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[发明专利]MEMS谐振式压力传感器及制造工艺-CN201410322940.2有效
发明人：赵大国;马清杰;王赞 -专利权人：中航（重庆）微电子有限公司
申请日： 2014-07-08 - 公布日： 2018-05-25 - 主分类号： G01L1/14 文献下载
摘要：本发明提供了MEMS谐振式压力传感器制造工艺，本发明中的谐振子采用硅‑硅键合来实现谐振叶片与压力敏感膜的制备，且上极板采用硅穿孔结构实现静电激励和电容拾振，同时谐振子与上极板之间采用共晶键合方法，这样不但降低了工艺难度，减小了芯片面积，而且谐振子与上极板之间的共晶键合整合工艺更简单，不需要玻璃浆料涂布的丝网印刷设备，而且使得器件精度和一致性更高。
上极板谐振子谐振式压力传感器共晶键合制造工艺丝网印刷设备硅穿孔结构压力敏感膜谐振玻璃浆料工艺难度静电激励电容硅键合减小整合制备叶片芯片

[发明专利]有机无机复合耐磨减摩涂层在聚醚醚酮表面防护中的用途-CN202211312397.9在审
发明人：柯培玲;蒋先春;郭鹏;汪爱英;陈仁德;王丽 -专利权人：中国科学院宁波材料技术与工程研究所
申请日： 2022-10-25 - 公布日： 2022-12-23 - 主分类号： C08J7/12 文献下载
摘要：所述有机无机复合耐磨减摩涂层为沉积于聚醚醚酮表面的硅氧共掺杂非晶碳有机无机复合涂层，所述有机无机复合耐磨减摩涂层中硅的原子百分比含量为3.0‑8.0at.本发明通过硅氧共掺杂对非晶碳涂层进行改性，不仅提升了涂层与PEEK基体间的结合力，还使PEEK表面力学性能显著提升、摩擦寿命延长、润滑性增强；此外，由于非晶碳涂层中引入硅与氧元素，涂层韧性提升，减少了裂纹产生
有机无机复合耐磨涂层聚醚醚酮表面防护中的用途

[发明专利]再生铝硅系合金材料的生产工艺-CN201310276593.X有效
发明人：袁晓东 -专利权人：袁晓东
申请日： 2013-07-02 - 公布日： 2013-09-11 - 主分类号： C22C1/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种再生铝硅系合金材料的生产工艺，包括配料、熔化搅拌、熔硅、精炼工序以及浆化工序，浆化工序是将精炼所得到的铝硅系合金熔液的温度控制在其共晶温度±35℃内进行电磁搅拌，直至铝硅系合金熔液的固体质量分数为本发明能够有效破碎、细化晶枝，提高了再生铝硅系合金材料的综合性能。
再生铝硅系合金材料生产工艺

[发明专利]一种纳米多级孔MOR/MTW共晶分子筛及其制备方法和应用-CN202111238049.7有效
发明人：冯刚;刘清华;张荣斌;文志辉 -专利权人：南昌大学
申请日： 2021-10-25 - 公布日： 2023-01-03 - 主分类号： C01B39/44 文献下载
摘要：本发明一种纳米多级孔MOR/MTW共晶分子筛及其制备方法和应用，该共晶分子筛中包含1.0％～99.99％的MTW结构分子筛，其余为MOR结构分子筛；纳米多级孔共晶分子筛中Si/Al原子比为1～7000∶1；纳米多级孔MOR/MTW分子筛粒径在20～1000nm；纳米多级孔MOR/MTW共晶分子筛中介孔体积/微孔体积的值约为1.0～10.0∶1。本发明通过利用有序合成法，首先制备出MOR分子筛的溶液，再将其与硅源、铝源、水、模板剂、表面活性剂等混合，置于110～200℃下晶化0.5～100天，经洗涤、烘干、焙烧等步骤，得到含纳米多级孔MOR/MTW共晶分子筛。本发明制备方法克服了现有技术无法制备和提供纳米多级孔MOR/MTW共晶分子筛的问题，该共晶分子筛在精细化工、煤化工、石油化工等领域的催化与吸附分离等方面具有广泛的应用前景。
一种纳米多级 mor mtw 分子筛及其制备方法应用

[发明专利]一种用磺基水杨酸制备近共晶铝硅合金阳极氧化膜的方法-CN201610543354.X有效
发明人：黄宏军;李双双;左晓姣;董福宇;袁晓光 -专利权人：沈阳工业大学
申请日： 2016-06-29 - 公布日： 2018-11-27 - 主分类号： C25D11/10 文献下载
摘要：一种用磺基水杨酸制备近共晶铝硅合金阳极氧化膜的方法，其特征在于经过表面除污、碱性腐蚀、化学抛光等预处理，之后采用硫酸140～160g/L、硫酸铝2～4g/L、硫酸镍2～4g/L、草酸4～10g/L、酒石酸本发明的有益之处在于：本发明的一种用磺基水杨酸制备近共晶铝硅合金阳极氧化膜的方法提高了成膜速度、常温氧化、能耗低，而且所制备的近共晶铝硅合金阳极氧化膜的孔致密均匀，硬度较高，耐蚀性能好。
一种用磺基水杨酸制备近共晶铝硅合金阳极氧化方法

[发明专利]一种适于亚共晶铝硅合金的高效细化变质方法及压铸件-CN202211581028.X有效
发明人：李龙飞;陈蕴博;左玲立;张洋;李春明;陈林;赵薛生;张兆瑞 -专利权人：北京机科国创轻量化科学研究院有限公司;智迈德股份有限公司
申请日： 2022-12-09 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： C22C1/03 文献下载
摘要：本发明涉及一种适于亚共晶铝硅合金的高效细化变质方法及压铸件，所述的方法包括如下步骤：(1)将原料烘干备用；(2)将原料加热熔化，保温处理后加入铝稀土中间合金，搅拌；(3)将步骤(2)制备的熔体进行除气处理再除去表面浮渣，静置后再除去表面浮渣；(4)将步骤(3)制备的熔体降温，送至温度为100～120℃的压室进行一次激冷，再压入温度为150～250℃的模具内二次激冷，成形，保压，取出铸件，淬水，得到初生铝充分细化和共晶硅有效变质的压铸件本发明的方法简单实用，操作过程安全、稳定、稀土烧损小、成功率高，可以显著细化和变质亚共晶铝硅合金粗大组织，提高合金的力学性能和塑性指标。
一种适于亚共晶铝硅合金高效细化变质方法压铸

[实用新型]一种高可靠功率器件共晶硅背面金属化结构-CN201521025203.2有效
发明人：黄赛琴;林勇;黄国灿;陈轮兴 -专利权人：福建安特微电子有限公司
申请日： 2015-12-11 - 公布日： 2016-08-31 - 主分类号： H01L23/488 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种高可靠功率器件共晶硅背面金属化结构，包括共晶硅芯片、粘附层、过渡层、焊接层、焊料和焊接铜框架，所述粘附层通过磁控溅射法溅射在共晶硅芯片的背面上，所述焊接层通过电子束蒸发工艺镀膜在过渡层上
一种可靠功率器件共晶硅背面金属化结构

[发明专利]一种过共晶铝硅合金连铸过程中的熔体处理装置-CN201911249666.X在审
发明人：朱鑫涛;赵宝解 -专利权人：泰州市金鹰精密铸造有限公司
申请日： 2019-12-09 - 公布日： 2020-02-07 - 主分类号： B22D11/116 文献下载
摘要：本发明属于金属材料制备应用技术领域，具体公开了一种过共晶铝硅合金连铸过程中的熔体处理装置，由熔池组件，及与熔池组件相配合使用的电磁搅拌组件组成。本发明的的有益效果在于：粉状或粒状变质剂产生大量的“异质”形核质点，作为初生硅的结晶的“核心”，提高初生硅的有效形核率，细化初生硅，改变初生硅的形貌，细化了初晶硅组织，减小变质剂用量，降低了成本；电磁搅拌器和气流搅动合金熔体，促进变质剂快速弥散强化的同时，可促进合金熔体温度场和成分场也更加均匀；与喷粉装置连接喷粉管的设置避免电磁场的趋肤效应的影响，电磁场的分布更加均匀，合金熔体温度场和成分场更加均匀，有利于获得高品质的过共晶铝硅合金坯料
合金熔体变质剂过共晶铝硅合金电磁场温度场熔池细化形貌金属材料制备熔体处理装置应用技术领域初晶硅组织电磁搅拌器电磁搅拌连铸过程弥散强化喷粉装置趋肤效应形核质点高品质喷粉管搅动减小坯料形核异质

[实用新型]一种过共晶铝硅合金连铸过程中的熔体处理装置-CN201922183419.6有效
发明人：朱鑫涛;赵宝解 -专利权人：泰州市金鹰精密铸造有限公司
申请日： 2019-12-09 - 公布日： 2020-07-14 - 主分类号： B22D11/116 文献下载
摘要：本实用新型属于金属材料制备应用技术领域，具体公开了一种过共晶铝硅合金连铸过程中的熔体处理装置，由熔池组件，及与熔池组件相配合使用的电磁搅拌组件组成。本实用新型的的有益效果在于：粉状或粒状变质剂产生大量的“异质”形核质点，作为初生硅的结晶的“核心”，提高初生硅的有效形核率，细化初生硅，改变初生硅的形貌，细化了初晶硅组织，减小变质剂用量，降低了成本；电磁搅拌器和气流搅动合金熔体，促进变质剂快速弥散强化的同时，可促进合金熔体温度场和成分场也更加均匀；与喷粉装置连接喷粉管的设置避免电磁场的趋肤效应的影响，电磁场的分布更加均匀，合金熔体温度场和成分场更加均匀，有利于获得高品质的过共晶铝硅合金坯料
一种共晶铝硅合金过程中的处理装置

[发明专利]一种亚共晶铸造铝硅合金变质工艺-CN201210158673.0无效
发明人：刘云;张文达;李传大;党惊知;白培康;任霁萍 -专利权人：中北大学
申请日： 2012-05-22 - 公布日： 2012-09-19 - 主分类号： C22C1/03 文献下载
摘要：本发明公开了一种亚共晶铸造铝硅合金变质工艺，1)按亚共晶铸造铝硅合金成分配料；2)将合金及中间合金清洗干燥后放入功率为5kW的坩埚电阻炉中，加热完全熔化后，熔体温度控制在700±5℃；3)采用预热温度为中间合金，待其熔化完毕后，采用旋转喷吹高纯氩气的方式进行精炼处理15min，后静置10-20min后扒渣；5)将步骤4)得到的熔体降温至680℃-700℃浇入砂型，然后随模冷却到室温，得到含纤维状和短棒状共晶Si的铸态组织；6)将步骤5)得到的铸件按T6热处理工艺进行热处理，得到的颗粒状共晶硅组织和良好的力学性能。
一种亚共晶铸造合金变质工艺

[发明专利]一种过共晶铝硅合金铸件半固态流变挤压铸造工艺及装置-CN200810058112.7无效
发明人：周荣;卢德宏;蒋业华 -专利权人：昆明理工大学
申请日： 2008-02-22 - 公布日： 2008-07-30 - 主分类号： B22D18/02 文献下载
摘要：本发明提供一种过共晶铝硅合金半固态流变挤压铸造工艺及装置，属于金属材料半固态成形技术领域。所述工艺包括：熔炼合金金属液，采用电磁搅拌方法制备过共晶铝硅合金半固态浆料，将浆料浇入一个温度在610℃～630℃的保温炉中储存，然后利用一个定量保温杯，将所述浆料浇入预热到150℃～250℃的模具中，实现了过共晶铝硅合金制品的半固态连续流变挤压铸造，不仅提高了材料的利用率，减少加工余量，降低能耗，同时初生Si的颗粒获得了细化，共晶组织获得了细化和球化，铸件整体组织较为致密，铸件表面质量高，本工艺简单
一种共晶铝硅合金铸件固态流变挤压铸造工艺装置

[发明专利]一种钛硅共掺杂非晶碳氮复合薄膜的制备方法-CN202111019565.0有效
发明人：周兵;刘竹波;王永胜;马永;吴艳霞;高洁;黑鸿君;于盛旺 -专利权人：太原理工大学
申请日： 2021-09-01 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明公开了一种钛硅共掺杂非晶碳氮复合薄膜的制备方法，首先将基体材料用金刚石微粉超声预处理后固定在真空镀膜室的旋转样品台上，调节基体与溅射靶之间距离；将镀膜室抽至本底真空后通入惰性气体或氮气，对基体表面进行离子溅射清洗；然后以高纯铬或硅靶作为脉冲直流磁控溅射的阴极靶材，在基体表面制备铬或硅薄膜缓冲层；最后以高纯钛柱、硅柱和石墨盘镶嵌组成的复合靶作为射频磁控溅射的阴极靶材，同时通入氩气、甲烷和氮气，在缓冲层表面制备钛硅共掺杂的非晶碳氮复合薄膜本发明实现了非晶碳氮薄膜中的钛硅含量可调、非晶碳氮相、氮化硅相以及纳米晶石墨相和氮化物相的结构可控，得到的复合薄膜具有高硬度、高模量和低磨损率。
一种钛硅共掺杂非晶碳氮复合薄膜制备方法

[发明专利]太阳能电池组件用多晶硅片的制备方法-CN201810991724.5在审
发明人：孟静 -专利权人：孟静
申请日： 2018-08-29 - 公布日： 2018-12-18 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：所述方法在制备多晶硅棒的过程中，首先通过钛‑硅合金熔体的硅与二硅化钛的多次共晶定向凝固及等离子熔炼去除硅熔体中的碳、硼、磷等元素，然后进一步通过铝‑硅合金熔体的铝与硅的多次共晶定向凝固及真空电子束熔炼去除钛、铁等元素，然后通过对多晶硅的提拉实现再次提纯，通过上述三步实现太阳能级多晶硅的提纯，能够去除多晶硅中的多种杂质，制备的多晶硅棒的纯度较高，因此，制备的所述多晶硅片的纯度较高，从而提高了太阳能电池组件的光电转换效率
制备多晶硅片太阳能电池组件去除定向凝固多晶硅棒多晶硅硅合金提纯共晶熔体太阳能级多晶硅真空电子束熔炼光电转换效率制备方法技术等离子熔炼二硅化钛硅熔体提拉

[发明专利]一种汽缸套用铝硅合金及制备工艺-CN201910222860.2有效
发明人：陈永禄;洪丽华 -专利权人：福建工程学院
申请日： 2019-03-22 - 公布日： 2020-08-18 - 主分类号： C22C21/04 文献下载
摘要：本发明公开一种汽缸套用铝硅合金及制备工艺，所述铝硅合金中的各成分及质量百分比：Si：12~15%，Cu：1~5%，Ni：1~4%，Mg：0.5~2.5%，Sr：0.01~0.1%，混合稀土元素RE：0.1本发明以接近共晶点硅含量的铝硅合金为基体，仅有选择性地加入Cu、Ni、Mg等元素，简化合金相的变质工艺并减弱合金相对基体的割裂作用。由于硅含量低，初晶硅相数量少且小，且采用压力铸造成型工艺（（如：挤铸、普通压铸、低压铸造等）），增大硅在α‑Al中的固溶度，采用Sr/RE复合变质剂对共晶硅和合金相进行变质，综合提升铝硅合金的性能，结合优化的
一种汽缸套用合金制备工艺

[发明专利]高强耐热过共晶铝硅合金及其制备方法-CN200910011736.8有效
发明人：李润霞;袁晓光;曲迎东;陈玉金;李荣德 -专利权人：沈阳工业大学
申请日： 2009-05-27 - 公布日： 2009-10-21 - 主分类号： C22C21/02 文献下载
摘要：一种高强耐热过共晶铝硅合金，属于冶金技术领域，其成分按重量百分比为硅17.0～19.0％，铜1.0～2.0％，镁0.3～0.7％，镍0.5～1.0％，铁0.5～1.0％，锰0.3～0.7％，锆0～0.4本发明的方法工艺简单，成本低；本发明制备的过共晶Al-Si合金的高温力学性能均高于现有的国内外其它牌号的过共晶Al-Si活塞合金。
高强耐热共晶铝硅合金及其制备方法