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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[实用新型]半导体结构以及半导体器件-CN201821863910.2有效
发明人：林鼎佑;其他发明人请求不公开姓名 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2018-11-13 - 公布日： 2019-05-07 - 主分类号： H01L23/538 文献下载
摘要：半导体结构包括硅基层、第一氧化物层和第二氧化物层、阻挡层、硅穿孔以及电极。第一氧化物层和第二氧化物层由下至上依序设于硅基层上，第二氧化物层的上表面开设有容纳槽。阻挡层设于第二氧化物层之上，阻挡层的材质硬度大于第二氧化物层的材质硬度。硅穿孔开设于硅基层、第一氧化物层和第二氧化物层并填充有导电材料，硅穿孔的上端显露于容纳槽的槽底。电极设于容纳槽内。
氧化物层半导体结构硅穿孔硅基层容纳槽阻挡层半导体器件材质硬度电极导电材料上表面上端填充显露

[实用新型]半导体结构以及半导体器件-CN201821863305.5有效
发明人：林鼎佑;其他发明人请求不公开姓名 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2018-11-13 - 公布日： 2019-07-16 - 主分类号： H01L23/538 文献下载
摘要：半导体结构包括硅基层、第一氧化物层和第二氧化物层、保护层、硅穿孔以及电极。第一氧化物层和第二氧化物层由下至上依序设于硅基层上，第二氧化物层的上表面开设有容纳槽。保护层设于第一氧化物层与第二氧化物层之间，保护层的材质硬度大于第二氧化物层的材质硬度。硅穿孔贯通开设于硅基层、第一氧化物层、保护层和第二氧化物层并填充有导电材料，硅穿孔的上端显露于容纳槽的槽底。
氧化物层保护层半导体结构硅穿孔硅基层容纳槽半导体器件材质硬度电极导电材料上端上表面填充显露贯通

[发明专利]半导体结构及其制备工艺以及半导体器件-CN201811345558.8在审
发明人：林鼎佑;其他发明人请求不公开姓名 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2018-11-13 - 公布日： 2020-05-19 - 主分类号： H01L23/538 文献下载
摘要：半导体结构包括硅基层、第一氧化物层和第二氧化物层、阻挡层、硅穿孔以及电极。第一氧化物层和第二氧化物层由下至上依序设于硅基层上，第二氧化物层的上表面开设有容纳槽。阻挡层设于第二氧化物层之上，阻挡层的材质硬度大于第二氧化物层的材质硬度。硅穿孔开设于硅基层、第一氧化物层和第二氧化物层并填充有导电材料，硅穿孔的上端显露于容纳槽的槽底。电极设于容纳槽内。
半导体结构及其制备工艺以及半导体器件

[发明专利]半导体装置以及半导体装置的制造方法-CN201780079200.2在审
发明人：山崎舜平;平松智记;本田龙之介 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2017-12-14 - 公布日： 2019-08-02 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：该半导体装置包括：衬底上的第一导电体；第一导电体上的第一绝缘体；第一绝缘体上的第一氧化物；第一氧化物上的第二氧化物；与第二氧化物的顶面及侧面接触的第二绝缘体；第二绝缘体上的第二导电体；以及与第二绝缘体及第二导电体的侧面接触的第三绝缘体第二氧化物的厚度为第二氧化物的沟道宽度方向上的长度以上。第二导电体包括隔着第二绝缘体与第二氧化物的顶面和侧面相对的区域。第二氧化物的侧面的载流子密度大于第二氧化物的顶面的载流子密度。
绝缘体氧化物导电体半导体装置载流子侧面接触顶面沟道宽度方向通态电流侧面衬底制造

[发明专利]半导体装置及半导体装置的制造方法-CN201880077616.5在审
发明人：山崎舜平;半田拓哉;保坂泰靖;三本菅正太;山根靖正;冈崎健一 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2018-11-28 - 公布日： 2020-07-14 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：一种半导体装置，包括第一氧化物、第一氧化物上的第二氧化物、第二氧化物上的第三氧化物及第三氧化物上的绝缘体，第二氧化物包含In、元素M(M是Al、Ga、Y或Sn)及Zn，其中，第一氧化物及第三氧化物都包括In浓度比第二氧化物低的区域。
半导体装置制造方法

[发明专利]半导体结构及其制备工艺以及半导体器件-CN201811345484.8在审
发明人：林鼎佑;其他发明人请求不公开姓名 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2018-11-13 - 公布日： 2020-05-19 - 主分类号： H01L23/538 文献下载
摘要：半导体结构包括硅基层、第一氧化物层和第二氧化物层、保护层、硅穿孔以及电极。第一氧化物层和第二氧化物层由下至上依序设于硅基层上，第二氧化物层的上表面开设有容纳槽。保护层设于第一氧化物层与第二氧化物层之间，保护层的材质硬度大于第二氧化物层的材质硬度。硅穿孔贯通开设于硅基层、第一氧化物层、保护层和第二氧化物层并填充有导电材料，硅穿孔的上端显露于容纳槽的槽底。
半导体结构及其制备工艺以及半导体器件

[发明专利]二乙烯基芳烃二氧化物树脂-CN201080056337.4有效
发明人： M·J·马克斯;E·J·坎普贝尔 -专利权人：陶氏环球技术有限责任公司
申请日： 2010-12-08 - 公布日： 2012-09-12 - 主分类号： C07D303/28 文献下载
摘要：一种水解的二乙烯基芳烃二氧化物树脂组合物，其包含(a)二乙烯基芳烃二氧化物与(b)水的反应产物；用于制备水解的二乙烯基芳烃二氧化物树脂组合物的方法；以及由其制备的可固化的水解的二乙烯基芳烃二氧化物树脂组合物从上述水解的二乙烯基芳烃二氧化物树脂组合物制备的固化产物，与从已知环氧树脂制备的已知固化产物相比，提供了改进的性质例如较低粘度和高耐热性。
乙烯基芳烃二氧化物树脂

[发明专利]半导体装置以及半导体装置的制造方法-CN201980043643.5在审
发明人：山崎舜平;马场晴之;奥野直树;小松良宽;大野敏和 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2019-06-25 - 公布日： 2021-02-09 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：一种半导体装置，包括第一绝缘体、第一绝缘体上的第一氧化物、第一氧化物上的第二氧化物、第二氧化物上的第三氧化物及第四氧化物、第三氧化物上的第一导电体、第四氧化物上的第二导电体、第二氧化物上的第五氧化物、第五氧化物上的第二绝缘体、第二绝缘体上的第三导电体。第五氧化物与第二氧化物的顶面、第一导电体的侧面、第二导电体的侧面、第三氧化物的侧面及第四氧化物的侧面接触。第二氧化物包含In、元素M及Zn。第一氧化物及第五氧化物各自包含第二氧化物所包含的构成要素中的至少一个。第三氧化物及第四氧化物各自包含元素M。第三氧化物及第四氧化物具有其元素M的浓度比第二氧化物高的区域。
半导体装置以及制造方法

[发明专利]薄膜形成用气相沉积材、具备该薄膜的薄膜片材和层压片材-CN201110299927.6有效
发明人：黛良享;有泉久美子;吉田勇气;樱井英章 -专利权人：三菱综合材料株式会社
申请日： 2011-09-28 - 公布日： 2012-05-02 - 主分类号： C23C14/08 文献下载
摘要：本发明的气相沉积材为混合第一氧化物粉末和第二氧化物粉末而制作的气相沉积材，其特征在于，上述第一氧化物粉末为MgO粉末，第一氧化物粉末的第一氧化物纯度为98％以上，上述第二氧化物粉末为CaO和ZnO的混合粉末，第二氧化物粉末的第二氧化物纯度为98％以上，气相沉积材由含有第一氧化物粉末和第二氧化物粉末的颗粒构成，气相沉积材中的第一氧化物与第二氧化物的摩尔比为5～90∶95～10，且颗粒的碱度为0.1以上。
薄膜形成用气相沉积具备压片

[发明专利]薄膜形成用气相沉积材、具备该薄膜的薄膜片材和层压片材-CN201110235041.5有效
发明人：黛良享;有泉久美子 -专利权人：三菱综合材料株式会社
申请日： 2011-08-11 - 公布日： 2012-03-21 - 主分类号： C23C14/00 文献下载
摘要：本发明的气相沉积材为混合第一氧化物粉末和第二氧化物粉末而制作的气相沉积材，其特征在于，上述第一氧化物粉末为ZnO粉末，该第一氧化物粉末的第一氧化物纯度为98％以上，上述第二氧化物粉末为CaO粉末，该第二氧化物粉末的第二氧化物纯度为98％以上，气相沉积材由含有第一氧化物粉末和第二氧化物粉末的颗粒构成，气相沉积材中的第一氧化物与第二氧化物的比例为5～85∶95～15，且颗粒的碱度为0.1以上。
薄膜形成用气相沉积具备压片

[发明专利]薄膜形成用气相沉积材、具备该薄膜的薄膜片材和层压片材-CN201110285639.5无效
发明人：黛良享;有泉久美子;吉田勇气;樱井英章 -专利权人：三菱综合材料株式会社
申请日： 2011-09-23 - 公布日： 2012-05-02 - 主分类号： C23C14/08 文献下载
摘要：本发明的气相沉积材为混合第一氧化物粉末和第二氧化物粉末而制作的气相沉积材，其特征在于，上述第一氧化物粉末为MgO粉末，第一氧化物粉末的第一氧化物纯度为98％以上，上述第二氧化物粉末为CaO粉末，第二氧化物粉末的第二氧化物纯度为98％以上，气相沉积材由含有第一氧化物粉末和第二氧化物粉末的颗粒构成，气相沉积材中的第一氧化物与第二氧化物的摩尔比为5～99∶95～1，且颗粒的碱度为0.1以上。
薄膜形成用气相沉积具备压片

[发明专利]二乙烯基芳烃二氧化物树脂组合物-CN201510603719.9在审
发明人：莫里斯·马克斯 -专利权人：陶氏环球技术有限责任公司
申请日： 2011-02-10 - 公布日： 2015-12-23 - 主分类号： C08G59/24 文献下载
摘要：本发明涉及一种二乙烯基芳烃二氧化物树脂组合物，具体地，提供一种包含(a)至少一种二乙烯基芳烃二氧化物和(b)至少一种二元酚固化剂的可固化二乙烯基芳烃二氧化物树脂组合物；一种用于制备可固化二乙烯基芳烃二氧化物树脂组合物的方法；以及由其制成的固化二乙烯基芳烃二氧化物树脂组合物。由以上可固化二乙烯基芳烃二氧化物树脂组合物制成的固化产品提供与由已知环氧树脂制备的已知固化产品相比改善的性质如更低的粘度和高耐热性。
乙烯基芳烃二氧化物树脂组合

[发明专利]可固化树脂组合物-CN201180038981.3有效
发明人： J·W·卡特;M·J·马克斯;L·瓦莱特;G·古雅斯 -专利权人：蓝立方知识产权有限责任公司
申请日： 2011-06-23 - 公布日： 2017-04-12 - 主分类号： C08G59/22 文献下载
摘要：可固化的二乙烯基芳烃二氧化物树脂组合物，其包括(a)至少一种二乙烯基芳烃二氧化物、(b)至少一种阳离子光引发剂、和(c)任选地，至少一种颜料物质；用于制备所述可固化的二乙烯基芳烃二氧化物树脂组合物的方法；和从中制备的固化的二乙烯基芳烃二氧化物树脂组合物。由上述可固化的二乙烯基芳烃二氧化物树脂组合物制备的固化产物提供了改进的性质，并可用于各种应用，包括油墨制剂。
固化树脂组合

[发明专利]用于将一对半导体衬底粘合在一起的方法-CN201611261004.0在审
发明人：辛建宁;王乙翕;刘人豪;张智杭 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2016-12-30 - 公布日： 2017-08-15 - 主分类号： B81C3/00 文献下载
摘要：用硅烷预处理第一氧化物层的表面或第二氧化物层的表面。将第一氧化物层和第二氧化物层分别布置于第一半导体衬底和第二半导体衬底上。将水施用到第一氧化物层的表面或第二氧化物层的表面。使第一氧化物层的表面和第二氧化物层的表面直接接触。使第一氧化物层和第二氧化物层退火。
用于一对半导体衬底粘合在一起方法

[发明专利]可固化组合物-CN201610353770.3在审
发明人： M·J·马克斯;R·V·斯内尔格罗夫 -专利权人：蓝立方知识产权有限责任公司
申请日： 2011-05-18 - 公布日： 2016-10-12 - 主分类号： C08G59/68 文献下载
摘要：本发明提供了一种可固化的二乙烯基芳烃二氧化物树脂组合物，其具有用胺、酸酐或多酚固化的化学计量过量的二乙烯基芳烃二氧化物。可固化的二乙烯基芳烃二氧化物树脂组合物包含(a)化学计量过量的至少一种二乙烯基芳烃二氧化物，(b)共反应性固化剂，和催化剂。还公开了用于制造上述可固化的二乙烯基芳烃二氧化物树脂组合物的方法；和从其制造的固化的二乙烯基芳烃二氧化物树脂组合物。所述可固化二乙烯基芳烃二氧化物树脂组合物在固化之前具有较长的贮存期，并在固化后产生比利用化学计量组合物制造的类似的现有技术组合物具有更高耐热性的热固性材料。本发明的可固化组合物可有利地用作热固性材料、涂料、复合材料和粘合剂。
固化组合

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