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[发明专利]诱导透射滤光器-CN201810494057.X有效
发明人： G.J.奥肯富斯 -专利权人：唯亚威通讯技术有限公司
申请日： 2018-05-22 - 公布日： 2021-02-23 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：第一组层可以包括一组电介质材料中的第一电介质材料和一组电介质材料中的第二电介质材料的交替层。光学滤光器可以包括第二组层。第二组层可以包括一组电介质材料中的第三电介质材料和一组电介质材料中的第四电介质材料的交替层。光学滤光器可以包括第三组层。第三组层可以包括一组电介质材料中的第五电介质材料、一组电介质材料中的第六电介质材料和金属材料的交替层。第三组层可以设置在第一组层和第二组层之间。
诱导透射滤光

[实用新型]一种AG蚀刻膜-CN201820242207.3有效
发明人：周群飞;饶桥兵;陈成 -专利权人：蓝思科技（长沙）有限公司
申请日： 2018-02-09 - 公布日： 2018-12-14 - 主分类号： B32B9/00 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种AG蚀刻膜，包括：玻璃基材；复合在所述基材上的第一介质材料层；复合在所述第一介质材料层上的第二介质材料层；复合在所述第二介质材料层上的第三介质材料层；复合在所述第三介质材料层上的第四介质材料层；复合在所述第四介质材料层上的第五介质材料层；复合在所述第五介质材料层上的第六介质材料层；复合在所述第六介质材料层上的第七介质材料层；复合在所述第七介质材料层上的第八介质材料层。本实用新型以3D产品正面AG蚀刻纹路为基础，背面电镀非导电的高低折射率介质薄膜材料，通过非导电高低折射率的介质薄膜材料叠加效果，正面来显示透射香槟金炫光来解决正面金色不耐摩擦、褪色、颜色亮度不明显的现象
介质材料层复合蚀刻介质薄膜材料本实用新型高低折射率非导电纹路玻璃基材叠加效果电镀基材透射香槟炫光背面褪色金色摩擦

[发明专利]磁传感装置的制造工艺-CN201210563687.0有效
发明人：不公告发明人 -专利权人：磁感科技香港有限公司
申请日： 2012-12-21 - 公布日： 2014-06-25 - 主分类号： H01L43/12 文献下载
摘要：本发明揭示了一种磁传感装置的制造工艺，包括：在基底上沉积介质材料，形成介质材料层；在介质材料层上开沟槽；在介质材料层上沉积第二介质材料层；在第二介质材料层上依次沉积磁性材料和电极材料，分别形成沉积磁性材料层和电极材料层；沉积光刻胶，曝光，显影；刻蚀，去除部分磁性材料和电极材料；去除光刻胶；沉积第三介质材料；通过刻蚀，去除部分第三介质材料，仅在角落保留介质材料，形成介质材料侧壁保护层；在感应单元的磁性材料层上沉积第二电极材料并光刻，形成第二电极；填充介质材料，配合化学机械抛光进行平坦化，并且通过半导体工艺，引出第二电极。
传感装置制造工艺

[发明专利]一种具有动态吸附及转移功能的多孔材料的设计原理及制作方法-CN201210378024.1有效
发明人：李翼;周金云;曹旭勇;胡军岩;姚磊 -专利权人：理大产学研基地(深圳)有限公司
申请日： 2012-10-08 - 公布日： 2017-03-22 - 主分类号： D06N7/04 文献下载
摘要：本发明名为一种具有动态吸附及转移功能的多孔材料的设计原理及制作方法，涉及一种多孔材料通过在织物尺寸变化过程中而形成的织物结构变化，从而具有按设定的方向动态吸附及转移某种介质的功能。技术方案是采用至少有亲介质材料、疏介质材料两种特质的材料编织成多孔织物，使之产生至少两层的立体分层效果。织物处于静态时里层疏介质材料向面层亲介质材料传导；处于动态拉伸变形时层效应出现转换，直至亲介质材料由面层转变为里层直接吸附介质；动态回复变形时结构逐渐回复，直至吸附介质的亲介质材料由里层回退至面层。反复循环这一过程，使多孔材料静态时介质由里层疏介质材料向面层亲介质材料传导，且动态变形时介质的较大量吸附转移。
一种具有动态吸附转移功能多孔材料设计原理制作方法

[发明专利]诱导透射滤光器-CN202110203454.9在审
发明人： G.J.奥肯富斯 -专利权人：唯亚威通讯技术有限公司
申请日： 2018-05-22 - 公布日： 2021-05-07 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：第一组层可以包括一组电介质材料中的第一电介质材料和一组电介质材料中的第二电介质材料的交替层。光学滤光器可以包括第二组层。第二组层可以包括一组电介质材料中的第三电介质材料和一组电介质材料中的第四电介质材料的交替层。光学滤光器可以包括第三组层。第三组层可以包括一组电介质材料中的第五电介质材料、一组电介质材料中的第六电介质材料和金属材料的交替层。第三组层可以设置在第一组层和第二组层之间。
诱导透射滤光

[发明专利]电容器件及其形成方法-CN202310353649.0在审
发明人：陈益群;林清俤;邓维平;沈超;施云生 -专利权人：宁波群芯微电子股份有限公司
申请日： 2023-03-31 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： H10N97/00 文献下载
摘要：一种电容器件及其形成方法，所述方法可以包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成底部介质薄膜；形成介质材料堆叠层，所述介质材料堆叠层覆盖所述底部介质薄膜，且所述介质材料堆叠层包含至少一层第一介质材料层以及多层第二介质材料层的堆叠层；在所述介质材料堆叠层上形成顶部介质薄膜；在所述顶部介质薄膜的表面形成极板材料层；其中，所述第二介质材料层的单位体积的耐压值大于所述第一介质材料层的单位体积的耐压值。
电容器件及其形成方法

[发明专利]半导体器件-CN200410084013.8有效
发明人： K·库马尔;T·达尔顿;L·克莱文杰;A·考利;D·C·拉图利普;M·霍因基斯;杨智超;林义雄;E·卡尔塔里奥格鲁;M·瑙约克;J·沙赫特 -专利权人：国际商业机器公司;英芬能技术公司
申请日： 2004-10-13 - 公布日： 2005-08-31 - 主分类号： H01L23/552 文献下载
摘要：绝缘层包括第一介质材料和第二介质材料，第二介质材料不同于第一介质材料。在第一介质材料中形成具有第一图形的第一导电区，在第二介质材料中形成具有第二图形的第二导电区，第二图形不同于第一图形。第一介质材料和第二介质材料中的一个包括有机材料，另一个介质材料包括无机材料。第一和第二介质材料中的一个相对于另一个具有蚀刻选择性。还公开了在晶片保留在室中的同时清洁半导体晶片处理室的方法。
半导体器件

[发明专利]半导体元件及其制造方法-CN200910246375.5有效
发明人： G·M·格里瓦纳 -专利权人：半导体元件工业有限责任公司
申请日： 2009-11-27 - 公布日： 2010-12-01 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：具有侧壁的槽在半导体材料中形成，而电介质材料在槽的侧壁上形成。导电材料在侧壁上形成并填充槽。多层电介质结构在槽内的导电材料之上形成，其中多层电介质材料包括一类夹在不同类电介质材料之间的电介质材料，以使得中间层电介质材料的刻蚀率不同于外层电介质材料的刻蚀率。去除中间层电介质材料的部分，并以导电材料替换，该导电材料结合槽中的导电材料的部分，形成接触着落垫。
半导体元件及其制造方法

[发明专利]多层电介质聚合物材料、电容器、材料用途及其形成方法-CN201380081333.5有效
发明人：漆乐俊;李南;孟德伦;萨里·莱霍宁;弗朗索瓦·德林塞 -专利权人： ABB电网瑞士股份公司
申请日： 2013-12-03 - 公布日： 2020-09-15 - 主分类号： H01G4/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种多层电介质聚合物材料、包括该多层电介质聚合物材料的电容器、该多层电介质聚合物材料的用途和用于形成该多层电介质聚合物材料的方法。该多层电介质聚合物材料(100)可以包括多个电介质层(101、102、103)，其中所述多个电介质层可以包括相同基础材料。可以将该基础材料与成核剂混合以用于所述多个电介质层中的至少一层。这样可以克服常规多层材料的相容性问题。该电介质聚合物材料可以具有增加的介电强度并可提供优良的热性能。
多层电介质聚合物材料电容器用途及其形成方法

[发明专利]多孔介质燃烧器制造材料的筛选方法-CN201210243905.2无效
发明人：李德波 -专利权人：广东电网公司电力科学研究院
申请日： 2012-07-13 - 公布日： 2012-10-17 - 主分类号： F23D14/46 文献下载
摘要：本发明公开了一种多孔介质燃烧器制造材料的筛选方法，包括：根据多孔介质材料的流量密度、单位长度压降、孔隙率和多孔介质材料内流体的动力粘性系数，得出多孔介质材料的平均孔径的计算公式；根据所述计算公式，计算多孔介质燃烧器的各个候选制造材料的平均孔径；根据计算结果，按照预设筛选条件对所述各个候选制造材料进行筛选。本发明多孔介质燃烧器制造材料的筛选方法，根据多孔介质材料的流量密度、单位长度压降、孔隙率和多孔介质材料内流体的动力粘性系数，得出了用于计算多孔介质材料的平均孔径的通用公式，通过快速计算各个候选制造材料的平均孔径，大大降低了制造多孔介质燃烧器前对候选材料进行筛选的复杂工序，提高了效率。
多孔介质燃烧制造材料筛选方法

[发明专利]介质材料测量件的校准方法、短路校准件、介质材料测量方法及装置-CN201611200873.2有效
发明人：赖展军;王钦源 -专利权人：华南理工大学;京信通信技术（广州）有限公司
申请日： 2016-12-22 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： G01R27/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种介质材料测量件的校准方法、短路校准件、介质材料测量方法及装置，本发明中利用至少三个轴向长度不同的短路校准件分别与介质材料测量件连接，通过测量电路得到数据计算得到介质材料测量件的网络参数，再通过介质材料测量件与试验样品连接，通过测得的数据计算及查询数据库等方式得到试验样品的介电常数，介质材料测量装置可根据试验样品的尺寸，调整其与试验样品的连接方式，介质材料测量件的校准方法可校准介质材料测量件的网络参数，使介质材料测量装置在测量试验样品的介电常数时得到更准确的数值，同时介质材料测量装置可在不对试验样品进行破坏处理的情况下进行试验，适用性好。
介质材料测量校准方法短路测量方法装置

[发明专利]半导体器件的形成方法-CN201510824825.X有效
发明人：吴亚贞;刘宪周 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2015-11-24 - 公布日： 2018-06-29 - 主分类号： H01L27/11563 文献下载
摘要：一种半导体器件的形成方法，包括：提供有浅沟槽隔离结构、横跨浅沟槽隔离结构的条状栅极区的半导体衬底；在半导体衬底上从下到上依次形成隧穿介质材料层、捕获电荷材料层、顶部介质材料层和保护材料层，隧穿介质材料层和顶部介质材料层的材料相同，捕获电荷材料层和保护材料层的材料相同；用各向异性干刻工艺刻蚀保护材料层和顶部介质材料层，在栅极区形成保护层和顶部介质层，在栅极区两侧的浅沟槽隔离结构顶部拐角处形成残留保护层和残留顶部介质层；用湿刻工艺刻蚀捕获电荷材料层和隧穿介质材料层，在栅极区形成捕获电荷层和隧穿介质层，同时去除保护层、残留保护层和残留顶部介质层。
浅沟槽隔离结构保护层残留顶部介质层介质材料层电荷材料隧穿介质材料层栅极区捕获半导体器件保护材料层拐角处衬底半导体刻蚀保护材料捕获电荷层隧穿介质层条状栅极栅电极刻蚀去除横跨

[发明专利]半导体结构的形成方法-CN202111676001.4在审
发明人：王文泰;肖杏宇;姜长城;张海洋 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2021-12-31 - 公布日： 2023-07-11 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：一种半导体结构的形成方法，包括：在所述衬底表面形成第一介质材料层，所述第一介质材料层位于所述第一伪栅极结构和所述第二伪栅极结构侧壁，所述第一区上的第一介质材料层厚度大于所述第二区上的第二介质材料层厚度；在所述第一介质材料层上形成第二介质材料层，所述第一区上的第二介质材料层厚度小于所述第二区上的第二介质材料层厚度；平坦化所述第一介质材料层和所述第二介质材料层，直到暴露出所述第一伪栅极和所述第二伪栅极，以所述第一介质材料层形成第一过渡介质层；回刻所述第一过渡介质层，形成第一初始介质层；在所述第一初始介质层表面形成保护层。
半导体结构形成方法

[发明专利]异质电介质键合方案-CN202210116113.2在审
发明人：余振华;邱文智;杨固峰;钟明慈 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-02-07 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： H01L21/50 文献下载
摘要：本公开涉及异质电介质键合方案。一种方法包括：将第一封装组件置为与第二封装组件接触。第一封装组件包括第一电介质层，该第一电介质层包括第一电介质材料，并且第一电介质材料是基于氧化硅的电介质材料。第二封装组件包括第二电介质层，该第二电介质层包括第二电介质材料，该第二电介质材料不同于第一电介质材料。第二电介质材料包括硅和另外的元素，该元素选自由以下项组成的组：碳、氮、及其组合。执行退火工艺以将第一电介质层与第二电介质层进行键合。
电介质方案

[发明专利]减缓内带电效应的星用介质材料及其制备方法-CN202010522770.8有效
发明人：杨晓宁;刘宇明;王志浩;牟永强;姜海富;李蔓;李宇;张永泰;于强;王晶虎;刘宠 -专利权人：北京卫星环境工程研究所
申请日： 2020-06-10 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： C08G73/10 文献下载
摘要：本申请公开了一种减缓内带电效应的星用介质材料及其制备方法，在介质材料固化前混合液中均匀混入纳米线，固化含有纳米线的介质材料固化前混合液得到固态介质材料；其中所述纳米线占所述介质材料质量的0.5％‑5％。利用纳米线的半导体特性以及尖端小尺度几何效应，实现星用介质材料具备电导率随电场强度变化的非线性特性，既不影响介质材料性能，又达到当内带电形成的电场强度过高时，介质电导率上升，释放累积电荷的目的，从而减缓介质材料内带电效应
减缓带电效应介质材料及其制备方法

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