专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]光量子点薄膜电致发光器件及其制备方法-CN201610213374.0有效
  • 曹进;周洁;谢婧薇;魏翔;俞浩健 - 上海大学
  • 2016-04-07 - 2018-04-13 - H01L51/50
  • 本发明公开了一种蓝光量子点薄膜电致发光器件及其制备方法,包括依次层叠的基底、阳极、空穴注入层、空穴传输层、蓝光量子点发光层、蓝光能量传递层、电子传输层、电子注入层以及阴极;所述蓝光量子点发光层的厚度为8nm这种蓝光量子点薄膜电致发光器件,首先采用厚度为8nm~15nm的蓝光量子点发光层,从而使得蓝光量子点发光层形成不完全连续薄膜,使得空穴可部分穿过蓝光量子点发光层而不在蓝光量子点发光层与空穴传输层界面过多积累,激子在蓝光能量传递层形成后通过能量传递的方式再到达蓝光量子点发光层上使其发光,解决蓝光量子点薄膜电致发光器件的空穴注入势垒较高的问题。
  • 光量子薄膜电致发光器件及其制备方法
  • [实用新型]一种量子点封装膜-CN201921651562.7有效
  • 龚文;张雨晨;邵鹏睿 - 深圳市晶台股份有限公司
  • 2019-09-29 - 2020-05-15 - H01L33/50
  • 本实用新型涉及LED封装技术领域,更具体的说是涉及一种量子点封装膜,包含有透明基材和像素格栅,所述像素格栅设置在所述透明基材上并且将所述透明基材分隔成若干个像素单元,然后依次在若干个所述像素单元内喷涂红光量子点、绿光量子点以及蓝光量子点,分别形成红光量子点区、绿光量子点区以及蓝光量子点区,最后通过烘烤形成LED量子点封装膜。该量子点封装膜可以有效的提高LED显示光源的性能,实现真正的量子点显示。
  • 一种量子封装
  • [发明专利]一种量子点发光二极管及其制备方法-CN201611004082.2有效
  • 钱磊;杨一行;曹蔚然;向超宇 - TCL集团股份有限公司
  • 2016-11-15 - 2019-03-19 - H01L51/50
  • 本发明公开一种量子点发光二极管及其制备方法,其包括步骤:所述量子点发光二极管从下而上依次包括衬底、底电极、空穴注入层、空穴传输层、混合蓝光量子点发光层、电子传输层及顶电极;所述混合蓝光量子点发光层包含至少两种发光波长的蓝光量子点本发明将具有不同发光峰位的蓝光量子点混合优化,主要是将具有高量子产额的短波蓝光量子点和长波蓝光量子点混合,并通过优化混合比例和匹配的发光峰位,获得高显示指数和高电流效率的蓝光QLED器件。本发明还可通过将具有不同半高峰宽的蓝光量子点混合,得到发光颜色适合的蓝光量子点,同时可通过调节半高峰宽得到更高效的蓝光QLED器件。
  • 一种量子发光二极管及其制备方法
  • [发明专利]光量子点二极管元件、背光模块及照明装置-CN202010267688.5在审
  • 陈学仕 - 陈学仕
  • 2020-04-08 - 2021-10-12 - H01L51/50
  • 本发明主要揭示一种白光量子点二极管元件,其包括:一透明基板、一阳极层、一电洞注入层、一电洞传输层、一量子点发光层、一电子传输层、以及一阴极层。特别地,本发明令所述量子点发光层包含多颗黄光量子点和多颗蓝光量子点,其中该多颗黄光量子点和该多颗蓝光量子点具有范围介于1:4至1:8之间的一混合比例。实验数据指出,通过调控该多颗黄光量子点的含量,能够令本发明的白光量子点二极管元件发出不同色温的白光,例如:冷白光、纯白光、或暖白光。另一方面,通过调控驱动电压亦能够控制本发明的白光量子点二极管元件发出冷白光、纯白光、或暖白光。
  • 白光量子二极管元件背光模块照明装置
  • [发明专利]一种QLED器件-CN201711460056.5有效
  • 张珈铭;曹蔚然 - TCL科技集团股份有限公司
  • 2017-12-28 - 2021-01-12 - H01L51/50
  • 本发明提供一种QLED器件,所述QLED器件包括发光层,其在,所述发光层由蓝光量子点材料层A和黄光量子点材料层B按照[ABA]n的方式层叠形成,n为1‑3,其中,所述蓝光量子点材料与所述黄光量子点材料的价带差为0,所述蓝光量子点材料导带能级比所述黄光量子点材料的导带能级高至少0.5eV。通过在发光层中引入单带差超晶格结构提高量子点的复合效率和器件的发光纯度,避免量子点层电荷的累积。
  • 一种qled器件

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