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[发明专利]无再沉积溅射系统-CN201880031511.6在审
发明人：细川昭弘 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2018-04-25 - 公布日： 2019-12-27 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：一种圆柱靶材组件，用于在物理气相沉积处理腔室中使用而用于磁性增强的溅射应用。在此处所公开的实施方式中，围绕可旋转的背衬管设置的圆柱靶材具有一个或多个轮廓端部，符合位于均匀磁场的外侧的磁性溅射线。轮廓端部避免或实质上减少再沉积材料聚积于圆柱靶材组件的任一端部，而期望地减少在处理腔室中及在其中处理的基板的表面上的粒子污染物。
圆柱靶材处理腔室轮廓端部物理气相沉积粒子污染物均匀磁场可旋转的背衬管再沉积聚积基板溅射射线期望应用

[发明专利]抑制污垢再沉积的方法-CN00816404.5无效
发明人： P·G·斯利瓦 -专利权人：通达商业集团国际公司
申请日： 2000-11-29 - 公布日： 2003-03-12 - 主分类号： C11D3/00 文献下载
摘要：一种抑制污垢再沉积到被一种或多种季化合物沾污的织物上的方法，该方法通过向洗涤液中提供有效量的磺化物质而实现。所述磺化物质包括水溶性的磺化聚合物。
抑制污垢沉积方法

[发明专利]基于深度学习的内孤立波对深海沉积物再悬浮量预测方法-CN202210915427.9有效
发明人：贾永刚;冯学志;王林森;刘汉露;王慧 -专利权人：中国海洋大学
申请日： 2022-08-01 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： G06Q10/04 文献下载
摘要：本发明提供了一种基于深度学习的内孤立波对深海沉积物再悬浮量预测方法,包括S1、现场观测数据的获取与处理；S2、构建内孤立波对深海沉积物再悬浮量模型；S3、内孤立波对深海沉积物再悬浮量预测模型验证和优化。通过本发明的技术方案，实现了内孤立波对深海沉积物再悬浮量的准确预测。本发明针对性选取了影响内孤立波对深海沉积物再悬浮的多个环境因素，为了解决多维相关数据的融合问题，采用深度学习神经网络的方法来实现内孤立波对深海沉积物再悬浮量模型与现场观测数据的融合。本发明还引入误差分析机制，用于刻画不同时刻内孤立波对深海沉积物再悬浮量与预测目标的差异化贡献。
基于深度学习孤立深海沉积物悬浮预测方法

[发明专利]消除栅极侧壁再沉积的方法和半导体器件-CN201110076576.2无效
发明人：任晓辉;奚裴 -专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
申请日： 2011-03-29 - 公布日： 2011-09-07 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：本发明提供了一种消除栅极侧壁再沉积的方法和半导体器件。根据本发明的消除栅极侧壁再沉积的方法包括：栅极侧壁杂质刻蚀步骤，用于通过硬掩膜尺寸调整在刻蚀过程中去除栅极侧壁杂质。根据本发明的消除栅极侧壁再沉积的方法能够在很大程度上消除不期望出现的钨再沉积现象。
消除栅极侧壁沉积方法半导体器件

[发明专利]进行再沉积制程时改善掺杂多晶硅片电阻阻值差异的方法-CN201310267826.X有效
发明人：田守卫;姜国伟;孙洪福 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2013-06-28 - 公布日： 2017-07-28 - 主分类号： H01L21/283 文献下载
摘要：一种进行再沉积制程时改善掺杂多晶硅片电阻阻值差异的方法，在沉积制程中断后的多晶硅薄膜上通H2气流，再进行再沉积制程，直到完成多晶硅薄膜的沉积，然后依序进行后续制程。本发明能够缩小沉积制程和再沉积制程中形成的多晶硅薄膜的片电阻阻值差异，减少制程中断产生的不良影响，获得片电阻较为一致的多晶硅薄膜。
进行沉积制程时改善掺杂多晶硅片电阻阻值差异方法

[发明专利]用于防止再沉积的基准保护的沉积屏蔽-CN202111143887.6在审
发明人： S·摩根-琼斯;M·纳加里安;M·施米德特;V·伯德 -专利权人： FEI 公司
申请日： 2021-09-28 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：用于防止再沉积的基准保护的沉积屏蔽。由于衬底的带电粒子束（CPB）或激光束铣削而产生的在基准上的衬底材料再沉积可用在衬底表面上形成的屏蔽来减少。所述屏蔽可使用束辅助化学气相沉积（CVD）而用铣削束形成。相同或不同的束可用于铣削和束辅助CVD。
用于防止沉积基准保护屏蔽

[发明专利]沉积物再悬浮振荡装置-CN202310205974.2在审
发明人：王洪亮;张文全;吴燕;周玉斌;高祥兴;孙永福;高伟;李超 -专利权人：国家深海基地管理中心;青岛市农产品质量安全中心（青岛市农业投入品鉴定中心）
申请日： 2023-03-06 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： B01F31/441 文献下载
摘要：本发明公开了沉积物再悬浮振荡装置，包括设备罐体，所述设备罐体的顶部通过螺栓固定安装有盖板，所述设备罐体的底部固定安装有底座，所述设备罐体表面较下方位置固定连接有第一取样导管，所述第一取样导管的一端固定连接有手阀
沉积物悬浮振荡装置

[发明专利]一种航空发动机机匣阻燃涂层电火花沉积制造与再制造机构-CN201910001627.1在审
发明人：王朝琴;汪瑞军;王小荣;王国钰;何鹏;罗冠炜 -专利权人：兰州交通大学
申请日： 2019-01-02 - 公布日： 2020-07-10 - 主分类号： C23C26/02 文献下载
摘要：一种航空发动机机匣阻燃涂层电火花沉积制造与再制造机构，它涉及一种机构，具体涉及一种航空发动机机匣阻燃涂层电火花沉积制造与再制造机构。本发明的目的是要解决航空发动机机匣阻燃涂层手工电火花沉积制造与再制造放电过程不稳定，放电能量不均匀，沉积效率低，强化层性能无法精确控制的问题。融合数控技术和电火花沉积表面强化技术，研发一种航空发动机机匣阻燃涂层电火花沉积制造与再制造工艺平台，实现航空发动机机匣阻燃涂层电火花沉积制造与再制造。本发明可获得一种航空发动机机匣阻燃涂层电火花沉积制造与再制造机构。
一种航空发动机阻燃涂层电火花沉积制造机构

[实用新型]一种航空发动机机匣阻燃涂层电火花沉积制造与再制造机构-CN201920002402.3有效
发明人：王国钰;王朝琴;汪瑞军;王小荣;何鹏;罗冠炜 -专利权人：兰州交通大学
申请日： 2019-01-02 - 公布日： 2019-09-24 - 主分类号： C23C26/02 文献下载
摘要：一种航空发动机机匣阻燃涂层电火花沉积制造与再制造机构，它涉及一种机构，具体涉及一种航空发动机机匣阻燃涂层电火花沉积制造与再制造机构。本实用新型的目的是要解决航空发动机机匣阻燃涂层手工电火花沉积制造与再制造放电过程不稳定，放电能量不均匀，沉积效率低，强化层性能无法精确控制的问题。融合数控技术和电火花沉积表面强化技术，研发一种航空发动机机匣阻燃涂层电火花沉积制造与再制造工艺平台，实现航空发动机机匣阻燃涂层电火花沉积制造与再制造。本实用新型可获得一种航空发动机机匣阻燃涂层电火花沉积制造与再制造机构。
电火花沉积航空发动机机匣阻燃涂层再制造制造本实用新型表面强化技术保护气体沉积效率放电过程放电能量工艺平台数控技术凸轮旋转不均匀强化层支撑轴电极研发支架融合

[发明专利]消除栅极侧壁再沉积的方法和半导体器件-CN201110076567.3无效
发明人：任晓辉;奚裴 -专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
申请日： 2011-03-29 - 公布日： 2011-09-07 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：本发明提供了一种消除栅极侧壁再沉积的方法和半导体器件。根据本发明的消除栅极侧壁再沉积的方法包括：栅极侧壁杂质剥离步骤，用于将栅极侧壁杂质从栅极侧壁剥离出去，并且其中，所述栅极侧壁杂质剥离步骤包括一个栅极金属相关层蚀刻步骤。根据本发明的消除栅极侧壁再沉积的方法能够在很大程度上消除现有技术中存在的不期望出现的金属再沉积现象。
消除栅极侧壁沉积方法半导体器件

[发明专利]一种深海海底漂浮沉积物再沉降测量装置-CN202211544336.5在审
发明人：高祥兴;张文全;高伟;王洪亮;景春雷;刘震;李超;胥维坤 -专利权人：国家深海基地管理中心
申请日： 2022-12-04 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： G01B11/06 文献下载
摘要：本发明涉及深海采矿环境影响监测技术领域，且公开了一种深海海底漂浮沉积物再沉降测量装置。深海采矿活动引发海底沉积物扰动再漂浮并再沉降过程会掩埋或半掩埋底栖生物，对深海底栖生物个体产生影响，包括物种死亡、基因表达变化、生物体重金属含量变化等，从而改变深海底栖生物多样性、群落结构以及空间分布格局等目前尚无一款装置或设备能够对深海海底扰动沉积物再沉积的厚度进行测量以及再沉积沉积物的采集。该装置包括沉积物堆积测量座、红外测距仪本体和采集筒，其中沉积物堆积测量座的顶部设有沉积物收集筒本体，沉积物收集筒本体的顶端固定连接有漏斗，红外测距仪本体和沉积物收集筒本体通过位置调节机构连接。
一种深海海底漂浮沉积物沉降测量装置

[发明专利]环形水槽模拟风浪扰动下水下沉积物再悬浮的方法及装置-CN200710025671.3无效
发明人：王超;王沛芳;侯俊 -专利权人：河海大学
申请日： 2007-08-13 - 公布日： 2008-01-23 - 主分类号： G09B25/00 文献下载
摘要：本发明是环形水槽模拟风浪扰动下水下沉积物再悬浮的方法，将未扰动采集的沉积物置于环形水槽底部，在沉积物上种植沉水植物并上覆水体；通过多台鼓风机联合使用模拟不同风强施加于上覆水体，使其产生水流运动，并通过调整鼓风口的位置及其与上覆水面的夹角使得水槽内流场基本均匀，水槽底部的沉积物在水动力作用下发生再悬浮，实现对有沉水植物生长的湖泊和河流等水体中不同强度风浪扰动下沉积物再悬浮的模拟。优点：真实模拟有沉水植物生长的湖泊、河流等天然水体中，不同强度的风浪扰动下水体产生流场运动进而引起沉积物再悬浮的过程，在沉积物再悬浮相对稳定条件下进行不同深度水体样品采集，满足风浪扰动－流场运动－沉积物再悬浮间定量关系的研究需求
环形水槽模拟风浪扰动下水沉积物悬浮方法装置

[发明专利]一种去除MEMS传感器之再沉积聚合物的方法-CN201410098538.0有效
发明人：张振兴;熊磊 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2014-03-17 - 公布日： 2014-08-06 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：一种去除MEMS传感器之再沉积聚合物的方法，包括：步骤S1：对沉积在所述硅基衬底上的氮化钽层进行刻蚀；步骤S2：对所述光阻层进行灰化处理；步骤S3：对所述光阻层进行湿法剥离；步骤S4：对所述再沉积聚合物进行离子束刻蚀本发明去除MEMS传感器之再沉积聚合物的方法通过先后对所述再沉积聚合物进行0°＜α＜30°的Ar离子束刻蚀和对所述NiFe层进行90°＜β＜150°的Ar离子刻蚀，便可有效的去除所述MEMS传感器在制造过程中形成的再沉积聚合物
一种去除 mems 传感器沉积聚合物方法

[发明专利]一种激光直接沉积再制造壳体孔滚压凹槽的工艺方法-CN202111207005.8在审
发明人：张国会;孙兵兵;秦仁耀;高超 -专利权人：中国航发北京航空材料研究院
申请日： 2021-10-15 - 公布日： 2022-02-01 - 主分类号： B22F10/22 文献下载
摘要：本发明涉及一种激光直接沉积再制造壳体孔滚压凹槽的工艺方法，属于激光加工技术领域。该方法主要针对的是材料强度为160‑1275MPa的带有轴承孔的壳体类零件，选用沉积成形性好，延展性优良，与母材成分接近的粉末作为沉积材料，采用合理的激光直接沉积工艺参数，对壳体孔边缘进行材料再制造。沉积后母材与再制造层无裂纹缺陷，再制造孔边缘余量充足，经滚压收口后可有效固定轴承边缘。采用该发明再制造壳体轴承孔的滚压凹槽，可在飞机、舰船等特种装备检修时，实现重复装配带有轴承的壳体零件，并保证合理固定。
一种激光直接沉积制造壳体孔滚压凹槽工艺方法

[发明专利]一种用于深海采矿的羽状流再沉积监测装置-CN202211217228.7在审
发明人：张文全;高祥兴;王洪亮;李超;高伟 -专利权人：国家深海基地管理中心
申请日： 2022-10-02 - 公布日： 2022-12-16 - 主分类号： F16M11/04 文献下载
摘要：本发明涉及深海采矿技术领域，且公开了一种用于深海采矿的羽状流再沉积监测装置，解决了不便于对深海采矿前后的羽状流再沉积厚度进行监测，直接通过摄像头进行采集数据时，不能精准的了解羽状流再沉积厚度数值的问题，其包括沉积物覆盖底座，所述沉积物覆盖底座的上方设有丝杠，沉积物覆盖底座上设有与丝杠相配合的旋转驱动机构，丝杠的两侧分别设有第一定位柱，第一定位柱的底端和沉积物覆盖底座固定连接，沉积物覆盖底座的上方设有旋转套，旋转套内设有两个升降盘，丝杠和第一定位柱分别贯穿两个升降盘，丝杠和升降盘的连接方式为螺纹连接；可以直观准确的了解羽状流再沉积厚度的数值，操作步骤简单便捷。
一种用于深海采矿羽状流再沉积监测装置

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