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[发明专利]一种小型化液晶微波移相器-CN202310127139.1在审
发明人：汪相如;张文钊;张梦晴;侯鑫;严倩盈 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2023-02-17 - 公布日： 2023-04-21 - 主分类号： H01P1/18 文献下载
摘要：本发明公开一种小型化液晶微波移相器技术，应用于通信领域，包括上层玻璃基底层，铜金属信号层、液晶层、下层玻璃基底层共4层结构，目的是在相同的工艺条件下实现具有小型化、低插损、低成本的液晶微波移相器。本发明利用谐振结构缩减了移相器的体积，实现了小型化、低插损、低成本的特点，在工艺上易于加工，易于集成于高密度相控阵。
一种小型化液晶微波移相器

[实用新型]无线传感网射频模块-CN201520145418.1有效
发明人：吕海波;廖原;王煜;虎超群 -专利权人：北京博大光通国际半导体技术有限公司
申请日： 2015-03-13 - 公布日： 2015-06-17 - 主分类号： H04B1/3827 文献下载
摘要：公开了一种无线传感网射频模块，包括核心处理单元、无线传感网通信单元、大功率发射单元、低噪声接收单元、射频收发单元、信号和电源同步控制单元、时隙跟踪及检测单元、电源管理单元、SPI通信单元以及低插损/高回损控制单元；电源管理单元与核心处理单元连接，用于各个单元的供电；无线传感网通信单元、信号和电源同步控制单元、时隙跟踪及检测单元、SPI通信单元以及低插损/高回损控制单元均与核心处理单元双向连接；大功率发射单元、低噪声接收单元分别与无线传感网络单元以及射频收发单元单向连接
无线传感射频模块

[发明专利]插损评估方法、装置、计算机设备及存储介质-CN202010675987.2在审
发明人：张利华;刘诗涛;李一峰 -专利权人：深南电路股份有限公司
申请日： 2020-07-14 - 公布日： 2022-01-14 - 主分类号： G06F30/31 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种插损评估方法、装置、计算机设备及存储介质。所述方法包括：接收用户输入的待制造PCB的设计参数，其中，所述设计参数包括插损值；根据所述设计参数从预设数据库中获取与所述设计参数相匹配的相同设计；调用所述相同设计的历史插损数据；根据所述历史插损数据利用预设规则进行处理得到插损标准值；根据所述插损标准值判断所述插损值是否满足预设条件，在满足所述预设条件的情况下，判定所述待制造PCB符合插损要求。通过实施本发明实施例的方法可在待制造PCB生产前对其插损能力进行评估，避免在制造PCB时出现不合格的情况，提高PCB的良品率，降低生产成本。
评估方法装置计算机设备存储介质

[实用新型]连接器-CN201120028130.8有效
发明人：薛鹏;沈楠;毛胤电;钟坤静 -专利权人：中兴通讯股份有限公司
申请日： 2011-01-27 - 公布日： 2011-12-07 - 主分类号： H01R13/46 文献下载
摘要：本实用新型减小了连接器及其线缆的插损，可以保证射频前端器件低插损的需求。
连接器

[实用新型]SF24K400型窄带低插损声表面波滤波器-CN200820233764.5有效
发明人：张敬钧 -专利权人：北京中讯四方科技有限公司
申请日： 2008-12-23 - 公布日： 2009-09-16 - 主分类号： H03H9/64 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种SF24K400型窄带低插损声表面波滤波器，包括112°钽酸锂基片，基片上设有左换能器、右换能器，左换能器包括正向谐振式单相单向单元；右换能器包括反向单相单向单元，左换能器或右换能单元为滤波器的中心频率为24.36～24.39MHz、-1dB带宽为300～400KHz，窄带、低插损、高带外抑制、高矩形度，可以满足电台等场合应用的要求。
sf24k400 窄带低插损声表面波滤波器

[发明专利]一种超宽带交叉耦合器及毫米波低损耗衰减器-CN202310235677.2在审
发明人：罗将;张文柱;赵镇鑫;刘军 -专利权人：杭州电子科技大学
申请日： 2023-03-13 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： H01P5/12 文献下载
摘要：超宽带交叉耦合器采用交叉金属的核心部分与延长金属线结合的方式，使用金属线交叉结构在实现了紧凑的结构的同时，降低了插损，延长的金属线基于核心部分对称连接，调节两层金属产生的双谐振频率点实现超宽带耦合。毫米波低插损衰减器包括：超宽带交叉耦合器，第一控制晶体管和第二控制晶体管，第一失配电阻和第二失配电阻。得益于超宽带交叉耦合器的低插损和紧凑结构，在宽带下实现了大衰减范围，低插入损耗以及紧凑结构的反射式衰减器，具有优秀的科学应用价值。
一种宽带交叉耦合器毫米波损耗衰减器

[发明专利]WDM波长通道识别方法、装置、设备及可读存储介质-CN202111671764.X在审
发明人：杨春;胡春琳;张玺;管子霆 -专利权人：武汉网锐检测科技有限公司
申请日： 2021-12-31 - 公布日： 2022-04-15 - 主分类号： H04B10/079 文献下载
摘要：本申请涉及一种WDM波长通道识别方法、装置、设备及可读存储介质，涉及通信光路测试技术领域，包括获取波长通道支路的包含波长数组和插损数组的二维数组；根据插损数组中的最小插损值与预设插损值得到和插损值；从波长数组中获取与和插损值相邻的第一插损值对应的第一波长值及第二插损值对应的第二波长值，且计算得到通道中心波长值和与预设插损值对应的带宽值，并确定出波长通道支路的初始WDM类型，再获取与通道中心波长值之间的差值最小的通道标称中心波长值；最后基于通道中心波长值、通道标称中心波长值和初始WDM
wdm 波长通道识别方法装置设备可读存储介质

[发明专利]波分系统的光纤线告警门限路保护方法-CN200910070988.8有效
发明人：喻杰奎;胡强高;孙莉萍;谭曼;杨睿;周治柱;罗清 -专利权人：武汉光迅科技股份有限公司
申请日： 2009-10-27 - 公布日： 2010-12-29 - 主分类号： H04J14/02 文献下载
摘要：一种波分系统的光纤线告警门限路保护方法，具体是用配对光保护单元的发射端口的光功率减去本端光保护单元的接收光功率，得到该根纤芯的线路插损值，依次检测出主用纤芯和备用纤芯的线路插损值；采用线路插损作为切换判据有两个切换判据，一个是主用线路切换至备用线路的判据：当主用纤任何一根纤芯线路插损值超过设定的线路插损的切换门限值，且两根备用纤芯的线路插损值均在设定的线路插损的告警门限之上；一个是备用线路切换至主用线路的判据：当两根备用纤芯中任何一根备用纤芯线路插损超过设定的切换门限，且主用两根纤芯的线路插损均值在设定的告警门限之上。本发明采用线路插损作为波分系统线路保护的切换判据，有效地解决了波分系统多跨段的保护难题。
分系统光纤告警门限保护方法

[发明专利]一种低插损双频微带天线-CN201910429125.9在审
发明人：许卫;张建明;李宏斌;沈金成;程浩然;伍进进;罗华;辛鹏 -专利权人：武汉滨湖电子有限责任公司
申请日： 2019-05-22 - 公布日： 2019-10-08 - 主分类号： H01Q1/36 文献下载
摘要：本发明涉及微波领域，特涉及一种低插损双频微带天线，可应用于通信产品。本发明通过改变馈电点的位置对阻抗匹配进行优化，大幅度提高了插损指标。
左电路电路层插损微带天线双频上下对称结构水平中心线通信产品微波领域中心旋转阻抗匹配坐标原点馈电点边距应用优化

[发明专利]一种低插损端面耦合器-CN202211042139.3在审
发明人：张轲;陈阳 -专利权人：赛丽科技（苏州）有限公司
申请日： 2022-08-29 - 公布日： 2022-11-25 - 主分类号： G02B6/122 文献下载
摘要：本发明公开了一种低插损端面耦合器，包括：衬底；设于所述衬底上的波导包层；设于所述波导包层内的核心波导，所述核心波导的两端通过位于下方的所述波导包层部分支撑于所述衬底的表面上，所述核心波导包括以端部相连的常规波导和过渡波导本发明有效解决了现有技术中端面耦合插损大，悬臂梁结构工艺复杂且健壮性不足的问题。
一种低插损端面耦合器

[发明专利]新型小型化低插损微波开关装置-CN202011296128.9有效
发明人：郭晓雪;朱逸华;赵怀松 -专利权人：上海微波技术研究所（中国电子科技集团公司第五十研究所）
申请日： 2020-11-18 - 公布日： 2021-11-23 - 主分类号： H01P1/12 文献下载
摘要：本发明提供了一种新型小型化低插损微波开关装置，包括：主干线部件、信号输入部件、微带线单元、开关部件以及信号输出部件；所述微带线单元包括：第一微带线部件、第二微带线部件；所述主干线部件与信号输入部件相连；
新型小型化低插损微波开关装置

[实用新型]一种具有高镜频抑制比的接收通道前端电路-CN201820337434.4有效
发明人：蒲泉江;吴国建;雷秀丽;谭红涛;张明;王瑜 -专利权人：成都航天通信设备有限责任公司
申请日： 2018-03-13 - 公布日： 2018-09-21 - 主分类号： H04B1/16 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种具有高镜频抑制比的接收通道前端电路，包括射频开关、16段声表滤波器组、低插损衰减器、LNA和电调滤波器，与现有技术相比，本实用新型的优点是：本实用新型通过接收通道前端电路的16段声表滤波器组和组成该电路的2选1开关、低插损衰减器和电调滤波器，实现了镜频抑制大于120dB，远大于目前技术指标只能达到90dB的限制。
本实用新型接收通道前端电路电调滤波器镜频抑制比声表滤波器衰减器插损技术指标镜频抑制射频开关电路

[发明专利]基于通道测试数据的DWDM器件识别方法、装置及设备-CN202111680712.9在审
发明人：杨春;胡春琳;管子霆;张玺 -专利权人：武汉网锐检测科技有限公司
申请日： 2021-12-30 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： H04B10/077 文献下载
摘要：本发明涉及通信光器件测试技术领域，公开了一种基于通道测试数据的DWDM器件识别方法、装置及设备，所述方法包括：根据DWDM器件通道测试数据得到目标中心波长；根据目标中心波长和目标替换通带带宽计算目标范围内的插损数据；根据目标替换通带数据对目标范围内的插损数据进行替换；根据当前插损数组、目标插损数组以及第一插损数据对DWDM器件进行识别；由于本发明是根据目标替换通带数据替换目标范围内的插损数据，再基于当前波长数组、目标插损数组以及第一插损数据对DWDM器件的识别结果确定对应的通道类型，相较于现有技术通过改变原始数据结构确定通道类型，能够有效提高识别DWDM器件的通道类型的效率。
基于通道测试数据 dwdm 器件识别方法装置设备

[发明专利]一种插损计算模型构建方法、装置、设备及存储介质-CN202310341613.0在审
发明人：齐伟;潘丽;王玲;白杨 -专利权人：安捷利（番禺）电子实业有限公司
申请日： 2023-03-31 - 公布日： 2023-07-07 - 主分类号： G06F30/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种插损计算模型构建方法、装置、设备及存储介质。方法包括：获取胶膜层的介质损耗因子，在胶膜层的两侧形成表面处理后的金属箔，得到第一电路板前体，利用第一电路板前体制作第一微带线，并测量第一微带线的插损，将第一微带线的插损和胶膜层的介质损耗因子代入粗糙度计算模型中计算表面处理后的金属箔的等效粗糙度，基于第二金属箔的等效粗糙度构建插损计算模型，由于等效粗糙度用于表征粗糙度和表面处理对插损的影响，从而基于第二金属箔的等效粗糙度构建插损计算模型能够对金属箔表面的插损影响进行精确描述，提高插损计算模型的准确度
一种计算模型构建方法装置设备存储介质

[实用新型]一种交换机业务线卡-CN202220589601.0有效
发明人：张东俊;宋海洋;韩敬芝;崔云飞;凌涛;盛瑞瑞;贾李健;杨满智;傅强;梁彧;王杰;田野;金红;陈晓光 -专利权人：北京恒安嘉新安全技术有限公司
申请日： 2022-03-17 - 公布日： 2022-07-22 - 主分类号： H04L49/111 文献下载
摘要：本实用新型实施例公开了一种交换机业务线卡，包括前端芯片和交换芯片；前端芯片与交换芯片电连接，前端芯片与外部设备相连；前端芯片包括前端接口和插损补偿器；插损补偿器分别与前端接口和交换芯片电连接；前端接口与外部设备相连；前端接口用于在外部设备和插损补偿器之间进行信号传输；插损补偿器用于在前端接口和交换芯片之间进行信号传输；插损补偿器用于对所传输信号进行插损补偿。本实用新型实施例的技术方案，采用插损补偿器联通前端接口与交换芯片，从而为传输信号进行插损补偿，减小了因电路板硬件布置而导致的插入损耗，从而提高了数据传输效率。
一种交换机业务