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[发明专利]掩膜坯、相移掩膜、半色调掩膜、掩膜坯及相移掩膜的制造方法-CN201880001456.6有效
发明人：野口鸠德;矶博幸;望月圣;影山景弘;诸沢成浩 -专利权人：爱发科成膜株式会社
申请日： 2018-02-07 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： G03F1/26 文献下载
摘要：本发明的掩膜坯，具备：透明基板；相移层，层压于该透明基板的表面，以Cr为主成分；蚀刻停止层，层压于所述相移层；及遮光层，层压于所述蚀刻停止层，以Cr为主成分。通过同一蚀刻剂来蚀刻所述相移层、所述蚀刻停止层及所述遮光层，从而能够制造形成于所述遮光层的遮光图案的边缘与层压于所述相移层的相移图案的边缘相比在俯视中被配置在后退的位置的相移掩膜。
掩膜坯相移色调制造方法

[发明专利]相移掩膜的制造方法、相移掩膜及相移掩膜的制造装置-CN201480005329.5有效
发明人：望月圣;中村大介;影山景弘 -专利权人：爱发科成膜株式会社
申请日： 2014-04-17 - 公布日： 2020-02-07 - 主分类号： G03F1/28 文献下载
摘要：使构成相移层的多级区域的最上层与其下的层相比，含氧量更多。据此，成为曝光光入射侧的最上层的反射率降低。因此，能够减少由相移掩膜反射的反射光，防止由反射光引起的图案形成精度的降低，从而能够实现微细且高精度的图案形成。
相移制造方法装置

[发明专利]相移掩膜及其制造方法-CN201380054682.8有效
发明人：望月圣;中村大介;影山景弘 -专利权人：爱发科成膜株式会社
申请日： 2013-12-19 - 公布日： 2020-01-07 - 主分类号： G03F1/26 文献下载
摘要：本发明的相移掩膜的制造方法包括在含有10.4％以下的氧化性气体的混合气体的气氛下对铬系材料的靶进行溅射的工序。
相移及其制造方法

[发明专利]相移掩膜的制造方法及相移掩膜-CN201480005621.7有效
发明人：望月圣;中村大介;小林良纪;影山景弘 -专利权人：爱发科成膜株式会社
申请日： 2014-04-17 - 公布日： 2019-08-13 - 主分类号： G03F1/28 文献下载
摘要：在相移层形成工序中，通过设定气氛气体中的氧化性气体的流量比，从而在透明基板(S)上将相移层(11b、11c、11d)形成为多级。然后，在相移图案的形成工序中，对所述相移层进行湿式蚀刻，以形成将所述相移层的厚度变化设定为多级的多级区域(B1bh、B1bi)。
相移制造方法

[发明专利]相移掩膜的制造方法-CN201380052684.3有效
发明人： 影山景弘;望月圣;中村大介 -专利权人：爱发科成膜株式会社
申请日： 2013-12-19 - 公布日： 2019-06-28 - 主分类号： G03F1/32 文献下载
摘要：相移掩膜的制造方法具有如下工序：形成具有规定的开口图案的第二掩膜(RP2)，以使表面及露出于图案开口的遮光层(13)被覆盖，并且使露出于图案开口的蚀刻终止层(12)和相移层(11)在遮光区域内不被覆盖而在相移区域内被覆盖。
相移及其制造方法

[发明专利]相移掩模坯料、相移掩模及其制造方法-CN201380002495.5在审
发明人： 影山景弘;中村大介 -专利权人：爱发科成膜株式会社
申请日： 2013-06-05 - 公布日： 2015-03-25 - 主分类号： G03F1/29 文献下载
摘要：本发明提供一种适用于大批量制造边缘增强型的相移掩模的相移掩模坯料。所述相移掩模坯料（MB）具有：玻璃基板（S）；形成在玻璃基板表面上的、主要成分为Cr的相移层（11）；以从玻璃基板朝向相移层的方向为上，在相移层上形成的、以从Ni、Co、Fe、Ti、Si、Al、Nb、Mo、W及Hf中选出的至少一种的金属为主要成分的蚀刻阻挡层（12）；以及在蚀刻阻挡层上形成的、主要成分为Cr的遮光层（13）。
相移坯料及其制造方法

[发明专利]半色调掩模、半色调掩模坯料及半色调掩模的制造方法-CN201180062123.2有效
发明人：中村大介;影山景弘 -专利权人：爱发科成膜株式会社
申请日： 2011-12-21 - 公布日： 2013-09-11 - 主分类号： G03F1/32 文献下载
摘要：本发明提供了一种在使用浓硫酸的洗净处理中可对刻蚀阻挡层的侧蚀进行抑制的半色调掩模。所述半色调掩模具有透光部(TA)、半透光部(HA)和遮光部(PA)。遮光部(PA)包括基材(S)、半透光层11、设置在半透光层上且由Cr或Cr的化合物形成的遮光层(13)以及设置在半透光层(11)和遮光层(13)之间的刻蚀阻挡层(12)。刻蚀阻挡层(12)含有第一元素、第二元素。所述第一元素由选自Mo和W构成的组中的至少一种元素构成，且具有6.4mol％以上且38.2mol％以下的组成比。所述第二元素由选自Zr、Nb、Hf和Ta构成的组中的至少一种元素构成。
色调坯料制造方法

[发明专利]相移掩膜的制造方法、平板显示器的制造方法和相移掩膜-CN201010215138.5有效
发明人： 影山景弘;中村大介 -专利权人：爱发科成膜株式会社
申请日： 2010-06-29 - 公布日： 2011-01-05 - 主分类号： G03F1/08 文献下载
摘要：本发明提供一种相移掩膜的制造方法、平板显示器的制造方法和相移掩膜，通过其可以形成细小而高精度的曝光图案。本发明的第一实施方式中所述的相移掩膜(1)具有相移层(13P1)，其可使任何一种波长在300nm以上500nm以下范围内的光产生180°的相位差。因此，将上述波长范围内的光用作进行曝光处理的光，由于在相移层处光的相位发生反转所以会形成光强度最小的区域，使曝光图案更加清楚。在混合有40％以上90％以下的氮化气体和10％以上35％以下的氧化气体的环境中，使由铬系材料制成的靶产生溅射而形成相移层(13P)。
相移制造方法平板显示器

[发明专利]半色调掩模、半色调掩模坯料及制造半色调掩模的方法-CN200880114579.7有效
发明人： 影山景弘;山田文彦 -专利权人：爱发科成膜株式会社
申请日： 2008-10-29 - 公布日： 2010-09-22 - 主分类号： G03F1/08 文献下载
摘要：一种增加蚀刻停止层通用性的半色调掩模。所述半色调掩模(10)具有使用玻璃基板(S)的透光部分(TA)；包括形成在所述玻璃基板上的第一半透光层(11)的第一半透光部分(HA)；以及包括所述第一半透光层、叠加在所述第一半透光层上方的挡光层(13)和形成在所述第一半透光层与所述挡光层之间的蚀刻停止层(12)的挡光部分(PA)。所述第一半透光层和所述挡光层各自由铬或从由铬的氧化物、氮化物、碳化物、氧氮化物、氧碳化物、碳氮化物及氧碳氮化物组成的组中选择的至少一种形成。所述蚀刻停止层包括从由铁(Fe)、镍(Ni)和钴(Co)组成的组中选择的至少一种的第一元素及从由铝(Al)、硅(Si)、钛(Ti)、铌(Nb)、钽(Ta)、铪(Hf)和锆(Zr)组成的组中选择的至少一种的第二元素。
色调坯料制造方法

[发明专利]用于制造灰色调掩模的方法-CN200880111760.2无效
发明人：山田文彦;尾崎俊治;佐佐木贵英;石塚正彦;影山景弘;矶博幸;小林良一;林厚 -专利权人：爱发科成膜株式会社
申请日： 2008-10-09 - 公布日： 2010-09-01 - 主分类号： G03F1/08 文献下载
摘要：一种用于制造灰色调掩模的方法，其在稳定和简单的膜形成条件下减低了对于曝光波长的波长依赖性。使用在氩和一氧化氮气体中溅射纯铬靶材的反应溅射方法来形成具有单层结构的氮化铬膜。基于在具有不同一氧化氮浓度的多个膜形成条件下获得的多条不同光透射率曲线，获得一氧化氮的目标浓度(中间值)，其将半透光膜的透射率均匀性在365nm到436nm范围内设置为1.0％或以下，或者在300nm到500nm范围内设置为4.0％或以下。然后，通过使用一氧化氮目标浓度形成了半透光膜。
用于制造色调方法

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