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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]相移掩模坯料、相移掩模的制造方法及显示装置的制造方法-CN201910216524.7在审
发明人：田边胜;浅川敬司;安森顺一 -专利权人： HOYA株式会社
申请日： 2019-03-21 - 公布日： 2019-10-11 - 主分类号： G03F1/26 文献下载
摘要：本发明提供一种高透过率的相移掩模坯料，其可以将相移膜构图成能够充分发挥相移效果的截面形状。该相移掩模坯料在透明基板上具有相移膜，且在该相移膜上具有蚀刻掩模膜，是用于形成相移掩模的原版，以蚀刻掩模膜形成规定图案的蚀刻掩模膜图案作为掩模，通过对所述相移膜进行湿式蚀刻而在所述透明基板上形成具有相移膜图案的相移掩模
相移相移掩模蚀刻掩模膜坯料过渡金属透明基板图案相移膜图案高透过率截面形状湿式蚀刻显示装置膜应力掩模原版制造

[发明专利]掩模坯料、转印用掩模的制造方法及半导体器件的制造方法-CN202180049300.7在审
发明人：宍户博明;野泽顺 -专利权人：豪雅株式会社
申请日： 2021-06-17 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： G03F1/54 文献下载
摘要：本发明的目的在于，提供一种能够以良好的精度制作具有20nm左右这样的微小尺寸的辅助图案的转印用掩模的掩模坯料。上述掩模坯料具有以下结构：在基板(1)的主表面上依次层叠有图案形成用薄膜(2)、第1硬掩模膜(3)、第2硬掩模膜(4)，其中，图案形成用薄膜含有过渡金属，第1硬掩模膜含有氧和选自硅及钽中的一种以上元素，第2硬掩模膜含有过渡金属，第2硬掩模膜的过渡金属的含量比上述图案形成用薄膜的过渡金属的含量少，主表面上的形成有第1硬掩模膜的区域比形成有图案形成用薄膜的区域小，第2硬掩模膜与图案形成用薄膜至少部分地相接
坯料转印用掩模制造方法半导体器件

[发明专利]相移掩模坯料、相移掩模的制造方法和相移掩模-CN202111268300.4在审
发明人：三村祥平;松桥直树;高坂卓郎 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2021-10-29 - 公布日： 2022-05-06 - 主分类号： G03F1/26 文献下载
摘要：本发明涉及相移掩模坯料、相移掩模的制造方法和相移掩模。相移掩模坯料，包括透明基板、在透明基板上形成的刻蚀保护膜、和与刻蚀保护膜接触地形成的相移膜，其中曝光光是ArF准分子激光。
相移坯料制造方法

[发明专利]远紫外掩模吸收剂材料-CN202180031444.X在审
发明人：刘世宇;刘树围;维布什·金达尔;阿泽丁·泽拉德 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2021-04-27 - 公布日： 2022-12-09 - 主分类号： G03F1/58 文献下载
摘要：公开了远紫外(EUV)掩模坯料、远紫外(EUV)掩模坯料制造方法及其生产系统。EUV掩模坯料包括基板；基板上的反射层的多层堆叠物；反射层的多层堆叠物上的覆盖层；和覆盖层上的吸收剂。
紫外吸收剂材料

[发明专利]蚀刻方法和光掩模坯料的加工方法-CN201010270048.6有效
发明人：五十岚慎一;稻月判臣;金子英雄;吉川博树;木名濑良纪 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2010-05-14 - 公布日： 2011-02-09 - 主分类号： G03F1/08 文献下载
摘要：本发明披露了一种对形成于衬底上的加工层的干蚀刻方法，包括步骤：在形成于衬底上的加工层上形成硬掩模层，在该硬掩模层上形成抗蚀剂图形，通过使用该抗蚀剂图形而实施的第一干蚀刻将该抗蚀剂图形转移至所述硬掩模层，并且通过使用以上转移至所述硬掩模层得到的硬掩模图形而实施的第二干蚀刻对所述加工层进行图形化，其中通过所述第一干蚀刻对所述硬掩模层进行图形化后，在所述第一干蚀刻已经实施过的蚀刻装置中，通过改变干蚀刻气体中副成分的浓度而不改变干蚀刻气体中主成分的浓度
蚀刻方法光掩模坯料加工

[发明专利]四级光掩模制造方法和其中所使用的光掩模坯料-CN200710084136.5有效
发明人：佐野道明 -专利权人： HOYA株式会社
申请日： 2007-02-16 - 公布日： 2007-08-29 - 主分类号： G03F1/08 文献下载
摘要：根据本发明的制造方法，以指定的顺序在透明衬底上形成第一光半透射膜和遮光膜，其由每个都具有对另一个的蚀刻的抗蚀性的材料制成，并且在所述遮光膜上形成有第二光半透射膜，其优选由能够通过与遮光膜的蚀刻相同的蚀刻而被蚀刻的材料制成因此，通过每个都具有对另一个的蚀刻的抗蚀性的膜和每个都没有对另一个的蚀刻的抗蚀性的膜的组合，可以以减少的采用光刻的写入次数来制造四级光掩模。
四级光掩模制造方法其中使用光掩模坯料

[发明专利]掩模坯料、转印用掩模、转印用掩模的制造方法、及显示装置的制造方法-CN202310095704.0在审
发明人：田边胜;浅川敬司 -专利权人：豪雅株式会社
申请日： 2023-01-18 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： G03F1/26 文献下载
摘要：本发明提供对包含紫外线区域的波长的曝光光具有高耐光性、并且具有高耐化学药品性、能够形成良好的转印图案的掩模坯料。所述掩模坯料具备：透光性基板、和设置于透光性基板的主表面上的图案形成用的薄膜，薄膜含有钛、硅及氮，通过X射线光电子能谱法对薄膜的内部区域进行分析而获得的Ti2p窄谱在将键能为455eV的光电子强度设为P
坯料转印用掩模制造方法显示装置

[发明专利]相移掩模坯料、其制造方法以及相移掩模-CN202010226930.4在审
发明人：高坂卓郎 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2020-03-27 - 公布日： 2020-10-09 - 主分类号： G03F1/26 文献下载
摘要：本发明提供一种相移掩模坯料、其制造方法以及相移掩模。该相移掩模坯料包括衬底和其上的相移膜，该相移膜由含有硅和氮且不含过渡金属的材料组成，曝光光为KrF准分子激光，该相移膜由单层或多层构成，单层或多层的每一层具有对于曝光光2.5以上的折射率n、0.4至1的消光系数
相移坯料制造方法以及

[发明专利]掩模坯料、相移掩模及半导体器件的制造方法-CN202080058132.3在审
发明人：前田仁;野泽顺 -专利权人： HOYA株式会社
申请日： 2020-08-26 - 公布日： 2022-03-25 - 主分类号： G03F1/60 文献下载
摘要：本发明提供能够制造出可提高对ArF准分子激光的曝光光的相移效果、同时能够确保曝光边缘、光学性能良好的相移掩模的掩模坯料。上述掩模坯料在透光性基板上具备相移膜，其中，相移膜含有铪、硅及氧，相移膜中的铪的含量相对于铪及硅的合计含量以原子％计的比率为0.4以上，相移膜在ArF准分子激光的曝光光的波长下的折射率n为2.5以上，相移膜在曝光光的波长下的消光系数
坯料相移半导体器件制造方法

[发明专利]相移掩模坯料、相移掩模及其制造方法-CN201380002495.5在审
发明人：影山景弘;中村大介 -专利权人：爱发科成膜株式会社
申请日： 2013-06-05 - 公布日： 2015-03-25 - 主分类号： G03F1/29 文献下载
摘要：本发明提供一种适用于大批量制造边缘增强型的相移掩模的相移掩模坯料。所述相移掩模坯料（MB）具有：玻璃基板（S）；形成在玻璃基板表面上的、主要成分为Cr的相移层（11）；以从玻璃基板朝向相移层的方向为上，在相移层上形成的、以从Ni、Co、Fe、Ti、Si、Al、Nb、Mo
相移坯料及其制造方法

[发明专利]灰阶掩模用坯料、以及采用该坯料的灰阶掩模以及该坯料的制造方法-CN200680001225.2无效
发明人：山田文彦;尾崎俊治;平元豪 -专利权人：爱发科成膜株式会社
申请日： 2006-07-14 - 公布日： 2007-10-24 - 主分类号： G03F1/08 文献下载
摘要：本发明涉及灰阶掩模用坯料，在具有遮光部、开口部、半透光部的图案的灰阶掩模用坯料中，具有直接或间接附着在透明基板的表面上形成的遮光膜以及半透光膜，遮光膜以及半透光膜的金属成分的组成不同。另外，本发明涉及灰阶掩模的制造方法，包括使用具有相同刻蚀速度的第一刻蚀液刻蚀遮光膜以及半透光膜，进一步，使用不刻蚀半透光膜只是选择性地刻蚀遮光膜的第二刻蚀液进行半刻蚀。
灰阶掩模用坯料以及采用灰阶掩模制造方法

[发明专利]反射型掩模坯料的制造方法及反射型掩模坯料-CN202110229567.6在审
发明人：稻月判臣;高坂卓郎;寺泽恒男 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2021-03-02 - 公布日： 2021-09-03 - 主分类号： G03F1/24 文献下载
摘要：本发明涉及反射型掩模坯料的制造方法及反射型掩模坯料。通过溅射法制造了一种反射型掩模坯料，其包括基底、多层反射膜和吸收体膜，该多层反射膜由至少两个第一层和至少两个第二层构成，该第一层和第二层交替层叠，且具有彼此不同的光学特性。
反射型掩模坯料制造方法

[发明专利]掩模坯料用玻璃衬底-CN202110634712.9在审
发明人：枪田直树;原田大实;竹内正树 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2021-06-08 - 公布日： 2021-12-10 - 主分类号： G03F1/24 文献下载
摘要：本发明涉及一种掩模坯料用玻璃衬底。具体提供了这样的掩模坯料用玻璃衬底，其在0.1μm‑1以上且20μm‑1以下的空间频率下的圆形平均功率谱密度的最大值为
坯料玻璃衬底

[发明专利]半色调相移光掩模坯料及其制备方法-CN201510484664.4有效
发明人：高坂卓郎;稻月判臣;金子英雄;樱田丰久 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2015-08-04 - 公布日： 2019-03-05 - 主分类号： G03F1/32 文献下载
摘要：半色调相移光掩模坯料，包含透明基材和由硅、氮和任选的氧组成的半色调相移膜，并提供相对于波长200nm以下的光150°‑200°的相移。
色调相移光掩模坯料及其制备方法

[发明专利]用于EUV掩模坯料的具有多层反射膜的衬底、其制造方法和EUV掩模坯料-CN202111052720.9在审
发明人：稻月判臣;寺泽恒男;高坂卓郎;金子英雄;西川和宏 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2021-09-09 - 公布日： 2022-03-11 - 主分类号： G03F1/24 文献下载
摘要：本发明提供一种用于EUV掩模坯料的具有多层反射膜的衬底，其制造方法和EUV掩模坯料。具有多层反射膜的衬底包括衬底和形成在衬底上的多层反射膜。
用于 euv 坯料具有多层反射衬底制造方法

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