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- [实用新型]箱式保护气氛热处理炉-CN202020916335.9有效
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许庆叶
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南京金陵节能炉业科技有限公司
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2020-05-27
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2021-03-16
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C21D9/00
- 本实用新型公开了一种箱式保护气氛热处理炉,包括炉体、炉衬、炉罐和水平加热元件,水平加热元件包括上下两排,上下两排水平加热元件设置在炉膛内并且分别位于炉罐的上方和下方用于从炉罐的上方和下方向炉罐辐射加热,炉罐位于炉膛外的一端设置有保护气体减压阀,保护气体减压阀包括减压管、减压法兰、密封板、螺栓和弹簧,减压管与炉罐相通,减压法兰与减压管固定,密封板与减压法兰采用螺栓连接,并且弹簧套设在螺栓的螺杆上,弹簧的两端分别抵住密封板和螺栓的头部本实用新型的有益效果是:本实用新型设置保护气体减压阀,使炉罐内的压力可自动调整,炉罐内压力均衡。
- 箱式保护气氛热处理
- [发明专利]半导体装置的制造方法及接合组装装置-CN201510762725.9有效
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斋藤俊介;渡边裕彦;大西一永
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富士电机株式会社
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2015-11-10
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2018-10-23
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H01L21/60
- 一种半导体装置的制造方法,包括:准备工序,将包含至少一个被接合构件和焊锡材料的层叠体投入减压炉内;一次减压工序,对减压炉内进行真空排气;热射线式加热工序,将减压炉内设为低压的氢气氛,对与减压炉之间隔着能开闭的分隔壁地设置于减压炉外的金属线进行加热,或对与输送台、冷却板以及热板之间隔着能开闭的分隔壁地设置于减压炉内的金属线进行加热,产生原子态氢;隔离工序,在将金属线保持在低压气氛下的状态下,利用所述分隔壁自减压炉内气氛隔离开所述金属线;加热工序,将减压炉内设为正压的氢气氛并加热至接合温度使焊锡材料熔融;及气泡去除工序,在保持为接合温度的状态下将减压炉内再次设为真空气氛而去除焊锡熔体中的气泡。
- 半导体装置制造方法接合组装
- [实用新型]一种氮化炉稳压结构-CN202223476945.X有效
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周邦;陈磊;阳吉和
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合肥精时金属科技有限公司
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2022-12-26
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2023-04-28
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C23C8/24
- 本实用新型属于氮化炉技术领域,尤其为一种氮化炉稳压结构,包括氮化炉本体,所述氮化炉本体上端左部固定连接有进气管,所述氮化炉本体外表面右部上侧固定连接有减压筒,所述减压筒外表面上部固定连接有内螺纹块,所述内螺纹块上端螺纹连接有过滤机构,所述减压筒内部开有减压槽,所述减压筒左端中部开有减压通道,所述减压筒内上壁开有截流口,所述减压槽右槽壁固定连接有固定筒,所述固定筒外表面上部和外表面下部均固定连接有连接筒,所述固定筒左端固定连接有弹簧本实用新型所述的一种氮化炉稳压结构,能够有效减小氮化炉本体内部压力,使氮化炉本体内部达到稳压状态。
- 一种氮化稳压结构
- [发明专利]多晶硅制备用碳部件的净化方法-CN200910174675.7有效
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生川满敏;渡部谦一
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三菱麻铁里亚尔株式会社
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2009-09-14
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2010-03-31
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C01B31/00
- 本发明涉及多晶硅制备用碳部件的净化方法,将用于多晶硅制备的碳部件置于处理炉内部,将处理炉内部用惰性气体等置换,然后多次重复下述处理后使处理炉内部冷却:干燥处理,其中,将处理炉内部升温至干燥温度,使惰性气体等流通,干燥碳部件;氯气流通处理(步骤2),其中,在干燥处理后,将处理炉内部升温至高于干燥温度的净化温度,同时使氯气在处理炉内部流通;减压处理(步骤3),其中,在氯气流通处理后,使处理炉内部减压;减压保持处理(步骤4),其中,将处理炉内部保持于由减压处理产生的减压状态;和氯气加压处理(步骤5),其中,向减压保持处理后的处理炉内部导入氯气,使处理炉内部呈加压状态。
- 多晶制备部件净化方法
- [发明专利]一种消除减压过程瓶颈的原油减压蒸馏方法-CN201410074991.8无效
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辜乌根;张冰剑;陈清林
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中山大学
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2014-03-03
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2014-06-18
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C10G7/06
- 本发明公开了一种消除减压过程瓶颈的原油减压蒸馏方法。常压渣油先经过常压炉对流段和减压炉对流段进行换热,温度提升5~20℃后进入减压闪蒸塔,减压闪蒸塔在5~30kPa条件下操作,同时在减压闪蒸塔上部引入减压蒸馏塔减二线作为洗涤油,减压闪蒸塔顶气经换热、冷凝冷却后作为产品直接抽出,在减压闪蒸塔中部将洗涤油抽出,并送入减压蒸馏塔减二线抽出板下方,减压闪蒸塔闪底油进入减压炉,被加热到370~410℃,经转油线进入减压蒸馏塔,减压分馏后从减压蒸馏塔侧线抽出不同馏分的产品。本发明改进了原油减压蒸馏工艺流程,消除了减压炉和减压蒸馏塔的瓶颈,降低了能耗,提高了处理量,增加了装置的经济效益。
- 一种消除减压过程瓶颈原油减压蒸馏方法
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