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[发明专利]光刻方法-CN202110896270.5在审
发明人：韩建伟;吴长明;姚振海;陈骆;王绪根;朱联合 -专利权人：华虹半导体（无锡）有限公司
申请日： 2021-08-05 - 公布日： 2021-12-10 - 主分类号： G03F7/16 文献下载
摘要：本申请涉及半导体集成电路制造技术领域，具体涉及一种光刻方法。光刻方法包括以下步骤：提供待涂胶的基片；在基片的表面喷涂增黏剂，形成增黏层；在增黏层上涂覆疏水光刻胶，形成具有特定厚度的疏水光刻胶层；对疏水光刻胶层进行曝光操作，使得疏水光刻胶层上形成感光区和非感光区；通过显影液，对曝光操作后的疏水光刻胶层进行显影操作，使得感光区中疏水光刻胶的分子量减小，分子量减小的疏水光刻胶至少部分溶解在显影液中；向显影操作后的疏水光刻胶层上，喷淋表面活性溶液，使得感光区中分子量减小的残留疏水光刻胶与表面活性溶液的疏水基结合，在亲水基的亲水作用下使得分子量减小的残留疏水光刻胶，剥离感光区位置处的基片表面。
光刻方法

[发明专利]一种晶圆光阻涂布方法-CN202211578574.8在审
发明人：王晨星;杨云春;郭鹏飞;陆原;张栓 -专利权人：赛莱克斯微系统科技（北京）有限公司
申请日： 2022-12-09 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： G03F7/16 文献下载
摘要：该方法包括：获取待涂布晶圆；根据膜厚需求，制备基部光刻胶，基部光刻胶包括稀释剂和正性光刻胶，稀释剂与正性光刻胶的体积比大于或等于3且小于或等于10；对待涂布晶圆旋涂基部光刻胶，以使待涂布晶圆表面形成润湿层；在润湿层旋涂正性光刻胶，以使待涂布晶圆表面形成光刻胶膜。本发明提供的晶圆光阻涂布方法利用稀释剂和正性光刻胶形成的基部光刻胶来代替传统的润湿剂，避免了一些衬底无法喷涂润湿剂的问题，同时改善了目前主流的厚胶掩膜制备技术中光刻胶膜厚度不均匀，厚膜流动性差的问题，提升了光刻胶膜的厚度均匀性
一种圆光阻涂布方法

[实用新型]一种光刻胶喷涂设备-CN201921819685.7有效
发明人：邓淇;黄珍荣;张洪棋 -专利权人：深圳市道尔顿电子材料有限公司
申请日： 2019-10-28 - 公布日： 2020-08-28 - 主分类号： B05B9/04 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种光刻胶喷涂设备，其结构包括喷涂台，所述喷涂台上设置有固定架，所述固定架上设置有推动器，所述推动器的下端设置有推动杆，所述推动杆的下端设置有装置箱；所述装置箱上设置有盖板、烘干器、增压泵、装胶槽和支撑柱，所述盖板通过螺纹与所述装置箱上方的右侧相连接，所述烘干器通过铆钉与所述装置箱内部的左侧相连接，所述增压泵通过铆钉与所述装置箱内部的右侧相连接，所述装胶槽位于所述装置箱内部的右上方，所述支撑柱通过焊接于所述装置箱的底部的中间处相连接本实用新型实现了对光刻胶喷涂后进行烘干，加快了光刻胶喷涂后干燥的速度，提高了光刻胶喷涂设备的工作效率。
一种光刻喷涂设备

[发明专利]光刻胶涂覆系统及光刻胶涂覆方法-CN202011001558.3在审
发明人：汝长海;朱军辉;翟荣安;王勇 -专利权人：苏州微赛智能科技有限公司
申请日： 2020-09-22 - 公布日： 2020-12-18 - 主分类号： G03F7/16 文献下载
摘要：本发明提供了一种光刻胶涂覆系统及光刻胶涂覆方法。该系统包括：注射泵；振动发生器；气泵；喷头，与注射泵、振动发生器和气泵连接；衬底，承载基片；其中，喷头内安装与振动发生器连接的振动件，振动件振动使光刻胶雾化；衬底包括加热板，加热板对基片加热；喷头与基片相对应，将光刻胶雾化分散于基片上。该方法包括：制备光刻胶稀释液，盛于注射泵中；基片安装于衬底上，调节喷头与基片的相对位置；衬底升温对基片加热；启动注射泵、气泵、振动发生器及喷头，喷头向基片喷涂，形成光刻胶薄膜。该系统及方法，其光刻胶薄膜涂覆的厚度易控制、均匀性好，后期易获得清晰完整的光刻图案；光刻胶浪费少，工艺过程易调节、易控制。
光刻胶涂覆系统方法

[发明专利]一种光刻胶的涂胶工艺-CN201610867848.3在审
发明人：张剑 -专利权人：苏州能讯高能半导体有限公司
申请日： 2016-09-30 - 公布日： 2018-04-06 - 主分类号： G03F7/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种光刻胶的涂胶工艺，所述光刻胶涂布于晶圆的表面上，所述晶圆置于离心机的真空吸盘上，所述晶圆的上方设置有光刻胶喷嘴，所述涂胶工艺包括如下步骤所述光刻胶喷嘴移动至所述晶圆的上方位置1处，同时所述真空吸盘带动所述晶圆以速度1高速旋转；所述光刻胶喷嘴在所述位置1处喷出光刻胶，并沿着所述晶圆的径向以速度2向位置2处移动，移动过程中所述光刻胶喷嘴保持喷胶状态；所述光刻胶喷嘴到达所述位置2处并停留在所述位置2处持续喷胶一段时间后停止喷胶；所述真空吸盘带动所述晶圆以速度3高速旋转，以使喷涂于所述晶圆的表面的光刻胶均匀覆盖于所述晶圆的表面；其能够极大地改善光刻胶在晶圆上涂胶的均匀性。
一种光刻涂胶工艺

[实用新型]一种简易滴胶喷头更换装置-CN202123047526.X有效
发明人：林熔 -专利权人：上海众鸿电子科技有限公司
申请日： 2021-12-06 - 公布日： 2022-07-22 - 主分类号： B05C5/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种简易滴胶喷头更换装置，包括喷涂组件、支座、控温组件、传送组件和夹取组件。其中，喷涂组件用于对晶圆喷涂光刻胶；支座用于放置喷涂组件，且每一支座对应放置有用于喷涂同种光刻胶的喷涂组件；控温组件用于对喷涂组件内的光刻胶控温，控温组件与支座及喷涂组件连接；传送组件上放置有多个支座，并带动多个支座移动，从而带动多种喷涂组件移动，改变喷涂组件的位置；夹取组件从传送组件上夹取任一支座，从而夹取对应喷涂组件，实现喷头的更换。
一种简易喷头更换装置

[发明专利]圆筒形掩模板的涂布装置和涂布方法-CN201310541729.5有效
发明人：刘洋 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2013-11-05 - 公布日： 2019-03-12 - 主分类号： G03F7/16 文献下载
摘要：一种圆筒形掩模板的涂布装置和涂布方法，所述圆筒形掩膜板的涂布装置包括基台，位于基台上且沿扫描面方向移动的压印模板，所述压印模板上开设有凹槽，且所述凹槽内设有图案印章；在所述压印模板的凹槽上方设有向所述凹槽内喷吐光刻胶的光刻胶喷头，所述光刻胶喷头用于向所述凹槽内喷涂光刻胶；在所述压印模板上方设有圆筒形掩膜板，所述圆筒形掩膜板表面贴合压印模板的上表面转动，从而将凹槽内的光刻胶涂覆于圆筒形掩膜板表面，形成厚度均匀的光刻胶层；同时，在所述圆筒形掩膜板表面的光刻胶层上形成与所述图案印章对应的光刻胶图案
圆筒模板装置方法

[发明专利]一种光刻胶喷涂装置的喷头-CN202010713507.7在审
发明人：魏运秀 -专利权人：赣州市业润自动化设备有限公司
申请日： 2020-07-22 - 公布日： 2020-10-27 - 主分类号： B05B1/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种光刻胶喷涂装置的喷头，包括喷头本体，所述喷头本体内成型有上侧开口的储胶腔，储胶腔的底面上成型有多个上下贯穿的喷胶孔；所述储胶腔内套接有隔断板，隔断板上成型有多个与喷胶孔错开设置的通胶孔；本发明可以通过隔断板的下移封堵喷胶孔，可有效减少喷涂完成后喷头内的光刻胶结晶，减少光刻胶的浪费。
一种光刻喷涂装置喷头

[发明专利]具有高台阶结构的硅片表面光刻方法-CN201711352487.X有效
发明人：蒋丽;杨涛 -专利权人：苏州工业园区纳米产业技术研究院有限公司
申请日： 2017-12-15 - 公布日： 2020-03-20 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明涉及一种具有高台阶结构的硅片表面光刻方法，该光刻方法包括以下步骤：S1、提供硅片、光刻胶以及溶剂，硅片的表面具有台阶结构，台阶结构包括台阶顶部、台阶底部、衔接台阶顶部和台阶底部的台阶侧壁以及尖角；S2、将硅片置于烘箱中进行HMDS涂布；S3、将涂布后的硅片放在喷涂机台上，将光刻胶和溶剂以一定比例配制混合均匀，通过喷涂机台以喷涂的方式在硅片上进行光刻胶涂布；S4、将光刻胶涂布后的硅片放在双面曝光机上，根据涂胶膜的厚度调整曝光系数，在台阶顶部和台阶底部同时进行曝光处理，最后通过显影在台阶顶部和台阶底部形成光刻图形。该光刻方法能够实现在具有高台阶的结构硅片的台阶底部和台阶顶部同时实现高分辨率的图形。
具有台阶结构硅片表面光刻方法

[发明专利]光刻胶涂布方法-CN202110410016.X在审
发明人：栾会倩;吴长明;姚振海 -专利权人：华虹半导体（无锡）有限公司
申请日： 2021-04-16 - 公布日： 2021-08-03 - 主分类号： G03F7/16 文献下载
摘要：本申请公开了一种光刻胶涂布方法，涉及半导体制造领域。该光刻胶涂布方法包括在晶圆承载台上放置晶圆；向所述晶圆表面喷涂光刻胶；驱动所述晶圆承载台带动所述晶圆转动，转速大于2000转/分钟，旋转时间小于2秒；驱动所述晶圆承载台带动所述晶圆在预定时间内按预定转速转动；解决了目前当晶圆表面存在高台阶结构时，光刻胶旋涂后影响CD均匀性的问题；达到了提高涂布光刻胶的随行性，令晶圆表面的光刻胶膜厚更加均匀，改善图形CD均匀性的效果。
光刻胶涂布方法

[实用新型]光刻胶喷涂装置和光刻胶喷涂系统-CN201320242042.7有效
发明人：陈宁;刘兴东 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2013-05-07 - 公布日： 2013-11-06 - 主分类号： G03F7/16 文献下载
摘要：一种光刻胶喷涂装置，该光刻胶喷涂装置包括储液瓶和喷头，所述储液瓶上设置有出口，所述喷头与所述储液瓶的出口相连，其中，所述出口位于所述储液瓶的底部，所述喷头位于所述出口的下方，所述储液瓶上还设置有将所述储液瓶的内部与该储液瓶的外部连通的气孔本实用新型还提供一种光刻胶喷涂系统。在本实用新型所提供的光刻胶喷涂装置中，喷头位于储液瓶的出口的下方，且储液瓶上设置有将储液瓶的内部与储液瓶的外部连通的气孔，因此，储液瓶内液体可以借助大气压力和储液瓶内液体自身的重力流向喷头，并从喷头中喷出
光刻喷涂装置系统

[发明专利]涂胶工艺的缺陷监控方法-CN201110218730.5无效
发明人：吕其尧;姜楠;徐建卫 -专利权人：上海先进半导体制造股份有限公司
申请日： 2011-08-01 - 公布日： 2012-01-18 - 主分类号： G03F7/16 文献下载
摘要：本发明提供了一种涂胶工艺的缺陷监控方法，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上喷涂有机溶剂；在所述半导体衬底上旋涂光刻胶；在旋涂光刻胶之后，曝光之前，对所述光刻胶进行缺陷扫描。
涂胶工艺缺陷监控方法

[发明专利]一种超声波光刻胶喷涂装置-CN201610499735.2在审
发明人：黄大勇 -专利权人：湖北泰晶电子科技股份有限公司
申请日： 2016-06-30 - 公布日： 2016-09-07 - 主分类号： G03F7/16 文献下载
摘要：一种超声波光刻胶喷涂装置，包括超声波喷头以及位于超声波喷头下方的工作台，其特征在于：所述超声波喷头固定在X轴移动机械臂上，所述X轴移动机械臂上还固定有喷头偏转电机，所述喷头偏转电机的传动端与超声波喷头相连接本发明可以使晶片的上下面和侧面均匀喷涂光刻胶，上下面的光刻胶厚度误差小于5%，侧面的光刻胶厚度大于10微米，加热载板可使光刻胶短时间内固化，减少流动性，保证侧臂可以多层覆盖，使晶片侧面覆盖均匀。
一种超声波光刻喷涂装置

[实用新型]一种超声波光刻胶喷涂装置-CN201620672957.5有效
发明人：黄大勇 -专利权人：湖北泰晶电子科技股份有限公司
申请日： 2016-06-30 - 公布日： 2017-04-12 - 主分类号： G03F7/16 文献下载
摘要：一种超声波光刻胶喷涂装置，包括超声波喷头以及位于超声波喷头下方的工作台，其特征在于所述超声波喷头固定在X轴移动机械臂上，所述X轴移动机械臂上还固定有喷头偏转电机，所述喷头偏转电机的传动端与超声波喷头相连接本实用新型可以使晶片的上下面和侧面均匀喷涂光刻胶，上下面的光刻胶厚度误差小于5%，侧面的光刻胶厚度大于10微米，加热载板可使光刻胶短时间内固化，减少流动性，保证侧臂可以多层覆盖，使晶片侧面覆盖均匀。
一种超声波光刻喷涂装置

[发明专利]一种基于芯片加工的晶圆喷胶机构-CN202211212591.X在审
发明人：吴雨欣 -专利权人：吴雨欣
申请日： 2022-09-29 - 公布日： 2022-12-09 - 主分类号： B05C5/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于芯片加工的晶圆喷胶机构，其结构包括喷胶驱动器、电控箱、控制面板、支撑底座、晶圆固定座，还包括自整平喷胶装置，支撑底座呈水平放置，控制面板通过螺栓固定于支撑底座正面，电控箱安装于支撑底座上表面右端，晶圆固定座水平固定于支撑底座上表面左端，喷胶驱动器处于晶圆固定座后方，自整平喷胶装置嵌套于喷胶驱动器底部，本发明通过设有自整平喷胶装置，进而在对晶圆进行喷胶时，可以自动对光刻胶进行整平，同时对喷涂在晶圆上的光刻胶进行除泡，促使光刻胶均匀填满在晶圆表面，进一步提升了光刻胶在晶圆上的喷涂效果。
一种基于芯片加工晶圆喷胶机构