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- [发明专利]光罩的制造方法及光罩-CN202111238482.0在审
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刘娟;于世瑞
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上海华力微电子有限公司
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2021-10-25
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2023-04-28
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G03F1/36
- 本发明公开了一种光罩的制造方法，其首先确定光罩基板的主图形区，并在主图形区周围确定光罩基板上的辅图形区；然后利用OPC模型，对主图形区和辅图形区的图形做光强仿真，确保辅图形区的图形在集成电路制造工艺中不会在硅片上的光刻胶上曝出，并确保主图形区的图形在集成电路制造工艺中能在硅片上的光刻胶上曝出；再筛选出一组辅图形参数，通过光罩制备刻蚀工艺，在光罩基板上形成主图形区的图形，并按所述辅图形参数在光罩基板上形成辅图形区的图形。本发明还公开了一种光罩。本发明更有效率的改善光罩主图形区的不同位置的图形的关键尺寸均匀性。
- 制造方法
- [实用新型]光刻机-CN202221492101.1有效
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李智斌;许智
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松山湖材料实验室;中国科学院物理研究所
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2022-06-15
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2023-01-20
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G03F7/20
- 该光刻机包括光图形生成设备、空间光相位调制设备和投影设备；光图形生成设备用于投射光图形；空间光相位调制设备，用于接收光图形，并对光图形中部分区域图像的相位进行调制；其中，光图形在空间光相位调制设备上呈实像；投影设备，用于接收调制后的光图形并投射到目标位置；其中，调制后的光图形在目标位置发生干涉效应。通过光图形生成设备投射光图形，并在空间光相位调制设备形成实像。空间光相位调制设备对光图形的部分区域的相位进行调制，以实现通过投影设备投射到目标位置时光图形的不同区域互相发生干涉效应，在目标位置留下一段非曝光区，进而实现了用低分辨率的光刻机进行高分辨率的光刻的目的，
- 光刻
- [发明专利]拼接产品的图形拼接方法-CN202111409200.9在审
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朱晓斌;郑海昌;陈力钧;王晓龙;张煜
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上海华力微电子有限公司
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2021-11-25
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2023-05-26
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G03F1/70
- 本发明公开了一种拼接产品的图形拼接方法，包括：步骤一、提供拼接产品的芯片设计版图；步骤二、根据芯片设计版图设计光罩版图，包括：步骤21、设置单元光罩图形；步骤22、将单元区之间的相邻区域的逻辑图形或切割道图形合并在一起来设置对应的周边光罩图形；步骤23、将各相同的周边光罩图形合并为一个；步骤24、将单元光罩图形和各周边光罩图形组成光罩版图并形成在光罩上；步骤三、进行重复曝光形成拼接产品，包括：在单元区采用单元光罩图形进行重复曝光直至定义出单元区的所有单元电路图形；在周边区采用对应的周边光罩图形进行重复曝光在芯片上形成各逻辑图形和各切割道图形。本发明能减少光罩图形的数量、减少曝光次数和曝光时间。
- 拼接产品图形方法
- [发明专利]光罩组件及半导体结构的制备方法-CN202310506657.4有效
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曹新满;吴耆贤;黄炜
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长鑫存储技术有限公司
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2023-05-08
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2023-09-26
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G03F1/38
- 本发明涉及一种光罩组件以及半导体结构的制备方法，光罩组件包括第一光罩和第二光罩。第一光罩具有多个第一图形，多个第一图形呈多行多列间隔排布。各行第一图形均包括多个沿第一方向间隔排布的第一图形。相邻两行第一图形错位排布。第二光罩具有多个第二图形，多个第二图形呈多行多列间隔排布。各行第二图形均包括多个沿第一方向间隔排布的第二图形。相邻两行第二图形错位排布。第二光罩与第一光罩叠置时，多行第二图形与多行第一图形沿第二方向交替间隔排布，并且各行第二图形在第一光罩表面的正投影与相邻两行第一图形沿第二方向的间距不等。本发明可以实现图形制程进一步微缩。
- 组件半导体结构制备方法
- [发明专利]图形形成法-CN96108243.7无效
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李相均
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三星航空产业株式会社
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1996-07-18
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2004-04-28
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C23F1/02
- 一种图形形成法包括下列工序：在基板上形成不溶于刻蚀溶液的金属电镀薄膜；在电镀薄膜上形成光致抗蚀薄膜；用预定的光掩模图形将光致抗蚀薄膜曝光然后显影，由此制取光致抗蚀图形；用光致抗蚀图形作为掩模制取电镀薄膜图形；完全清除光致抗蚀图形；用电镀薄膜图形作为刻蚀掩模刻蚀基片，然后完全清除电镀薄膜图形。本发明由于用电镀薄膜图形代替了光致抗蚀图形作为基片刻蚀工序中的刻蚀掩模，故可准确精密加工引线框架。
- 图形形成
- [发明专利]改善边缘放置误差的方法-CN202210859062.2在审
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戴韫青
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上海华力集成电路制造有限公司
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2022-07-20
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2022-11-01
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G03F1/36
- 本发明提供一种改善边缘放置误差的方法，提供设计版图，对设计版图第一次光学临近修正得到第一光罩图形；其中，第一光罩图形上形成有至少一个片段图形，使得第一光罩图形呈阶梯状，第一光罩图形的第一曝光后轮廓与设计版图间存在第一边缘放置误差；在第一光罩图形存在高度差处插入补偿图形，得到第二光罩图形；根据第二光罩图形得到第二曝光后轮廓，使得第二曝光后轮廓与设计版图间存在的第二边缘放置误差小于第一边缘放置误差。本发明在光罩修正图形中落差较大的两图形之间生成一个阶梯状的图形做为缓冲，曝光产生的轮廓有较小的边缘放置误差(EPE)，并且其轮廓上的波浪现象也减弱。
- 改善边缘放置误差方法
- [发明专利]光学邻近效应的修正方法-CN202211049703.4在审
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康帅
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上海华力集成电路制造有限公司
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2022-08-30
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2022-12-09
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G03F1/36
- 本发明提供一种光学邻近效应的修正方法，提供原始版图，获取存储芯片中的目标层版图，目标层版图包括由多个相同的第一图形组成的第一区域图形、由多个第二图形组成的第二区域图形；根据第一、二区域图形分别获取第一、二图层；划分出第一图层中的每个第一图形，记录每个第一图形在目标层版图中的坐标；对单个第一图形修正得到第一光罩图形；得到第二图层修正后的第二光罩图形；以第一光罩图形作为每个第一图形的修正后结果，拼接形成第一图层修正后的第三光罩图形；之后根据第二、三光罩图形拼接形成目标层版图修正后的第四光罩图形；检测第四光罩图形。
- 光学邻近效应修正方法
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