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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]高频低插损开关-CN201810402595.1有效
发明人：伍晶;裘华英;罗文玲 -专利权人：成都通量科技有限公司
申请日： 2018-04-28 - 公布日： 2021-07-06 - 主分类号： H03K17/687 文献下载
摘要：本发明提供高频低插损开关，属于通信技术领域。
高频低插损开关

[实用新型]低插损铁氧体微波器件-CN201120510859.9有效
发明人：黄宁;朱洁文 -专利权人：捷考奥电子（上海）有限公司
申请日： 2011-12-09 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： H01P1/36 文献下载
摘要：一种低插损铁氧体微波器件，涉及微波器件技术领域，所解决的技术问题是降低插损。该低插损铁氧体微波器件，包括铁氧体器件本体，其特征在于：所述铁氧体器件本体的一个侧面上涂有一层金属银涂层，金属银涂层的厚度为0.002±0.0005mm。本实用新型的积极效果是：在铁氧体表面薄薄涂覆一层厚度为0.002±0.0005mm金属银涂层，能将插损降至0.2dB以下，远低于现有铁氧体微波器件。
低插损铁氧体微波器件

[实用新型]低插损铁氧体微波器件-CN202223112313.5有效
发明人：王春明;江艾蔚;王昆仑 -专利权人：苏州工业园区凯艺精密科技有限公司
申请日： 2022-11-23 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： H01P1/38 文献下载
摘要：本实用新型提供了低插损铁氧体微波器件，包括连接组件，所述连接组件包括底板、安装板、安装槽、铁氧体微波器件中心导体、银涂层、连接器、支撑板、盲槽、保护盖、通槽和锁扣。本实用新型通过在铁氧体微波器件中心导体的外部涂覆银涂层，可降低铁氧体微波器件中心导体的表面电阻，从而可降低铁氧体微波器件的插损，在连接外部终端时，取下保护盖，将外部终端的接口直接与连接器连接，连接器与铁氧体微波器件中心导体的引脚相连，可实现铁氧体微波器件与外部终端的连接，无需再连接配线，这种直接的连接方式在产品电性能方面减少了通路插入损耗，配合银涂层可大幅降低铁氧体微波器件的插损；利于铁氧体微波器件的使用。
低插损铁氧体微波器件

[发明专利]一种用于实现小波变换的宽带低插损声表面波滤波器组-CN201210019832.9有效
发明人：蒋华;卢文科;徐晨;章国安;谢正光 -专利权人：东华大学
申请日： 2012-01-21 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： H03H9/64 文献下载
摘要：本发明提供了一种用于实现小波变换的宽带低插损声表面波滤波器组，其特征在于：由N通道宽带低插损声表面波滤波器构成，N≥1，每个宽带低插损声表面波滤波器均为线性相位滤波器，它们具有相等的延时时间，各个宽带低插损声表面波滤波器的Q值相同，它们的中心频率之间呈固定倍数递增，并且各个宽带低插损声表面波滤波器在3dB带宽处相交。本发明解决了用声表面波滤波器组来实现小波变换存在的难以实现实时处理或要求信号处理电路具有固定的延时时间的问题，每个通道的滤波器均为线性相位和相同的群延时，并具有宽带、低插入损耗，适应于通信系统中频模拟信号处理的特点
一种用于实现变换宽带低插损声表面波滤波器

[实用新型]低插损微波数字移相器-CN201820390146.5有效
发明人：许建军 -专利权人：成都天芯微科技有限公司
申请日： 2018-03-21 - 公布日： 2018-08-03 - 主分类号： H03H11/22 文献下载
摘要：本实用新型公开了低插损微波数字移相器，涉及一种低插损微波数字移相器，包括输入端、输出端，输入端连接第一电桥A1的第一输入口，第一电桥A1的输出口连接第二电桥A2的第一输入口，第二电桥A2的输出口连接输出端
控制模块电桥输入口微波数字移相器插损本实用新型相位切换输出端输出口输入端连接移相器单元插入损耗输入端改进

[发明专利]一种低插损的耦合工艺方法-CN201210479766.3无效
发明人：戴志坚 -专利权人：镇江华坚电子有限公司
申请日： 2012-11-23 - 公布日： 2013-02-27 - 主分类号： G02B6/255 文献下载
摘要：本发明提供了一种低插损的耦合工艺方法，包括输入单纤（1）、平面波导芯片（2）、输出光纤阵列（3），其特征在于：输入单纤（1）、平面波导芯片（2）、输出光纤阵列（3）为一个整体。这样应用于一种低插损的耦合工艺方法中，最大程度缩小芯片插损标准值和成品插损值间的差距，避免了自动监控系统因为误差造成的损耗偏大，性能不稳定等现象，同时降低生产成本。
一种低插损耦合工艺方法

[发明专利]低插损铁氧体微波器件及其铁氧体加工方法-CN201110407710.2在审
发明人：黄宁;朱洁文 -专利权人：捷考奥电子（上海）有限公司
申请日： 2011-12-09 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： H01P1/36 文献下载
摘要：一种低插损铁氧体微波器件及其铁氧体加工方法，属微波器件技术领域，所解决的技术问题是降低插损。该低插损铁氧体微波器件，包括铁氧体器件本体，其特征在于：所述铁氧体器件本体的一个侧面上涂有一层金属银涂层。将银浆在铁氧体表面薄薄涂覆一层，能将插损降至0.2dB以下，其远低于现有铁氧体微波器件。
低插损铁氧体微波器件及其加工方法

[发明专利]一种低插损环形器-CN202011608553.7在审
发明人：刘玉敏;张典鹏;王春明;邱文才;刘朝胜 -专利权人：广东大普通信技术有限公司
申请日： 2020-12-30 - 公布日： 2021-04-20 - 主分类号： H01P1/38 文献下载
摘要：本发明涉及电子元器件技术领域，公开一种低插损环形器，包括外壳和磁性组件，外壳内设有腔体，磁性组件设于腔体中，磁性组件包括：PCB基板，PCB基板上设有中心下沉孔，PCB基板上连接有若个干电容元件和电阻元件本发明提供的低插损环形器能够降低插入损耗，降低环形器的高度，提高中心导体的固定稳定性。
一种低插损环形

[实用新型]一种低插损环形器-CN202023273008.5有效
发明人：刘玉敏;张典鹏;王春明;邱文才;刘朝胜 -专利权人：广东大普通信技术有限公司
申请日： 2020-12-30 - 公布日： 2021-08-13 - 主分类号： H01P1/38 文献下载
摘要：本实用新型涉及电子元器件技术领域，公开一种低插损环形器，包括外壳和磁性组件，外壳内设有腔体，磁性组件设于腔体中，磁性组件包括：PCB基板，PCB基板上设有中心下沉孔，PCB基板上连接有若个干电容元件和电阻元件本实用新型提供的低插损环形器能够降低插入损耗，降低环形器的高度，提高中心导体的固定稳定性。
一种低插损环形

[实用新型]多路信号低插损混合器-CN95237227.4无效
发明人：李建新;张建设;梁君余 -专利权人：珠海市南岭交通电子系统工程公司
申请日： 1995-07-15 - 公布日： 1997-02-19 - 主分类号： H04N5/265 文献下载
摘要：它具有良好的通带特性，用极小的衰减即可抑制n个频道通带外的干扰杂波及信号的影响，是一种很好的多路信号低插损混合器。
信号低插损混合器

[发明专利]一种低插损高频导热基板及其应用-CN201910052516.3在审
发明人：颜善银;许永静 -专利权人：广东生益科技股份有限公司
申请日： 2019-01-21 - 公布日： 2019-04-19 - 主分类号： H05K1/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种低插损高频导热基板及其应用，所述低插损高频导热基板自上而下依次包括结合在一起的以下各层：粗糙度Rz≤5μm的第一低轮廓铜箔层；薄膜电阻层；厚度为2‑20μm的第一树脂层；介电常数低于3.8、介电损耗小于0.0040、热导率为0.5‑1.5W/mK的高频导热粘结片层；厚度为2‑20μm的第二树脂层和粗糙度Rz≤5μm的第二低轮廓铜箔层；所述基板具有较高的热导率和剥离强度以及较低的介电常数和介电损耗和较低的插损
基板高频导热插损介电常数介电损耗粗糙度低轮廓热导率铜箔层应用薄膜电阻层第二树脂层第一树脂层线路板粘结片层集成度电子产品剥离

[实用新型]一种低插损高频导热基板及印制电路板-CN201920101967.7有效
发明人：颜善银;许永静 -专利权人：广东生益科技股份有限公司
申请日： 2019-01-21 - 公布日： 2019-11-12 - 主分类号： H05K1/02 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种低插损高频导热基板及印制电路板，所述低插损高频导热基板自上而下依次包括结合在一起的以下各层：粗糙度Rz≤5μm的第一低轮廓铜箔层；薄膜电阻层；厚度为2‑20μm的第一树脂层；介电常数低于3.8、介电损耗小于0.0040、热导率为0.5‑1.5W/mK的高频导热粘结片层；厚度为2‑20μm的第二树脂层和粗糙度Rz≤5μm的第二低轮廓铜箔层；所述基板具有较高的热导率和剥离强度以及较低的介电常数和介电损耗和较低的插损
基板高频导热插损介电常数介电损耗粗糙度低轮廓热导率铜箔层薄膜电阻层第二树脂层第一树脂层印制电路板线路板印制电路粘结片层集成度电子产品剥离应用

[发明专利]合路器插入损耗的计算方法及装置-CN201510229790.5有效
发明人：潘桂新;黄晓明;李卫;何飚;严峻;王健全;蔡庆宇;莫俊彬;葛慧明;施玉晨 -专利权人：中国联合网络通信集团有限公司
申请日： 2015-05-07 - 公布日： 2017-03-29 - 主分类号： H04W24/02 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种合路器插入损耗的计算方法及装置，涉及通信技术领域，能够解决在LTE FDD宽带合路系统中，现有技术计算出的插损值较小，进而导致隔离带较大，占用过多的频率资源，造成资源浪费的问题。本发明的方法包括根据预设比例，将合路通道的频带划分为边缘插损带和典型插损带，典型插损带为合路系统中性能达到预设标准的频带，边缘插损带合路系统中性能未达到预设标准的频带；计算典型插损带的插损值，并根据典型插损带的插损值计算边缘插损带的插损值；将典型插损带的插损值和边缘插损带的插损值确定为合路器的插损值。
合路器插入损耗计算方法装置

[实用新型]一种低插损数控衰减器-CN201220521085.4有效
发明人：陈剑虹;吴松;谢安安 -专利权人：合肥星波通信股份有限公司
申请日： 2012-10-12 - 公布日： 2013-04-03 - 主分类号： H03H17/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种低插损数控衰减器，包括用于接收衰减控制信号的可编程控制器，其输出端与D/A转换器的输入端相连，D/A转换器的输出端与运算放大器的输入端相连，运算放大器的输出端与模拟衰减器的控制端相连。本实用新型采用模拟衰减器，并通过可编程控制器间接控制模拟衰减器的控制端，最终使本实用新型的插损仅为模拟衰减器的插损，可以使X波段20dB动态衰减器的插损小于1dB。本实用新型使用较少的元器件，最大程度上降低插损，减小了接收前端的噪声系数，提高了接收系统的灵敏度。
一种低插损数控衰减器

[发明专利]一种受风面小低插损的雷达吸波材料-CN201610596650.6在审
发明人：孔祥鲲;胡玥虹;刘少斌;文永刁;冒晨阳;刘季煊;俞劭杰 -专利权人：南京航空航天大学
申请日： 2016-07-26 - 公布日： 2016-10-26 - 主分类号： H01Q17/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种受风面小低插损的雷达吸波材料，包括从上到下依次设置的上层基板、空气匹配层及下层基板，上层基板的上表面排布一个“风车”形有耗谐振结构，下层基板的上表面排布一个“风车”形无耗频率选择表面结构本发明对上、下层基板在相邻平行金属棒耦合处及中心位置进行挖空处理，减小了结构的受风面，降低了透射窗口的插损。另外，还通过两层结构之间的耦合产生一个低插损透射窗口和紧邻的两个吸收窄带，实现了受风面小且低插损的雷达吸波材料设计目的。
一种受风面小低插损雷达材料

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