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[发明专利]一种使用氮化硅薄膜作为阻挡层的准单晶硅铸锭用坩埚-CN201810688398.0在审
发明人：余学功;胡泽晨;杨德仁 -专利权人：浙江大学
申请日： 2018-06-28 - 公布日： 2018-11-02 - 主分类号： C30B13/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种使用氮化硅薄膜作为阻挡层的准单晶硅铸锭用坩埚，所述坩埚的底座内表面设有氮化硅涂层和阻挡层，所述阻挡层为表面通过等离子体增强化学气相沉积法沉积有Si₃N₄薄膜的太阳能级单晶硅基片。通过本发明提供的使用氮化硅薄膜作为阻挡层的准单晶硅铸锭用坩埚铸造的准单晶硅铸锭底部红区宽度可限制到约5mm左右，铸锭的少子寿命大于2μs；有效提高了准单晶硅锭的利用率。将本发明提供的准单晶锭切割成硅片，硅片中的杂质浓度较低，硅片的少子寿命较高，制成电池后的效率较高，其平均转换效率为18～18.5％。
准单晶硅阻挡层铸锭坩埚氮化硅薄膜硅片少子寿命等离子体增强化学气相沉积法太阳能级单晶硅氮化硅涂层底座内表面转换效率准单晶薄膜沉积切割电池铸造

[发明专利]一种使用二氧化硅薄膜作为阻挡层的准单晶硅铸锭用坩埚-CN201810687268.5在审
发明人：余学功;胡泽晨;杨德仁 -专利权人：浙江大学
申请日： 2018-06-28 - 公布日： 2018-11-06 - 主分类号： C30B35/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种使用二氧化硅薄膜作为阻挡层的准单晶硅铸锭用坩埚，所述坩埚的底座内表面设有氮化硅涂层和阻挡层，所述阻挡层为表面通过热氧化法生长有SiO₂薄膜的太阳能级单晶硅基片。通过本发明提供的使用二氧化硅薄膜作为阻挡层的准单晶硅铸锭用坩埚铸造的准单晶硅铸锭底部红区宽度可限制到约4mm左右，铸锭的少子寿命大于2μs；有效提高了准单晶硅锭的利用率。将本发明提供的准单晶锭切割成硅片，硅片中的杂质浓度较低，硅片的少子寿命较高，制成电池后的效率较高，其平均转换效率为18％～18.5％。
准单晶硅阻挡层铸锭坩埚二氧化硅薄膜硅片少子寿命太阳能级单晶硅氮化硅涂层底座内表面热氧化法转换效率准单晶切割电池铸造生长

[发明专利]一种准单晶电池片生产工艺-CN202010767287.6在审
发明人：李雪方;贾宇龙;郭卫;崔龙辉 -专利权人：山西潞安太阳能科技有限责任公司
申请日： 2020-08-03 - 公布日： 2020-11-03 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明涉及准单晶电池片生产领域。一种准单晶电池片生产工艺，多晶硅电池片生产过程中采用单晶方式制绒、多晶方式扩散、多晶方式酸抛、多晶热氧钝化、多晶方式PECVD镀膜、多晶方式丝网印刷进行，其中，所述的单晶方式是指采用单晶设备生产，所述的多晶方式是指采用多晶设备生产本发明在多晶方式扩散、多晶方式酸抛、多晶热氧钝化、多晶方式PECVD镀膜、多晶方式丝网印刷利用现有的多晶工艺生产设备，协调调整生产工艺，再结合采用单晶方式制绒，使得结果得到准单晶的转换效率能到20.06%
一种准单晶电池生产工艺

[发明专利]一种准单晶管材及其制备方法-CN202011031712.1有效
发明人：王经涛;诸叶斌;李政;刘瑛 -专利权人：南京理工大学
申请日： 2020-09-27 - 公布日： 2022-06-21 - 主分类号： C30B29/66 文献下载
摘要：本发明涉及材料技术领域，尤其是一种准单晶管材及其制备方法；所述准单晶管材的晶体学织构围绕管材的轴线呈连续旋转对称，所述管材中晶界取向差大于15°的大角度晶界比例≤10％；所述准单晶管材中晶体的某一晶向uvw择优取向平行于管材的周向；所述准单晶管材中晶体的某一晶面{hkl}择优取向平行于管壁的切平面或者该晶面的法向择优取向平行于管材的径向；本发明的准单晶是由多晶体通过变形和退火过程中各晶粒取向逐渐转动到宏观择优方向上而形成
一种准单晶管材及其制备方法

[发明专利]准单晶硅片的制绒方法-CN201110419867.7无效
发明人：魏青竹;钱峰;陆俊宇;任军林;汪艳玲 -专利权人：江苏腾晖电力科技有限公司
申请日： 2011-12-15 - 公布日： 2012-05-23 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明涉及一种准单晶硅片的制绒方法，其特点在于包括以下步骤：首先，采用湿法刻蚀方法去除以晶粒为主的准单晶硅片上的机械损伤层。之后，根据晶粒所占比例，采用等离子体刻蚀与反应离子刻蚀进行准单晶制绒。而且，制绒后准单晶硅片反射率低于15％，表面陷光效果好，电池片可充分发挥准单晶硅片优势。制绒后表面织构化不依赖于晶向和衬底条件。可靠性高，易控制，硅片消耗量少，利于更薄硅片应用。
单晶硅方法

[实用新型]一种用于铸造准单晶的异形坩埚-CN201520989167.5有效
发明人：马翔宇;王海庆;王禄宝;吴明山 -专利权人：江苏美科硅能源有限公司
申请日： 2015-12-03 - 公布日： 2016-05-25 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种用于铸造准单晶的异形坩埚，包括坩埚主体，所述坩埚主体为上大下小的梯形体结构，所述坩埚主体包括底板和四块侧板，所述侧板为梯形结构，侧板顶边的长度L1＞侧板底边的长度L2，四块侧板分别倾斜的固定在底板的四周，侧板与底板之间的倾斜角度为a，90°＜a＜180°，准单晶的得率更高，与现有G6传统坩埚的准单晶硅片相比，提高准单晶得率12~15%。
一种用于铸造准单晶异形坩埚

[发明专利]一种铸造多晶硅或准单晶硅的方法及装置-CN201210512673.6有效
发明人：郑玉芹;朱常任;胡亚兰;武鹏;周之燕 -专利权人：江苏协鑫硅材料科技发展有限公司
申请日： 2012-12-04 - 公布日： 2013-03-27 - 主分类号： C30B11/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种铸造多晶硅或准单晶硅的方法，包括以下步骤：在多晶硅铸锭炉的坩埚和石墨护板之间设置在铸锭过程中抑制坩埚外表面的SiO2和石墨护板中的C发生反应的隔离层；使用所述多晶硅铸锭炉通过定向凝固法铸造多晶硅或准单晶硅另外还提出一种铸造多晶硅或准单晶硅的装置。上述铸造多晶硅或准单晶硅的方法及装置，在坩埚和石墨护板之间设置隔离层，以在铸锭过程中抑制坩埚外表面的SiO2和石墨护板中的C发生反应生成CO，从而能够减少多晶硅铸锭炉内C含量，使SiC杂质沉淀的生成减少，使铸造多晶硅或准单晶硅中的C杂质减少、缺陷密度减少，进而提高铸造多晶硅或准单晶硅的铸锭成品率、切片良率以及电池片的转换效率。
一种铸造多晶单晶硅方法装置

[发明专利]一种准单晶硅片的制绒方法-CN201010520745.2无效
发明人：黄新明;钟根香;王松;李志辉 -专利权人：晶澳太阳能有限公司;东海晶龙晶硅光伏材料研究院有限公司;东海晶澳太阳能科技有限公司
申请日： 2010-10-27 - 公布日： 2011-04-27 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种准单晶硅片的制绒方法，对以(100)晶粒为主的准单晶硅片进行先酸制绒后碱制绒的制绒工艺，并根据准单晶硅片中(100)晶粒的所占面积的比例，调节酸、碱制绒的程度，以达到最好的综合制绒效果。
一种单晶硅方法

[发明专利]一种准单晶硅片的制绒方法-CN201110265315.5无效
发明人：金若鹏 -专利权人：浙江向日葵光能科技股份有限公司
申请日： 2011-09-08 - 公布日： 2012-01-04 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明涉及太阳能电池的生产技术方法领域，具体涉及一种准单晶硅片的制绒方法，包括先对以（100）晶粒为主的准单晶硅片采用碱制绒工序，再采用酸制绒工序。本发明相比单纯的酸制绒能够明显提高准单晶电池的光电转换效率，而且能明显消除采用单纯碱制绒所导致的部分绒面发亮的现象，整个过程可根据（100）晶粒所占的面积精确调整。该工艺方法过程完全可控，整体制绒效果好，外观合格，工艺简单，适用于准单晶硅片的大规模生产。
一种单晶硅方法

[发明专利]一种准二维钙钛矿单晶及其制备方法、一种钙钛矿光电探测器及其制备方法-CN202210192455.2有效
发明人：邱锋;张博磊;刘子睿;刘光胜;田一;胡涛;丁家芬;白旋;刘青;张蕊;陈鹏;张天明;李思;李金平;张兴 -专利权人：云南大学
申请日： 2022-03-01 - 公布日： 2023-05-19 - 主分类号： C30B29/54 文献下载
摘要：本发明属于新型材料和半导体制备技术领域，具体涉及一种准二维钙钛矿单晶及其制备方法、一种钙钛矿光电探测器及其制备方法。3n+1中的LA、A和B的计量数，将BO、AX、LAX、HX水溶液和助溶剂混合，得到母液；将所述母液在衬底表面形成母液液滴，所述母液液滴的表层进行自组装，形成准二维钙钛矿单晶，所述自组装的时间≤10s；将所述准二维钙钛矿单晶脱离母液液滴。本发明在保证准二维钙钛矿单晶晶粒完整的基础上，避免单晶相互接触时产生晶界缺陷，得到光电性能好的准二维钙钛矿单晶。
一种二维钙钛矿单晶及其制备方法钙钛矿光电探测器

[发明专利]一种切割准单晶用籽晶的方法及其装置-CN201210243256.6有效
发明人：陈五奎;李军;陈辉;徐文州;冯加保;耿荣军 -专利权人：乐山新天源太阳能科技有限公司
申请日： 2012-07-13 - 公布日： 2012-11-14 - 主分类号： B28D5/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种能够降低生产成本的切割准单晶用籽晶的方法及其装置。该切割准单晶用籽晶的方法，采用金属线切割准单晶用籽晶，所述金属线的直径为0.1mm～0.3mm。采用金属线切割准单晶用籽晶，并且所述金属线的直径为0.1mm～0.3mm，能够大大减小籽晶的截口损失，只有0.1mm～0.3mm的截口损失，与金刚石锯片的3mm截口损失相比，大大减少了籽晶的浪费，提高了籽晶的利用率，进而大幅度的降低了准单晶的生产成本，而且，使用金属线切割籽晶，籽晶的切割面非常光滑，不需要对切割面进行后续工序处理就能够直接使用，减少了生产工序，进一步的降低了生产成本。
一种切割准单晶用籽晶方法及其装置

[发明专利]一种含微应变的准单晶二氧化钛三维阵列及其制备方法-CN202010448726.7有效
发明人：文伟;姚金呈;海舰航;吴进明 -专利权人：海南大学
申请日： 2020-05-25 - 公布日： 2021-07-20 - 主分类号： C30B29/32 文献下载
摘要：本发明公开一种含微应变的准单晶二氧化钛三维阵列及其制备方法。首先，通过水热法制备单晶钛酸钠纳米线阵列；然后，在单晶钛酸钠纳米线阵列表面沉积介晶TiO2；最后，进行质子交换和热处理，将单晶钛酸钠转变为单晶TiO2，得到最终的含微应变的准单晶二氧化钛三维阵列。TiO2纳米线，得到单相的锐钛矿TiO2，且整体具有准单晶结构。与现有的制备TiO2阵列的技术相比，本发明公开的方法制备的TiO2具有三维分级结构、准单晶结构、单轴张应变的独特特征，
一种应变准单晶二氧化三维阵列及其制备方法

[实用新型]一种准晶单晶生长装置-CN201120410459.0有效
发明人：樊振军;郑志远;张自力 -专利权人：中国地质大学北京
申请日： 2011-10-25 - 公布日： 2012-06-13 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种准晶单晶生长装置，包括加热炉、耐火支撑台、叶腊石样品台和石英管，耐火支撑台设置在加热炉中，叶腊石样品台通过转轴可转动架设在耐火支撑台上，并且转轴一端穿出加热炉；石英管竖直固定安装在叶腊石样品台上本实用新型用于生长准晶单晶的装置在准晶单晶生长完毕时，通过转动转轴控制叶腊石样品台上的石英管翻转，在高温状态下就可以将准晶单晶与未结晶合金液体分离开，避免在冷却后难以将包覆在单晶体的多余液体去除的问题，有助于获取大的单晶体。
一种准晶单晶生长装置

[发明专利]一种准单晶硅片绒面的制备方法-CN201410016395.4有效
发明人：郑兰花;李国民;卢海江;程四兴 -专利权人：东莞东阳光科研发有限公司
申请日： 2014-01-14 - 公布日： 2017-12-05 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明涉及一种准单晶硅片绒面的制备方法，包括先对以（100）晶粒为主的准单晶硅片采用酸制绒工序，再采用两次碱制绒工序。这种湿法化学腐蚀法制备准单晶硅片绒面工艺，硅片外观无色差，所得绒面结构细小而均匀，有效降低硅片表面的反射率，利于提高准单晶电池片的转换效率，成本低且操作简单，适合工业化生产。
一种单晶硅片绒面制备方法

[发明专利]大晶粒准单晶薄膜及其制备方法-CN202010737961.6有效
发明人：陈智;李昱瑾 -专利权人：财团法人交大思源基金会
申请日： 2020-07-28 - 公布日： 2021-09-03 - 主分类号： C30B29/52 文献下载
摘要：一种大晶粒准单晶薄膜及其制备方法，乃将表面具有111优选方向的金属薄膜藉由机械拉伸力的作用，使得晶粒的排列更为有序，再利用低于再结晶温度的退火处理，而成长为平均直径500微米以上的大晶粒，以获得具有三轴优选方向的大晶粒准单晶薄膜，此大晶粒准单晶薄膜于拉伸方向及垂直拉伸方向各具有110与211的优选方向，且维持其表面111的优选方向。本发明有利于生产高度异向性的大面积准单晶薄膜，亦可应用于成长二维材料或其他异向性特征结构的开发。
晶粒准单晶薄膜及其制备方法