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[发明专利]一种低碳高钨合金钢及低碳高钨合金钢本体的制备方法-CN201610569374.4有效
发明人：钟黎声;张曦;许云华;燕映霖;赵梓源;赵娜娜;蔡小龙;陈利萍 -专利权人：西安理工大学
申请日： 2016-07-20 - 公布日： 2018-11-27 - 主分类号： C23C8/22 文献下载
摘要：本发明公开了一种低碳高钨合金钢及低碳高钨合金钢本体的制备方法，涉及低碳高钨合金钢本体技术领域，所述低碳高钨合金钢本体包括：低碳高钨合金钢本体，所述低碳高钨合金钢本体表面设有多个凹陷管状体，且所述低碳高钨合金钢本体表面和所述凹陷管状体的内表面均设有碳化钨增强层本发明可以通过碳化钨增强层有效增加低碳高钨合金钢本体的表面复合厚度，提高了低碳高钨合金钢本体的耐磨性能和韧性。
一种低碳高钨合金钢本体制备方法

[发明专利]对多类钨矿物联合分解深度提取钨的方法-CN200510032011.9有效
发明人：姚珍刚;梁卫东;黄良才;李春海;姜文伟 -专利权人：郴州钻石钨制品有限责任公司
申请日： 2005-08-15 - 公布日： 2006-02-08 - 主分类号： C22B34/36 文献下载
摘要：本发明公开了一种对多类钨矿物联合分解深度提取钨的方法，包括白钨压煮渣、钨中矿压煮渣、黑钨压煮渣加液碱进行钨渣高碱二次压煮；二次压煮渣和低钨高碱溶液分离，二次压煮渣废弃堆放；低钨高碱溶液压煮白钨精矿与钨中矿；含钨含碱溶液与(白钨精矿与钨中矿)压煮渣分离，渣转入二次压煮配料；含钨含碱溶液压煮黑钨精矿，黑钨压煮渣和低碱钨酸钠溶液分离，低碱钨酸钠溶液转移冶炼后续工序处理，渣转入二次压煮配料。本发明不仅能够深度提取钨矿中的钨，充分利用钨资源，同时还能解决苛性钠的回收利用问题。
多类钨矿物联合分解深度提取方法

[发明专利]一种不同成分钨合金同炉烧结制备的方法-CN202011362006.5有效
发明人：赵永华;郑军;张广卫;潘王虎;白磊;张磊;杨孟霞;吕娟宁 -专利权人：西安华山钨制品有限公司
申请日： 2020-11-27 - 公布日： 2021-09-24 - 主分类号： C22C1/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种不同成分钨合金同炉烧结制备的方法，该方法包括：一、选用细钨粉、细镍粉并添加超细铁粉混合得到活化高钨混合料；二、选用粗钨粉、镍粉并添加铁粉混合得到钝化低钨混合料；三、分别采用冷等静压压制成形得到活化高钨压坯和钝化低钨压坯；四、将活化高钨压坯和钝化低钨压坯进行同炉烧结，分别得到高钨合金和低钨合金。本发明通过对高钨合金和低钨合金原料成分及含量的选择和设计，降低了活化高钨混合料的烧结温度并提高了钝化低钨混合料的烧结温度，使得两者的烧结温度与保温时间趋同，实现同炉烧结的目的，缩短了不同成分钨合金的烧结周期
一种不同成分合金烧结制备方法

[发明专利]一种卫星用配重块及其制造工艺-CN201810962694.5在审
发明人：金益民;吴晓娜;李超 -专利权人：浙江恒成硬质合金有限公司
申请日： 2018-08-22 - 公布日： 2020-03-03 - 主分类号： B64G1/24 文献下载
摘要：本发明公开了一种卫星用配重块，在高牌号钨合金配重块本体上开有放置孔，低牌号钨合金柱体设置在放置孔内，低牌号钨合金柱体上开有螺纹孔。其制造工艺为在高牌号钨合金配重块上开孔并塞入低牌号钨合金柱，然后进行液相烧结，在原低牌号钨合金柱体的位置上开螺纹孔。本发明的优点是：通过在高牌号钨合金配重块本体上开放置孔，塞入低牌号钨合金柱体，而高牌号钨合金配重块本体和低牌号钨合金柱体，经过液相烧结后两者融为一体，在原低牌号钨合金柱体的位置其硬度稍低，在其位置开设固定用的螺纹孔
一种卫星配重及其制造工艺

[发明专利]一种含钨低品位钼精矿的综合冶炼方法-CN202210648447.4在审
发明人：李永立;赵中伟 -专利权人：郑州大学
申请日： 2022-06-09 - 公布日： 2023-07-11 - 主分类号： C22B34/34 文献下载
摘要：本发明涉及一种含钨低品位钼精矿的综合冶炼方法，属于金属冶炼技术领域，用于解决现有的含钨低品位钼精矿的高效回收与钨钼分离难的问题。包括：步骤1.在氧压和水的条件下，采用磷酸为浸出剂氧压煮浸出含钨低品位钼精矿，实现钼和钨的浸出；步骤2.浸出后过滤，得到含有钼和钨的浸出液之后，使用萃取剂从浸出液中选择性萃取钼，得到含钨萃余液和含钼的萃取液，实现钼的分离；步骤3.采用离子交换树脂或萃取剂从含钨萃余液中提钨。本发明的方法能够实现对含钨低品位钼精矿中对钼和钨的高效回收。
一种含钨低品位精矿综合冶炼方法

[发明专利]钨膜的形成方法及使用其的半导体装置的布线的形成方法-CN200810080788.6无效
发明人：河佳英;金俊基 -专利权人：海力士半导体有限公司
申请日： 2008-02-18 - 公布日： 2009-06-03 - 主分类号： H01L21/3205 文献下载
摘要：本发明公开了一种钨膜的形成方法和半导体装置的布线的形成方法。该钨膜的形成方法包括在半导体基底上方形成具有非晶相和β相至少其一的钨成核层。随后在钨成核层上方形成具有α相的第一钨层，以形成低电阻率钨膜。在第一钨层上方通过物理气相沉积工艺形成第二钨层，且该第二钨层具有与该低电阻率钨膜类似的大的晶粒尺寸。该钨膜同时具有良好的表面粗糙度与低的电阻率，由此提高半导体装置的生产良率及可靠性。
形成方法使用半导体装置布线

[发明专利]一种高碳酸钙型低品位白钨矿的选矿方法-CN202010530240.8有效
发明人：刘书杰;王中明;刘方;肖巧斌;谭欣;凌石生;赵晨 -专利权人：矿冶科技集团有限公司
申请日： 2020-06-11 - 公布日： 2021-12-10 - 主分类号： B02C21/00 文献下载
摘要：本发明提供一种高碳酸钙型低品位白钨矿的选矿方法，所述方法包括：在原矿入磨前，抛除矿石中比重低于白钨和萤石的轻比重矿物；将磨矿后的矿浆先进行白钨萤石混合浮选得到白钨萤石混合粗精矿和尾矿Ⅰ；然后将所述白钨萤石混合粗精矿精选分离得到白钨萤石为主的高品位混合精矿和白钨碳酸钙为主的低品位白钨粗精矿；再将所述白钨萤石为主的高品位混合精矿加温浮选分离获得白钨精矿Ⅰ和萤石精矿；将所述白钨碳酸钙为主的低品位白钨粗精矿加温浮选分离获得白钨精矿Ⅱ和尾矿Ⅱ。本发明避免了大量易浮萤石在常规白钨矿优先浮选流程中损失在白钨加温浮选尾矿中的情况发生，实现了白钨的分步回收和萤石的综合回收。
一种碳酸钙品位白钨矿选矿方法

[发明专利]一种制取高纯仲钨酸铵的工艺-CN200810134873.6有效
发明人：余欢荣;李锦华;王光明;谢金明;肖健全 -专利权人：江西稀有稀土金属钨业集团有限公司
申请日： 2008-08-05 - 公布日： 2010-02-10 - 主分类号： C01G41/00 文献下载
摘要：一种制取仲钨酸铵的工艺，可获得有色金属产品——低杂质含量的仲钨酸铵，它的杂质含量低，小于70ppm，可直接用于制取低杂质含量的钨粉等钨的深加工产品。以钨精矿(Fe，Mn)WO₄、白钨(CaWO₄)、或钨中矿为原料，通过(1)制取钨酸钠溶液工序；(2)钨酸钠溶液的离子交换工序；(3)钨酸铵溶液除杂过滤工序；
一种制取高纯仲钨酸铵工艺

[发明专利]一种高铜-低钨Cu-W复合材料的制备方法-CN201910701839.0有效
发明人：李秀青;魏世忠;杨晴霞;张敏杰;徐流杰;周玉成;陈冲;毛丰;潘昆明;张程;张国赏;游龙;刘伟 -专利权人：河南科技大学
申请日： 2019-07-31 - 公布日： 2021-04-13 - 主分类号： C22C1/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种高铜‑低钨Cu‑W复合材料的制备方法，属于金属及其复合材料领域，首先制备Cu质量分数为30%的高钨‑低铜纳米复合粉末，以硝酸铜和钨酸钾为原料，配制成溶液并混合，经调pH值后，水热反应，经水洗、沉淀、干燥、焙烧得到WO3‑CuO混合粉末；再将WO3‑CuO混合粉末经氢气还原后得到高钨‑低铜纳米复合粉末；然后在高钨‑低铜纳米复合粉末中掺入纳米Cu粉，然后均匀混合，得到高铜‑低钨纳米复合粉末。经热等静压烧结后，得到高性能高铜‑低钨复合材料。本发明工艺过程简单，所制备的高铜‑低钨复合材料，其性能明显优于公开报道的同成分复合材料的性能指标，具有十分广阔的应用前景和推广价值。
一种 cu 复合材料制备方法

[发明专利]一种低品位钨精矿、钨渣的处理方法-CN201310594468.3有效
发明人：孙伟;韩海生;刘文莉;唐鸿鹄 -专利权人：中南大学
申请日： 2013-11-22 - 公布日： 2014-03-05 - 主分类号： C22B1/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种低品位钨精矿、钨渣的处理方法，该方法是将低品位钨精矿或钨渣与煤粉及还原焙烧强化剂混合后，进行还原焙烧；还原焙烧所得产物经研磨后进行中性浸出，得到钨酸盐溶液和浸出渣，浸出渣采用磁场进行磁选分离，得到精铁矿和有价金属尾矿；有价金属尾矿依次经稀盐酸脱硅、浓盐酸浸出锰后，再用氢氟酸浸出钽和铌，制备出钽和铌产品；该方法有效地将低品位钨精矿、钨渣中难以提取的有价元素（钨、铁、铜、锰、铋、钴、钽、铌等）的高效富集和分离回收，从而实现低品位钨精矿或钨渣中有价元素的资源化综合利用；且该方法采用的设备简单，流程短，操作简便，经济可靠，有利于工业化生产。
一种品位精矿处理方法

[发明专利]一种利用含水硅酸钠从含钨原料中提取钨的方法-CN202011343938.5有效
发明人：孙伟;胡岳华;刘航;陈攀;韩海生;杨磊 -专利权人：中南大学
申请日： 2020-11-25 - 公布日： 2022-04-26 - 主分类号： C22B34/36 文献下载
摘要：本发明公开了一种利用含水硅酸钠从含钨原料中提取钨的方法，将含钨物料与含水硅酸钠混合研磨后，先进行焙烧脱水，再进行高温烧结，所得烧结料采用水浸出，得到钨酸钠溶液。该方法对含钨原料中的钨含量要求极低，WO3品位低至0.5％仍然可完成高效分解和提取，可处理低品位黑/白钨矿精矿、钨冶炼渣、含钨催化剂、含钨废合金等，极大程度上降低了传统钨提取方法中对含钨物料中钨含量的高要求
一种利用含水硅酸钠原料提取方法

[发明专利]一种用于制备低钴极粗晶硬质合金的组合物、低钴极粗晶硬质合金及其制备方法和应用-CN202211375813.X在审
发明人：刘槟赫;张颢;刘国强;何衡;邹卓宏 -专利权人：株洲硬质合金集团有限公司
申请日： 2022-11-04 - 公布日： 2023-01-10 - 主分类号： C22C29/08 文献下载
摘要：本发明提出了一种用于制备低钴极粗晶硬质合金的组合物、低钴极粗晶硬质合金及其制备方法和应用。低钴极粗晶硬质合金的制备原料包括碳化钨、钴粉、添加剂和成型剂，以碳化钨、钴粉和添加剂的总重量计，碳化钨的用量为93wt％～96wt％，其中，碳化钨包括极粗晶碳化钨、超细晶碳化钨，以碳化钨的总重量计，极粗晶碳化钨的含量为80wt％～95wt％，极粗晶碳化钨的费氏粒度为28μm～38μm，超细晶碳化钨的低温氮吸附粒度Bet为0.1μm‑0.4μm。采用本发明制备的低钴极粗晶硬质合金，有效解决了低钴极粗晶硬质合金的高韧性与高耐磨性难以兼顾的问题，可应用于桩基旋挖、煤炭开采及巷道掘进等领域。
一种用于制备低钴极粗晶硬质合金组合及其方法应用

[发明专利]一种钨基面向等离子体材料及其制备方法-CN201210048323.9有效
发明人：罗广南;赵四祥;刘凤;李强;王万景;谢春意 -专利权人：中国科学院等离子体物理研究所
申请日： 2012-02-29 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： C22C47/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种钨基面向等离子体材料及其制备方法，其是由利用不至于损伤钨纤维的混粉方法使钨粉粉末与钨纤维混合均匀，然后利用热等静压工艺烧结制备块体纤维增韧钨基材料而得，且所述的钨粉是纯钨粉末、钨铼合金粉末，或掺杂碳化物和氧化物的钨粉粉末中的一种，所述的钨纤维是纯钨丝或钨铼等合金丝。本发明具有高导热、高熔点摄氏度、低溅射产额、低氢同位素滞留和低蒸气压的优点，同时成本低，具有较大的韧性。
一种面向等离子体材料及其制备方法

[发明专利]实现低电阻率钨特征填充的钨成核工艺-CN201910418672.7在审
发明人：拉什纳·胡马雍;苏达哈·曼安达哈;迈克尔·丹克 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2014-12-29 - 公布日： 2019-10-08 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明涉及实现低电阻率钨特征填充的钨成核工艺，具体公开了一种在半导体加工中用于在半导体基底的特征中沉积低电阻率钨的方法。所述方法涉及在钨成核层沉积期间使用含锗还原剂以实现薄的且低电阻率的成核层。
低电阻率特征填充成核沉积半导体基底半导体加工钨成核层成核层还原剂

[发明专利]实现低电阻率钨特征填充的钨成核工艺-CN201410856793.7有效
发明人：拉什纳·胡马雍;苏达哈·曼安达哈;迈克尔·丹克 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2014-12-29 - 公布日： 2019-06-18 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明涉及实现低电阻率钨特征填充的钨成核工艺，具体公开了一种在半导体加工中用于在半导体基底的特征中沉积低电阻率钨的方法。所述方法涉及在钨成核层沉积期间使用含锗还原剂以实现薄的且低电阻率的成核层。
实现电阻率特征填充成核工艺

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