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[发明专利]磁性随机存储器的磁性隧道结结构-CN201910677949.8有效
发明人：张云森;郭一民;陈峻;肖荣福 -专利权人：上海磁宇信息科技有限公司
申请日： 2019-07-25 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H10N50/80 文献下载
摘要：本申请提供一种磁性随机存储器的磁性隧道结结构，所述磁性隧道结结构的反铁磁层设置两铁磁超晶格层及其之间的垂直各向异性增强层，实现具有面心立方晶体结构的反铁磁层到具有体心立方堆积参考层之间的晶格转换和强铁磁耦合
磁性随机存储器隧道结构

[发明专利]由钛合金制备的关节假体-CN200680006075.4有效
发明人： S·巴利克泰;A·凯勒 -专利权人：沃尔德马连接两合公司
申请日： 2006-02-27 - 公布日： 2008-02-20 - 主分类号： A61F2/36 文献下载
摘要：本发明涉及具有由钛合金制备的柄的关节假体；根据本发明，至少所述柄(10)是精密铸造的并具有体心立方晶体结构。具有所述晶体结构的钛合金(称作β－钛合金)有利地具有和生理学需求匹配的低弹性模量。特别便利的是以人工髋关节的股骨假体(1)的形式实施，其具有长柄(10)，柄上具有用于骨锚定的凹槽(14)和锯齿状凸起(15)。
钛合金制备节假

[发明专利]一种具有谐波结构多层复合钢的制备方法-CN202211633113.6在审
发明人：刘宝玺;丁佳乐;林曾孟;杨博;冯建航;殷福星 -专利权人：河北工业大学
申请日： 2022-12-19 - 公布日： 2023-04-11 - 主分类号： B21B1/38 文献下载
摘要：本发明为一种具有谐波结构多层复合钢的制备方法。该方法选取FCC面心立方结构的奥氏体钢和BCC体心立方结构的铁素体钢这两种不同晶体结构的金属材料间隔分布，采用真空热轧+冷轧+热处理工艺，通过控温轧制获得具有谐波结构的多层复合钢。本发明所获得的谐波结构多层复合钢的强塑性得到了较大提高，实现了强韧化的目的，并且为层/网耦合界面提供了新思路。
一种具有谐波结构多层复合制备方法

[发明专利]低温下立方和六方InN及其与AlN的合金的等离子体辅助原子层外延-CN201380032385.3有效
发明人：倪瑞·尼泊尔;查尔斯·R·埃迪;纳迪姆拉·A·马哈迪克;赛义德·B·卡德里;迈克尔·J·梅尔 -专利权人：美国海军部政府代表
申请日： 2013-06-13 - 公布日： 2017-09-29 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：本发明描述了生长氮化铟(InN)材料的方法，其通过在低于300℃的温度下使用脉冲生长方法生长六方和/或立方InN。还描述了一种材料，其包含具有NaCl型晶相的面心立方晶格晶体结构的InN。
低温立方 inn 及其 aln 合金等离子体辅助原子外延

[发明专利]基于分子动力学的铸造高铬合金的建模方法-CN201610121445.4有效
发明人：郭晓光;李洋;翟昌恒;康仁科;金洙吉 -专利权人：大连理工大学
申请日： 2016-03-03 - 公布日： 2017-11-10 - 主分类号： B22D21/02 文献下载
摘要：本发明基于分子动力学的铸造高铬合金的建模方法属于合金材料结构设计领域，涉及一种基于分子动力学方法高铬合金的建模方法。建模方法利用分子动力学建模软件进行铸造高铬合金的组成结构的建模，先获取铸造高铬合金的特征参数，构造体心立方晶体结构的原子模型、构造面心立方晶体结构的原子模型；再通过置换程序，以铬原子置换出模型中的现有原子该建模方法能准确反映合金的微观组织成分和结构，对研究合金的性质和加工方法具有现实意义。
基于分子动力学铸造合金建模方法

[发明专利]具有面心立方结构的高纯度TiB陶瓷粉末及其制备方法-CN201010281267.4有效
发明人：胡建东;董鲜峰;陶思托 -专利权人：胡建东
申请日： 2010-09-15 - 公布日： 2010-12-22 - 主分类号： C04B35/58 文献下载
摘要：本发明涉及一种具有面心立方结构的高纯度TiB陶瓷粉末及其制备方法。TiB陶瓷粉末是由Ti元素和B元素组成的化合物，化学式为TiB，化学组分为40～60％Ti和40～60％B元素，原子比例和化学组分相同；在低于熔点温度时，它为固体粉末状态，具有晶体结构，原子按面心立方点阵方式排列，即TiB晶体由面心立方晶胞组成，面心立方晶胞的特征是当原子以面心平移时，可以得到周围环境完全相同的原子。
具有立方结构纯度 tib 陶瓷粉末及其制备方法

[发明专利]一种钽基抗腐蚀防护复合涂层及其制备方法与应用-CN202010600436.X有效
发明人：李金龙;朱烨彪;王立平 -专利权人：中国科学院宁波材料技术与工程研究所
申请日： 2020-06-28 - 公布日： 2022-06-17 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：所述制备方法包括：所述复合涂层主要由Ta层和Ta(Al\Si)C层交替叠加形成，所述Ta(Al\Si)C层是由Al和/或Si掺杂TaC形成的，所述Ta(Al\Si)C层具有面心立方晶体结构，所述Ta层具有体心立方结构本发明制备的钽基抗腐蚀防护复合涂层有典型的面心立方结构，且所述Ta(Al\Si)C层的晶粒尺寸在10nm以下，Ta层具有体心立方结构，复合涂层同时表现出较好的热稳定性和抗氧化性能；本发明通过简单的磁控溅射方法
一种钽基抗腐蚀防护复合涂层及其制备方法应用

[发明专利]铜互连的半导体器件的制造方法及其结构-CN200610030628.1有效
发明人：高建峰;王晓艳;刘艳吉;汪钉崇 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2006-08-31 - 公布日： 2008-03-05 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种铜互连的半导体器件的制造方法，包括提供带有介质隔离层和铜布线层的半导体衬底，铜布线层镶嵌于介质隔离层中；在铜布线层和介质隔离层表面形成扩散阻挡层，扩散阻挡层为面心立方结构的氮化钽材料；在扩散阻挡层上形成铝垫层相应地，本发明提供一种基于上述方法形成的结构。本发明通过改变沉积扩散阻挡层的工艺及其形成的结构，把TaN薄膜的晶体结构由体心立方结构改变为面心立方结构，覆盖在Cu布线层上更为致密，尤其对于金属台阶部分的“弱区”，更好地阻挡了铜向Al垫层扩散和电迁移
互连半导体器件制造方法及其结构

[发明专利]全禁带三维光子晶体压印成型方法及全禁带三维光子晶体结构-CN200810018360.9无效
发明人：刘洪忠;丁玉成;李欣;蒋维涛;连芩;卢秉恒 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2008-06-03 - 公布日： 2008-11-12 - 主分类号： G03F7/00 文献下载
摘要：本发明涉及微纳制造技术领域，介绍了一种全禁带三维光子晶体的压印成型制造方法及全禁带三维光子晶体结构。以高分子聚合物硅橡胶或聚甲基丙烯酸甲酯作为基体材料，采用纳米压印的方式在高分子聚合物基体材料中填入单分散胶体颗粒(聚苯乙烯、二氧化硅或二氧化钛)，使单分散胶体颗粒在高分子聚合物基体材料中形成面心立方结构在压印模板凸起部分吸附单分散胶体颗粒，并以微接触式纳米压印工艺使单分散胶体颗粒在液态高分子聚合物基体材料上形成了具有面心立方111面的二维结构，其中单分散胶体颗粒即为面心立方111面上的基元，之后逐层叠加，最终形成具有面心立方结构的全禁带三维光子晶体。
全禁带三维光子晶体压印成型方法晶体结构

[发明专利]一种普鲁士蓝类似物包覆的固态电池正极材料及其制备方法-CN202310258785.1在审
发明人：别晓非;翟喜民;杨贺捷;何丽红;郝雪纯;赵孟迪;姜涛;孙焕丽 -专利权人：中国第一汽车股份有限公司
申请日： 2023-03-17 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： H01M4/131 文献下载
摘要：本说明书公开了一种普鲁士蓝类似物包覆的固态电池正极材料及其制备方法，所述固态电池正极材料包括正极活性物质和包覆层；所述正极活性物质为含Li氧化物；所述包覆层为具有立方体形框架晶体结构的普鲁士蓝类似物；所述普鲁士蓝类似物包覆层的分子结构式为1[M2(CN)6]y；其中，所述A为碱金属元素；在立方体形框架晶体结构中，金属原子M1和M2交替占据立方体的8个顶点；金属原子M1和M2之间由C原子和N原子所形成的CN三键所连接，CN三键位于立方体的12条棱上；A离子位于立方体的体心位置。
一种普鲁士类似物固态电池正极材料及其制备方法

[发明专利]基于铬的反射涂层-CN201380012348.6有效
发明人： D·R·埃文斯;K·朱伯;C·J·霍尔;S·D·菲尔德 -专利权人： SMR专利责任有限公司;南澳大学
申请日： 2013-01-24 - 公布日： 2016-11-30 - 主分类号： C23C14/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种用于聚合物型基材的基于铬的反射涂层，其中所述涂层具有200nm或更小的厚度，并且是铬与掺杂材料的合金，所述掺杂材料选自六方密堆积的过渡金属，所述合金具有主要的体心立方相与次要的Ω六方密堆积相共存的晶体结构
基于反射涂层

[发明专利]一种TaN涂层及其制备方法与应用-CN201910948918.1在审
发明人：李金龙;朱烨彪;王立平 -专利权人：中国科学院宁波材料技术与工程研究所
申请日： 2019-10-08 - 公布日： 2019-12-24 - 主分类号： C23C14/06 文献下载
摘要：涂层的制备方法包括：采用磁控溅射技术，以Ta纯金属靶为靶材，以氮气及保护性气体为工作气体，对基体施加负偏压，对Ta纯金属靶施加靶电率，在所述基体表面沉积形成TaN涂层，所述TaN涂层具有以(200)为择优取向的面心立方晶体结构、以(111)为择优取向的面心立方晶体结构或非晶结构。本发明从沉积过程中的氮含量入手，结合TaN涂层的多种结构的特性，采用磁控溅射法并调控氮气流量占比可以得到不同结构的TaN涂层；并且制备得到的TaN涂层具有较高的硬度，在800℃以下成分性能保持稳定，有较好的抗氧化性能
制备面心立方晶体结构择优取向纯金属沉积施加磁控溅射技术氮气保护性气体磁控溅射法抗氧化性能氮气流量非晶结构高温防护工作气体基体表面性能保持负偏压潜在的靶材电率应用调控

[发明专利]磁致电阻效应元件、磁头、磁再生装置和磁存储器-CN200410094160.3无效
发明人：汤浅裕美;福泽英明;桥本进;岩崎仁志 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2004-12-24 - 公布日： 2005-07-13 - 主分类号： G11B5/39 文献下载
摘要：该磁致电阻效应元件可控制晶体取向性和晶粒粒径，可实现高的磁致电阻变化量。其特征在于包括：磁致电阻效应膜，该磁致电阻效应膜具有：磁化方向实质上固定在一个方向上的磁化固定层、在上述磁化固定层上形成的非磁性金属中间层、在上述非磁性金属中间层上形成的具有磁化方向随外部磁场变化的磁性体膜的磁化自由层，且上述磁化固定层或非磁性中间层包含调节电阻的绝缘部；以及用来在与上述磁致电阻效应膜的膜面大致垂直的方向上通检测电流的电气连接的一对电极，且上述磁化自由层包含晶体结构是体心立方晶格的体心立方晶格层，上述体心立方晶格层的厚度
致电效应元件磁头再生装置磁存储器

[发明专利]立方相晶体结构物质的使用和制备方法-CN201210040627.0在审
发明人：邓志刚;彭文庆;傅琪佳;张晓;林川;王世忠 -专利权人：通用电气公司
申请日： 2012-02-21 - 公布日： 2013-08-21 - 主分类号： F01N3/035 文献下载
摘要：本发明涉及一种立方相晶体结构物质的使用方法，其包括：制备含碳物质和有效剂量的分子式为(Na2O)xNa2[Al2Si2O8]的一种或多种立方相晶体结构物质的混合物，其中0＜x≤1；及加热制备所得的混合物至氧化起始温度本发明也涉及立方相晶体结构物质的制备方法。
立方晶体结构物质使用制备方法

[发明专利]一种Cu-Fe-Al-O纳米颗粒材料的制备方法-CN201910063891.8有效
发明人：何战兵;郭慧杰;孙海涛 -专利权人：北京科技大学
申请日： 2019-01-23 - 公布日： 2020-10-20 - 主分类号： C01G49/00 文献下载
摘要：本发明公开一种Cu‑Fe‑Al‑O纳米颗粒材料及其制备方法，包括立方体形貌纳米颗粒和八面体相貌纳米颗粒。其制备方法是在低温加热下，将Al‑Cu‑Fe合金粉末在NaOH溶液中脱合金化后干燥而制得。其中，Cu‑Fe‑Al‑O立方体形貌纳米颗粒的平均粒径为160nm，是一种晶体结构为面心立方的晶体相；Cu‑Fe‑Al‑O八面体形貌纳米颗粒的平均粒径为370nm，同样为面心立方相。同时该纳米结构具有大的比表面积的优点，可以提供大量的反应活性位点，在甲醇水蒸气重整制氢等催化反应上有很大的应用潜力。
一种 cu fe al 纳米颗粒材料制备方法