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[发明专利]一种薄膜、光电器件的制备方法、光电器件及显示装置-CN202210102608.X在审
发明人：敖资通;张建新;严怡然;洪佳婷 -专利权人： TCL科技集团股份有限公司
申请日： 2022-01-27 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： H10K50/844 文献下载
摘要：本申请公开一种薄膜、光电器件的制备方法、光电器件及显示装置。光电器件的制备方法，包括如下步骤：将含羧基的NPB前驱体和含氨基的交联剂混合均匀，得到混合液；提供基板，所述基板上形成有从上至下依次层叠设置的顶电极、发光层和底电极，采用混合液在基板的顶电极上制备封盖薄膜前驱体与含氨基的交联剂进行交联反应，在基板的顶电极上形成具有交联结构的NPB薄膜，交联结构的NPB薄膜具有体型分子结构，更好的耐溶剂性以及抗水氧性，可以阻止水氧透过薄膜在薄膜下面的结构层产生不可控的原位反应而降低光电器件可靠性，因此，本制备方法可以提高光电器件的抗水氧性能，从而可以提高光电器件可靠性。
一种薄膜光电器件制备方法显示装置

[发明专利]一种适用于曲面外形光电器件的热电制冷装置-CN201210563500.7无效
发明人：杨文刚;王晨洁;王英豪;李燕;张健;樊学武 -专利权人：中国科学院西安光学精密机械研究所
申请日： 2012-12-21 - 公布日： 2013-05-08 - 主分类号： F25B21/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种适用于曲面外形光电器件的热电制冷装置，包括换热器、多个制冷单元，还包括包覆在被制冷光电器件上的两个相对扣合的适配器，适配器的材料为高热导率材料；两个相对扣合的适配器内表面与被制冷光电器件的曲面外形相适配本发明在换热器与被制冷光电器件之间添加一对适配器，只要适配器的内表面与曲面外形光电器件外侧面相匹配，就能够满足不同曲面外形光电器件在各种使用场合的制冷需求，制冷效率高。
一种适用于曲面外形光电器件热电制冷装置

[实用新型]一种电池组件封装结构及电池组件-CN201820959064.8有效
发明人：张雨;张鹏举 -专利权人：汉能新材料科技有限公司
申请日： 2018-06-21 - 公布日： 2019-04-23 - 主分类号： H01L31/048 文献下载
摘要：本实用新型实施例公开了一种电池组件封装结构及电池组件，其中，所述电池组件封装结构包括：基板；位于所述基板上的缓冲层，所述缓冲层上形成有凹槽结构；位于所述缓冲层上远离所述基板一侧的光电器件，所述凹槽结构在所述基板上的垂直投影围绕所述光电器件在所述基板上的垂直投影位于所述缓冲层上远离所述基板一侧的阻挡层，所述阻挡层覆盖所述光电器件的上表面，并沿所述光电器件的侧面延伸至所述凹槽结构内。本实用新型实施例的技术方案，阻挡层延伸至缓冲层的凹槽结构内，保证阻挡层完全包覆光电器件的上表面和侧面，有效阻止水汽从电池组件的侧面进入光电器件内部，增强电池组件的水汽阻隔能力，提升电池组件的封装效果。
光电器件基板电池组件缓冲层凹槽结构阻挡层电池组件封装本实用新型垂直投影上表面侧面延伸水汽阻隔完全包覆侧面水汽封装延伸覆盖保证

[实用新型]一种适用于曲面外形光电器件的热电制冷装置-CN201220716660.6有效
发明人：杨文刚;王晨洁;王英豪;李燕;张健;樊学武 -专利权人：中国科学院西安光学精密机械研究所
申请日： 2012-12-21 - 公布日： 2013-08-14 - 主分类号： F25B21/02 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种适用于曲面外形光电器件的热电制冷装置，包括换热器、多个制冷单元，还包括包覆在被制冷光电器件上的两个相对扣合的适配器，适配器的材料为高热导率材料；两个相对扣合的适配器内表面与被制冷光电器件的曲面外形相适配本实用新型在换热器与被制冷光电器件之间添加一对适配器，只要适配器的内表面与曲面外形光电器件外侧面相匹配，就能够满足不同曲面外形光电器件在各种使用场合的制冷需求，制冷效率高。
一种适用于曲面外形光电器件热电制冷装置

[发明专利]用于光电模块的副支架以及利用该支架的封装方法-CN02104654.9无效
发明人：金星一;林钟元;金海千 -专利权人：韩国电子通信研究院
申请日： 2002-02-10 - 公布日： 2003-06-04 - 主分类号： H01L23/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种用于光电模块的副支架，该光电模块用于将从光电器件入射的光线作为电信号输出。副支架包括介电材料和互连线路。介电材料具有带前表面和底面的多边形形状。互连线路固定到介电材料前表面和底面上。互连线路具有共面波导结构，并电连接到光电器件上，以便输出来自光电器件的信号。
用于光电模块支架以及利用封装方法

[发明专利]光电器件-CN201611264440.3在审
发明人：林岳明 -专利权人：苏州爱彼光电材料有限公司
申请日： 2016-12-30 - 公布日： 2017-04-26 - 主分类号： H01L31/0392 文献下载
摘要：本发明涉及一种光电器件，其包括复合衬底，包括硅衬底层以及键合在所述硅衬底层上的蓝宝石衬底层；器件主体结构，形成所述蓝宝石衬底层上；以及驱动芯片，位于所述硅衬底层远离所述蓝宝石衬底层的一侧。上述光电器件，采用蓝宝石衬底层与硅衬底层键合而成的复合衬底，这样可以在蓝宝石衬底层上生长高质量的外延层(例如高质量的氮化镓层)，从而有利于获得高质量的器件主体结构，进而有利于制造出性能优异的光电器件；同时该复合衬底的硅衬底层，可以满足大尺寸主流生产线的需求，与现有的硅衬底工艺兼容；另外，还避免使用大尺寸的蓝宝石片，可以有效降低光电器件的成本。
光电器件

[发明专利]光电器件-CN201980090655.3在审
发明人：弗雷德里克·马耶尔;弗雷德里克·梅西埃;伊万-克里斯多夫·罗宾;泽维尔·于贡 -专利权人：艾利迪公司
申请日： 2019-12-19 - 公布日： 2021-09-10 - 主分类号： H01L25/075 文献下载
摘要：本描述涉及一种光电器件(100)，该光电器件包括集成电路，该集成电路包括发光二极管(104)、薄膜晶体管(110)、和电绝缘层的堆叠(126)，所述堆叠(126)位于发光二极管(104)和晶体管(110
光电器件

[发明专利]光电器件-CN202010376028.0在审
发明人：赵庆相 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2020-05-06 - 公布日： 2021-05-11 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：公开了一种光电器件，包括量子点核和设置在量子点核的表面的至少一部分上的中间物，从而将入射在光电器件上的光能转换成电能。
光电器件

[发明专利]光电器件-CN202010241133.3在审
发明人：长瀬健司;田家裕 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2020-03-31 - 公布日： 2021-10-01 - 主分类号： G02F1/03 文献下载
摘要：本发明提供一种光电器件，其具备：基板；设置于所述基板上的规定区域并由铌酸锂或铌酸钽形成的光波导膜；缓冲层，与所述光波导膜邻接而形成；以及电极，对所述光波导膜施加电场，在所述规定区域外具备未透光的光波导膜根据本发明的光电器件，能够抑制光的传播损耗。
光电器件

[发明专利]光电器件-CN202010241143.7在审
发明人：长瀬健司;田家裕;宫田晋吾 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2020-03-31 - 公布日： 2021-10-01 - 主分类号： G02F1/035 文献下载
摘要：本发明提供一种光电器件，其具备：基板；光波导，由在所述基板上以脊状形成的光电材料膜构成；缓冲层，覆盖所述光波导而设置；以及上部电极，经由所述缓冲层设置于所述光波导上，所述缓冲层在所述光波导上的所述上部电极侧具有凹陷根据本发明的光电器件，能够抑制光的传播损耗。
光电器件

[发明专利]光电器件-CN202080029334.5在审
发明人：约科·朗;马留卡·图奥米宁;约翰尼·达尔;维森特·阿隆索 -专利权人：康普泰克解决方案公司
申请日： 2020-05-29 - 公布日： 2021-12-21 - 主分类号： H01L33/44 文献下载
摘要：本发明涉及一种光电子器件(100、200、250、260、300)，其包括具有第一表面平面(112、212、105)和与第一个表面平面相对并平行的第二平面(214)的衬底层(110,210,310,107该器件还包括布置在衬底层第一表面平面上的台面结构(120、220、320、820、103、123、133)。该器件还包括布置在台面结构第一表面上的第一类型的第一终止氧化物层(130、230、330)，并且在布置第一类型第一终止氧化物层之前，台面结构的第一表面已经被清洁，且除去了第一表面上的至少75％的天然氧化物
光电器件

[发明专利]光电器件-CN202080057135.5在审
发明人：亨利·詹姆斯·施耐德;林彦宏 -专利权人：牛津大学科技创新有限公司
申请日： 2020-05-28 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本发明涉及一种光电器件，该光电器件包括：(a)包含结晶A/M/X材料的层，其中，结晶A/M/X材料包括由下式表示的化合物：[A]a[M]b<
光电器件

[发明专利]光电器件-CN202011632969.2在审
发明人：杨一行;周礼宽;王天锋 -专利权人： TCL科技集团股份有限公司
申请日： 2020-12-31 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：本申请属于显示技术领域，尤其涉及一种光电器件，包括依次层叠设置的阳极、空穴传输层、量子点发光层和阴极，所述量子点发光层中包含核壳结构的量子点材料，所述量子点材料的外壳层为ZnSe，所述空穴传输层中空穴传输材料的迁移率高于本申请提供的光电器件，由于ZnSe外壳材料的价带能级较浅，带隙相对较窄，对量子点核壳结构中激子的束缚能力相对较差，需使用较厚的ZnSe外壳层厚度，通过隧穿效应注入到发光量子点的速率变弱。
光电器件

[发明专利]光电器件-CN202011633951.4在审
发明人：杨一行;周礼宽;王天锋 -专利权人： TCL科技集团股份有限公司
申请日： 2020-12-31 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：本申请属于显示技术领域，尤其涉及一种光电器件，包括依次层叠设置的阳极、空穴传输层、量子点发光层和阴极，所述量子点材料的外壳层为CdZnS，所述空穴传输层中空穴传输材料的价带顶能级的绝对值小于等于5.9eV本申请提供的光电器件，在量子点材料的外壳层具体为CdZnS的前提下，根据CdZnS的能级特性，此时要构建价带顶能级差(ΔEEML‑HTL)大于等于0.5eV的空穴注入势垒
光电器件

[发明专利]光电器件-CN202011633955.2在审
发明人：王天锋;杨一行 -专利权人： TCL科技集团股份有限公司
申请日： 2020-12-31 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：本申请属于显示技术领域，尤其涉及一种光电器件，包括依次层叠设置的阳极、空穴传输层、量子点发光层和阴极，所述空穴传输层中至少包含两种空穴传输材料，其中，至少一种空穴传输材料的价带顶能级的绝对值小于等于5.3eV本申请提供的光电器件中空穴传输层为混合材料，通过浅能级空穴传输材料、深能级空穴传输材料之间的相互搭配，实现对空穴传输材料与量子点外壳层之间的空穴注入势垒的精细调控，有利于构建≥0.5eV的能级势垒，降低空穴的注入效率，从而平衡发光层中空穴与电子的注入平衡，提高器件发光效率，同时避免电荷积累对器件寿命的影响。
光电器件