专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]管路及涂布设备-CN201610885970.3在审
  • 凌意明;周孟兴;韩玉龙;王琦 - 上海华虹宏力半导体制造有限公司
  • 2016-10-10 - 2016-12-21 - H01L21/67
  • 本发明提供一种管路,包括:存储箱、喷嘴和延长管,所述存储箱存储溶液,所述喷嘴的一端连接所述存储箱,所述喷嘴喷出溶液,所述延长管具有相互连接的滞存部和排出部,所述滞存部远离所述排出部的一端连接所述喷嘴,所述滞存部滞存溶液。本发明提供的管路及涂布设备,通过延长管具有的滞存部滞存溶液,为溶液提供一个较为湿润的环境,从而防止溶液喷嘴产生结晶,降低了由于解决结晶问题而导致的损耗,进而降低了生产成本,
  • 管路光阻涂布设
  • [实用新型]薄形成形系统及薄形成形设备-CN202120102252.0有效
  • 林刘恭 - 光群雷射科技股份有限公司
  • 2021-01-14 - 2021-10-01 - B05C5/02
  • 本实用新型公开了薄形成形系统及薄形成形设备。薄形成形系统用来对转印滚轮的外表面喷涂层,其包括:雾化腔室;及薄形成形设备,设置于雾化腔室中,薄形成形设备包含:滚轮固定装置;及雾化装置,邻近滚轮固定装置设置,且雾化装置包含至少一个雾化器以及对应至少一个雾化器设置的溶液槽;其中,溶液槽中容纳有水性溶液,并且至少一个雾化器用来朝向所述雾化腔室雾化水性溶液。本实用新型的有益效果在于,薄形成形系统及薄形成形设备能通过“雾化装置用来使雾化的水性溶液在外表面上形成层”的技术方案,减少层在外表面上形成的时间和层的厚度。
  • 薄形光阻成形系统设备
  • [发明专利]降低硅凹陷的去除工艺-CN201310613082.2有效
  • 李芳;刘文燕;方精训 - 上海华力微电子有限公司
  • 2013-11-26 - 2014-05-28 - H01L21/311
  • 本发明公开了一种降低硅凹陷的去除工艺,在对衬底表面的进行去除时,采用洗净溶液对所述衬底表面的进行湿法去除工艺去除,其中,所述洗净溶液包括H2SO4溶液和H2O2溶液,预先加热H2SO4溶液至其温度高于150℃,然后向光喷洒温度高于150℃的H2SO4溶液的同时,向光喷洒H2O2溶液。采用本发明的去除工艺,可以有效降低硅凹陷,减少掺杂损耗,从而可以制成稳定且性能较高的半导体器件,且该工艺简单可控,能够满足工艺的需求,同时降低了生产成本。
  • 降低凹陷去除工艺
  • [发明专利]一种使用剥离法形成金属图案的方法-CN200910106985.5无效
  • 杨坤进;杨康;陈汝钦 - 世纪晶源科技有限公司
  • 2009-05-18 - 2010-11-24 - H01L21/768
  • 本发明涉及化合物半导体领域,提供一种使用剥离法形成金属图案的方法,其是在衬底上涂覆正光;再对已经涂好的衬底进行软烤,并对已经软烤完成的进行全面曝光;再完成全面曝光的衬底进行曝光后烘烤;使用显影液对上述衬底进行显影,使上述的已经涂覆的两层产生底切结构;使用物理气相沉积法在正光衬底上沉积一层金属薄膜;使用一般去溶液将该溶解,上面的金属将从衬底掀离,从而在衬底形成精细的图案。该方法使用双层正光通过光刻技术形成具有底切结构剖面,使后续所沉积金属在图案边缘出产生不连续,在溶液中使溶解而将金属掀离,从而形成精细的金属图案。
  • 一种使用剥离形成金属图案方法
  • [发明专利]墙及其制备方法-CN201110002459.1有效
  • 施林波;王晔晔 - 昆山西钛微电子科技有限公司
  • 2011-01-07 - 2012-07-18 - G03F7/00
  • 本发明公开了一种双墙及其制备方法,主要包括玻璃清洗、涂布光刻胶、曝光、显影和烘烤等步骤,在曝光步骤采用双罩,曝光能量为800~1000mJ/cm2;显影步骤采用10~11g/L的Na2CO3溶液,显影3~5min。利用该方法所得墙包括若干个双墙单元,双墙单元包括内墙、外墙和切割道,外墙设于内墙的外围,切割道设于内墙和外墙之间。该双墙可有效增加与晶圆的胶合面积,并可减少溢胶及胶不均匀导致的气泡无胶风险。
  • 双光阻墙及其制备方法
  • [实用新型]一种半导体喷涂装置-CN202223272590.2有效
  • 黄晨 - 杭州富芯半导体有限公司
  • 2022-12-06 - 2023-08-01 - B05B15/25
  • 本公开提供了一种半导体喷涂装置,包括:用于对晶圆喷涂剂的喷嘴;用于不断向所述喷嘴提供溶液的缓冲罐,所述缓冲罐与所述喷嘴相连;用于储存剂并向所述缓冲罐添加剂的瓶;以及用于去除向所述缓冲罐添加剂过程中产生的气泡的气泡去除机构,所述气泡去除机构连接在所述缓冲罐与所述瓶之间。本公开的半导体喷涂装置,在剂补充进搅拌筒后,通过气泡去除机构去除气泡,有利于喷涂的顺利进行,并能够降低喷涂过程中产生上光不良或者膜厚异常现象的几率。
  • 一种半导体喷涂装置

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