上形成了凸块(16)的基板(10)。
形成方法焊接

[发明专利]凸块工艺-CN201110423999.7有效
发明人：郭志明;戴华安;林政帆;邱奕钏;谢永伟 -专利权人：颀邦科技股份有限公司
申请日： 2011-12-13 - 公布日： 2013-06-19 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本发明是有关于一种凸块工艺，其包含提供一硅基板；形成一含钛金属层在该硅基板，且该含钛金属层是具有多个第一区及多个第二区；形成一光阻层在该含钛金属层；图案化该光阻层以形成多个开槽，所述开槽是对应该含钛金属层的所述第一区；形成多个铜凸块在所述开槽；进行一加热步骤；形成多个凸块隔离层在所述铜凸块；形成多个接合层在所述凸块隔离层；移除该光阻层；以及移除该含钛金属层的所述第二区，并使各该第一区形成为一凸块下金属层。
工艺

[发明专利]凸块制程-CN200810095842.4有效
发明人：余瑞益;戴丰成 -专利权人：日月光半导体制造股份有限公司
申请日： 2008-04-30 - 公布日： 2008-09-17 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本发明提供一种凸块制程，是提供一晶片，该晶片具有一主动表面且该主动表面上具有至少一接垫，再覆盖一保护层于晶片的主动表面上，并裸露出接垫，接着形成一凸块下金属层于接垫上，再配置一胶膜于保护层上，并覆盖凸块下金属层接着对胶膜进行选择性的曝光，使得位于凸块下金属层上方的胶膜受到曝光，并移除胶膜的曝光部分，使得凸块下金属层裸露。分布一锡膏于凸块下金属层上，并移除晶片上剩余的胶膜，再借助回焊制程使锡膏形成一金属凸块。
凸块制程

[发明专利]凸块制程-CN200610064835.9有效
发明人：王俊恒 -专利权人：南茂科技股份有限公司;百慕达南茂科技股份有限公司
申请日： 2006-03-14 - 公布日： 2007-09-19 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：一种凸块制程包括下列步骤。首先提供一具有多个接点的本体。然后形成具有多个第一开口的一保护层于本体上，其中这些第一开口暴露出本体的多个接点。接着于保护层与这些接点上形成一球底金属层。然后对应这些接点而形成多个凸块于第二开口内，其中这些凸块的远离保护层的表面低于图案化光阻层远离保护层的表面。接着对这些凸块进行蚀刻，以平坦化这些凸块的表面。然后移除图案化光阻层以及移除球底金属层的不为这些凸块所覆盖的部份。
凸块制程

[发明专利]凸块结构-CN201910542464.8有效
发明人：曾国玮;陈柏琦 -专利权人：矽创电子股份有限公司
申请日： 2019-06-21 - 公布日： 2021-11-16 - 主分类号： H01L23/488 文献下载
摘要：本发明公开了一种凸块结构，包含一凸块本体，所述凸块本体沿一第一方向延伸，且所述凸块本体于垂直所述第一方向的一第二方向两侧分别具有一侧表面；以及多个补强单元，形成于所述凸块本体的侧表面。
结构

[发明专利]凸块结构-CN200710126341.3无效
发明人：张世明;曾毅;高国书 -专利权人：台湾薄膜电晶体液晶显示器产业协会;中华映管股份有限公司;友达光电股份有限公司;瀚宇彩晶股份有限公司;奇美电子股份有限公司;财团法人工业技术研究院;统宝光电股份有限公司
申请日： 2007-06-29 - 公布日： 2008-12-31 - 主分类号： H01L23/485 文献下载
摘要：本发明公开一种凸块结构，包括至少一接垫、至少一第一高分子凸块、至少一第二高分子凸块以及导电层。接垫配置于基板上。第一高分子凸块配置于基板上。第二高分子凸块配置于基板上，且连接于第一高分子凸块。导电层覆盖第一高分子凸块，并与接垫电性连接。
结构

[发明专利]复合凸块-CN200510135282.7无效
发明人：林基正;林耀生;张世明;陆苏财;郑仙志;陈泰宏 -专利权人：财团法人工业技术研究院
申请日： 2005-12-29 - 公布日： 2007-07-04 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：本发明提出一种复合凸块，其适于设置在基板的焊垫上。此复合凸块主要包括弹性主体以及外导电层，其中弹性主体的热膨胀系数介于5ppm/℃与200ppm/℃之间，而外导电层覆盖弹性主体，并与焊垫电连接。复合凸块内的弹性主体可在接合时提供应力缓冲的效果，且由于弹性主体的热膨胀系数位于较佳的范围内，因此有助于降低热应力的作用，进而提高接合效果。
复合

[实用新型]凸块结构-CN201220003015.X有效
发明人：郭志明;邱奕钏;何荣华 -专利权人：颀邦科技股份有限公司
申请日： 2012-01-05 - 公布日： 2012-08-15 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：本实用新型是有关于一种凸块结构，包含一硅基板、多个凸块下金属层、多个铜凸块、多个凸块隔离层以及多个接合层，该硅基板具有一表面、多个设置于该表面的焊垫及一设置于该表面的保护层，该保护层具有多个开口，且所述开口显露所述焊垫，所述凸块下金属层形成于所述焊垫，所述铜凸块形成于所述凸块下金属层上，各该铜凸块具有一第一顶面及一第一环壁，所述凸块隔离层包覆各该铜凸块的该第一顶面及该第一环壁，且各该凸块隔离层具有一第二顶面，所述接合层形成于所述凸块隔离层的所述第二顶面
结构

[实用新型]凸块结构-CN202320818706.3有效
发明人：江俊纬;林咏胜;洪筠净 -专利权人：日月光半导体制造股份有限公司
申请日： 2023-04-13 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L23/488 文献下载
摘要：本申请提供了一种凸块结构，包括：电子器件；第一金属层，位于所述电子器件上；第二金属层，位于所述第一金属层上；以及金属接合层，位于所述第二金属层上，其中，所述第一金属层在俯视图中的投影在所述金属接合层在所述俯视图中的投影内，从而提供一种稳定性能较好的凸块结构。
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