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[发明专利]一种光刻胶组合物及其制备方法和应用-CN201110274041.6有效
发明人：张亚非;陶焘;魏浩;胡南滔 -专利权人：上海交通大学
申请日： 2011-09-15 - 公布日： 2012-03-21 - 主分类号： G03F7/004 文献下载
摘要：本发明涉及一种光刻胶组合物，本发明还涉及这种光刻胶组合物的制备方法，本发明还涉及这种光刻胶组合物的应用。本发明的光刻胶组合物，包括光刻胶和金属盐类光致发光离子；所述光刻胶作为连续相；所述金属盐类光致发光离子作为分散相，所述金属盐类光致发光离子在所述光刻胶中的质量体积浓度为0.0005～0.004g/mL。一种光刻胶组合物的制备方法，先用有机溶剂溶解所述金属盐类光致发光离子，然后与所述光刻胶混溶，混合均匀后，再加热蒸发掉所述有机溶剂。所述光刻胶组合物应用于集成电路光刻。本发明解决了现有技术中光刻胶的光刻分辨率低、光刻小尺寸器件时线条边缘往往不平整光滑的技术问题。
一种光刻组合及其制备方法应用

[发明专利]光刻胶图案修剪方法-CN201310757477.X有效
发明人： G·珀勒斯;C-B·徐;K·劳维尔 -专利权人：罗门哈斯电子材料有限公司
申请日： 2013-12-31 - 公布日： 2019-04-16 - 主分类号： G03F7/00 文献下载
摘要：光刻胶图案修剪方法。提供修剪光刻胶图案的方法。该方法包括：(a)提供半导体衬底；(b)在衬底上形成光刻胶图案，其中由化学放大光刻胶组合物来形成光刻胶图案，该化学放大光刻胶组合物包括含有酸不稳定性基团的母体聚合物；光生酸剂和溶剂；(c)将光刻胶修剪组合物涂覆到衬底上的光刻胶图案之上，其中，该修剪组合物包括：母体聚合物，不含氟的芳香酸；以及溶剂；(d)加热涂覆后的衬底，从而改变光刻胶图案表面区域中的光刻胶母体聚合物的极性；以及(e)使光刻胶图案接触清洗剂，除去光刻胶图案的表面区域，从而形成经修剪的光刻胶图案。
光刻图案修剪方法

[发明专利]用于光刻的组合物和方法-CN201410310502.4有效
发明人： M·K·噶拉格尔;D·王 -专利权人：罗门哈斯电子材料有限公司
申请日： 2007-03-12 - 公布日： 2022-03-25 - 主分类号： G03F7/095 文献下载
摘要：本发明提供了一种涂敷过的基片和一种处理光刻胶组合物的方法。所述涂敷过的基片包括：位于基片上的光刻胶组合物层；位于该光刻胶层上面的有机组合物，该有机组合物包含含有一种或多种亲水基团的共聚物树脂；所述处理光刻胶组合物的方法包括：(a)在基片上施涂光刻胶组合物；(b)在所述光刻胶组合物上面施涂有机组合物，该有机组合物包含含有一种或多种亲水基团的共聚物树脂；(c)将所述光刻胶层曝光于辐射，活化光刻胶组合物。
用于光刻组合方法

[发明专利]用于浸渍光刻技术的组合物和工艺-CN200910261590.2有效
发明人： M·K·加拉赫;G·B·韦顿;G·P·普罗科波维奇;S·A·罗伯特森 -专利权人：罗门哈斯电子材料有限公司
申请日： 2005-07-04 - 公布日： 2010-07-28 - 主分类号： G03F7/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于处理光刻胶组合物的方法，它包括：(a)将光刻胶组合物涂覆在基材上；(b)在该光刻胶组合物上涂覆有机阻挡组合物层；(c)在单独的步骤中，热处理所涂覆的光刻胶组合物和阻挡层组合物，以从所涂覆的光刻胶组合物和阻挡层组合物中除去溶剂，其中在涂覆所述阻挡层组合物之前，并不通过热处理除去所述光刻胶组合物的溶剂；和(d)将该光刻胶层浸渍曝光于活化辐射中。本发明主要涉及浸渍光刻技术的新材料和工艺。
用于浸渍光刻技术组合工艺

[发明专利]用于光刻的包含杂取代的碳环芳基组分的组合物和方法-CN200910249079.0有效
发明人： D·王;C·-B·徐;G·G·巴克雷 -专利权人：罗门哈斯电子材料有限公司
申请日： 2009-11-19 - 公布日： 2011-01-12 - 主分类号： G03F7/00 文献下载
摘要：本发明涉及用于光刻的包含杂取代的碳环芳基组分的组合物和方法，提供了用于浸没式光刻方法的新的光刻胶组合物。本发明还提供了一种处理光刻胶组合物的方法，包括：(a)在基材上施涂光刻胶组合物，所述组合物包括：(i)一种或多种树脂，(ii)光活性组分，和(iii)一种或多种包含杂取代的碳环芳基的材料；以及(b)使光刻胶层浸没式曝光于使该光刻胶组合物活化的辐射下本发明优选的光刻胶组合物包含一种或多种含杂取代的碳环芳基的材料。在浸没式光刻过程中，使用本发明特别优选的光刻胶，表现出减少光刻胶材料向与光刻胶层接触的浸没液中的滤出。
用于光刻包含取代碳环芳基组分组合方法

[发明专利]光刻胶组合物及其制备方法-CN201410614148.4在审
发明人：李吉;李泳锐 -专利权人：深圳市华星光电技术有限公司
申请日： 2014-11-04 - 公布日： 2015-04-08 - 主分类号： G03F7/027 文献下载
摘要：本发明提供的一种光刻胶组合物及其制备方法，所述光刻胶组合物包括彩色聚合物，所述彩色聚合物由染料分子通过化学键接枝于聚合物分子中得到。该光刻胶组合物采用彩色聚合物代替传统的颜料，避免了传统光刻胶组合物中颜料难以分散的问题以及对比和亮度不佳的问题，由于该彩色聚合物色彩鲜艳，穿透率高，热稳定性和光稳定性好，从而本发明的光刻胶组合物具有较好的显色效果以及较佳的热稳定性和光稳定性本发明提供的一种光刻胶组合物的制备方法，减少了光刻胶组合物中的成分，简化了光刻胶组合物的制备工艺，制得的光刻胶组合物显色效果好，同时具有较佳的热稳定性和光稳定性。
光刻组合及其制备方法

[发明专利]一种光刻胶组合物和形成光刻图案的方法-CN201510781719.8在审
发明人：陈哲;任鲁风;殷金龙 -专利权人：北京中科紫鑫科技有限责任公司
申请日： 2015-11-16 - 公布日： 2016-02-03 - 主分类号： G03F7/004 文献下载
摘要：本发明公开了一种光刻胶组合物和形成光刻图案的方法。所述组合物包括：聚醚改性的有机硅流平剂、溶剂、光活性物质、有机酸、树脂和颜料分散体。形成光刻图案的方法包括准备一个光纤面板基板，在光纤面板基板的正面涂覆光刻胶组合物，形成光刻胶组合物层，在光化辐射下图案化曝光该光刻胶组合物层，施加显影剂，将光刻胶组合物层上的未曝光区域用显影剂去除，形成光刻胶图案
一种光刻组合形成图案方法

[发明专利]光刻胶组合物,薄膜图案形成方法、TFT阵列面板制造方法-CN200610098739.6有效
发明人：朴廷敏;李羲国;周振豪;全祐奭;郑斗喜;金东敏;崔基植 -专利权人：三星电子株式会社;东进世美肯株式会社
申请日： 2006-07-10 - 公布日： 2007-01-10 - 主分类号： G03F7/012 文献下载
摘要：提供光刻胶组合物、使用该光刻胶组合物形成薄膜图案的方法、以及使用该光刻胶组合物制造薄膜晶体管阵列面板的方法。在一个方式中，光刻胶组合物包括碱溶性树脂、光敏化合物以及添加剂，用于在通道区域有利地提供均匀的光刻胶。
光刻组合薄膜图案形成方法 tft 阵列面板制造

[发明专利]用于光刻的包含糖组分的组合物及其制备方法-CN201110463331.5有效
发明人：吴俊锡;D·王;刘骢;李明琦;C·吴;C-B·徐 -专利权人：罗门哈斯电子材料有限公司
申请日： 2011-11-15 - 公布日： 2012-07-18 - 主分类号： G03F7/004 文献下载
摘要：用于光刻的包含糖组分的组合物及其制备方法。本发明涉及一种用于浸没式光刻的新的光刻胶组合物。本发明优选的光刻胶组合物包含一种或多种含有糖取代基的材料。本发明特别优选的光刻胶在浸没式光刻工艺中，能够降低抗蚀材料在抗蚀层与浸没液体接触时的浸出。提供一种处理光刻胶组合物的方法，所述方法包括：在基材上施加光刻胶组合物，所述光刻胶组合物包括：(i)一种或多种树脂，(ii)光活性组分，和(iii)一种或多种含有糖取代基的材料，其中一种或多种材料与一种或多种树脂基本上是不互溶的，和(b)将光刻胶层在辐射中浸没曝光以活化光刻胶组合物。
用于光刻含糖组分组合及其制备方法

[发明专利]化学放大型正型光刻胶组合物-CN200480006521.2有效
发明人：新堀博 -专利权人：东京应化工业株式会社
申请日： 2004-03-11 - 公布日： 2006-04-12 - 主分类号： G03F7/039 文献下载
摘要：一种正型光刻胶组合物，其能够形成细微光刻胶图案，能够适宜地控制光刻胶图案的锥形结构的角，能够形成具有优异焦点深度幅的光刻胶图案。这种正型光刻胶组合物由化学放大型正型光刻胶组合物形成，其对于248nm波长的光通过厚度为0.3μm的光刻胶膜得到的透光率为20至75％。
化学大型光刻组合

[发明专利]一种金属剥离胶组合物在光刻工艺中的应用-CN202011396352.5在审
发明人：许箭;秦龙;耿文练;花雷 -专利权人：儒芯微电子材料（上海）有限公司
申请日： 2018-12-13 - 公布日： 2021-03-19 - 主分类号： G03F7/004 文献下载
摘要：本发明公开了一种金属剥离胶组合物在光刻工艺中的应用，所述金属剥离胶组合物作为碱溶牺牲层应用在金属剥离工艺中，其上层可兼容光刻胶，所述光刻胶选自G线、I线光刻胶、248nm光刻胶、193nm光刻胶、极紫外光刻胶、纳米压印光刻胶或电子束光刻胶。
一种金属剥离组合光刻工艺中的应用

[发明专利]制造半导体器件的方法-CN202310328425.4在审
发明人：张庆裕;訾安仁;林进祥 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2023-03-30 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： G03F7/09 文献下载
摘要：一种制造半导体器件的方法，包括在基板上方形成光刻胶层并将碱组合物施加到光刻胶层，所述碱组合物包括无机碱、有机碱、热致碱生成剂或光致碱生成剂。将所述光刻胶层选择性地暴露于光化辐射，以形成潜在图案。通过将显影剂组合物施加到选择性暴露的光刻胶层来使潜在图案显影以在光刻胶层中形成图案。碱组合物在一个或多个选自如下的操作中施加到光刻胶层：碱组合物在形成光刻胶层之前作为底层施加到基板且随后所述组合物被光刻胶层吸收，在预暴露烘烤操作期间，在光刻胶层被选择性暴露之后且在使潜在图案显影之前，以及在使潜在图案显影之后
制造半导体器件方法

[发明专利]一种正性光刻胶组合物及其制备与使用方法-CN202211201501.7在审
发明人：傅志伟;王文毅;吴信;朱玉呈;戴文超;梅崇余;潘新刚 -专利权人：徐州博康信息化学品有限公司
申请日： 2022-09-29 - 公布日： 2022-12-02 - 主分类号： G03F7/004 文献下载
摘要：本发明涉及一种正性光刻胶组合物及其制备与使用方法，所述光刻胶组合物包括如下质量百分比的各组分：聚合物树脂，光刻胶组合物总质量的15～25％；萘酰亚胺类光致产酸剂，聚合物树脂的1.0～6.0％；酸扩散控制剂，萘酰亚胺类光致产酸剂的8～40％；流平剂，光刻胶组合物总质量的0.1～0.5％；溶剂，补足百分百；所述聚合物树脂包括第一聚合物树脂和第二聚合物树脂。制备方法包括以下步骤：将正性光刻胶组合物的各组分混合。使用方法包括以下步骤：将正性光刻胶组合物涂布在硅片上，依次经过前烘、曝光、后烘和显影，得到光刻图案。本发明提供的正性光刻胶组合物可以有效降低驻波效应，增加光刻胶图形侧壁的垂直性，提高光刻胶成像的分辨率。
一种光刻组合及其制备使用方法

[发明专利]一种光刻胶组合物及其制备与使用方法-CN202211728674.4在审
发明人：傅志伟;王文毅;吴信;朱玉呈;丁瑞龙;梅崇余;潘新刚 -专利权人：徐州博康信息化学品有限公司
申请日： 2022-12-29 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： G03F7/004 文献下载
摘要：本发明涉及一种光刻胶组合物及其制备与使用方法，所述光刻胶组合物包括如下质量百分比的各组分：聚合物树脂，光刻胶组合物总质量的15～25％；光致产酸剂，聚合物树脂的2.0～5.5％；酸扩散控制剂，光致产酸剂的8～20％；流平剂，光刻胶组合物总质量的0.1～0.5％；溶剂，补足百分百；所述聚合物树脂为羟基苯乙烯化合物、如通式I化合物和如通式II化合物的共聚物。制备方法包括以下步骤：将光刻胶组合物的各组分混合。使用方法包括以下步骤：将光刻胶组合物涂布在硅片上，依次经过前烘、曝光、后烘和显影，得到光刻图案。本发明提供的光刻胶组合物能够提供同时具有优异的曝光能量宽裕度(EL)和聚焦深度(DOF)的光刻胶。
一种光刻组合及其制备使用方法

[发明专利]用于浸没式光刻的组合物和方法-CN201210053600.5有效
发明人： D·王 -专利权人：罗门哈斯电子材料有限公司
申请日： 2006-05-08 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：提供了一种可用于浸没式光刻的新颖的光刻胶组合物。本发明优选的光刻胶组合物包含一种或多种基本不能与该光刻胶的树脂组分混合的材料。本发明进一步优选的光刻胶组合物包含1)Si取代基，2)氟取代基，3)超支化的聚合物和/或4)聚合物颗粒。在浸没式光刻过程中，使用本发明特别优选的光刻胶，可以减少光刻胶材料向与该光刻胶层接触的浸没液中的浸出。
用于浸没光刻组合方法

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