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[发明专利]一种适用于微波功率器件封装外壳的中温陶瓷及制备方法-CN202211551124.X在审
发明人：陈杨;李欣源;陈骏;陈寰贝;黎超群 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十五研究所
申请日： 2022-12-05 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： C04B41/89 文献下载
摘要：本发明公开了一种适用于微波功率器件封装外壳的中温陶瓷及制备方法，包括由共烧低阻导带材料制成的中温陶瓷，共烧低阻导带材料包括陶瓷基层以及位于陶瓷基层上表面的钨钢金属化层。本发明的有益效果是：陶瓷采用中温烧结技术，可在1220~1280°C温度下致密化烧结，且具有高强度性能可满足封装外壳的可靠性要求；所述低阻导带材料采用钨网铜颗粒填充技术，即先在生瓷表面印刷钨铜金属化浆料作为基层，随后通过在钨铜金属化表面再套印中温瓷共烧钨浆的方法实现陶瓷表面金属化。所述陶瓷与低阻导带材料能够实现中温共烧，且具有较高的机械强度，以及良好的共烧匹配性，金属化方阻低至5.0m/□，能够满足大功率微波器件封装的要求。
一种适用于微波功率器件封装外壳陶瓷制备方法

[发明专利]一种等温烧结制造铜铅轴瓦制品的方法-CN01127896.X无效
发明人：周青 -专利权人：周青
申请日： 2001-09-26 - 公布日： 2003-04-09 - 主分类号： F16C33/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种等温烧结制造铜铅合金轴瓦制品的方法，除烧结的首区和末区温度外，中间各区的烧结温度相等，初烧时，等温烧结的共温区温度＝变温烧结共温区温度的低值+变温烧结共温区温差×0.618±2.5℃，首区温度＝等温烧结共温区温度－20℃，末区温度＝等温烧结共温区温度－10℃，等温烧结复烧时的各区温度＝等温烧结初烧各区温度+20～25℃，共温区温度采用优选法获得的一阶、二阶或三阶统筹温度，解决了现有技术中温度值波动大
一种等温烧结制造轴瓦制品方法

[发明专利]多温区静电卡盘-CN202311072660.6在审
发明人：王超星;杨鹏远;王建冲 -专利权人：北京华卓精科科技股份有限公司
申请日： 2023-08-24 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本发明涉及静电卡盘技术领域，具体而言，涉及一种多温区静电卡盘。多温区静电卡盘包括加热组件，加热组件包括第一加热部件和公共电极部件，第一加热部件与公共电极部件键合或低温陶瓷共烧连接；第一加热部件包括第一加热电极，公共电极部件包括公共电极，第一加热电极能够通过公共电极连接电源，第一加热电极通电能够加热多温区静电卡盘。本发明提供的多温区静电卡盘，采用的键合与低温陶瓷共烧技术可以在低温环境中完成，即实现了低温制备，降低了多温区静电卡盘的制作难度，具有可修复加热组件的功能，可延长多温区静电卡盘的使用寿命。
多温区静电卡盘

[发明专利]一种中温共烧的雾化芯制备方法及制得的中温共烧雾化芯-CN202110574483.6有效
发明人：丁涛 -专利权人：深圳市丁鼎陶瓷科技有限公司;山东丁鼎科技发展有限公司
申请日： 2021-05-25 - 公布日： 2022-09-23 - 主分类号： C04B38/06 文献下载
摘要：本申请涉及雾化芯陶瓷领域，具体公开了一种中温共烧的雾化芯制备方法，其包括以下步骤：步骤一：生胚制作，将多孔陶瓷注射材料注塑，制得陶瓷生胚。步骤三：共烧，将步骤二制得的印有电极的生胚进行烧结，烧结温度为950‑1250℃，得到雾化芯。本申请的雾化芯可用于电子烟或美容仪领域，由于陶瓷生胚与氧化物印刷浆料在共烧过程中形成固溶层，所以产品的电极与多孔陶瓷表面结合力较好，不易脱落。
一种中温共烧雾化制备方法

[实用新型]一种防干烧加热装置-CN201320033814.6有效
发明人：李思连;李宝仁 -专利权人：中山火炬开发区隆集电子元件厂
申请日： 2013-01-22 - 公布日： 2013-07-31 - 主分类号： H05B1/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种防干烧加热装置，其特征在于：所述共烧陶瓷发热元件一端与电源一端连接，共烧陶瓷发热元件的另一端与供电电路的一端连接，供电电路另一端与电源另一端之间连接有常开开关，供电电路另一端与电源另一端之间还连接有继电器控制开关本实用新型装置利用共烧陶瓷发热元件电阻值随温度的上升而增大的温阻特性来感知局部干烧现象，通过改变电路中维持继电器工作的电压从而驱动继电器动作，实现了在干烧状态下温度过高时自动断电停止加热的功能。
一种防干烧加热装置

[发明专利]一种低介低损耗近零温漂低温共烧陶瓷材料及其制备方法-CN202011487765.4有效
发明人：宋锡滨;闫鑫升;朱恒;刘振锋;奚洪亮;艾辽东 -专利权人：山东国瓷功能材料股份有限公司
申请日： 2020-12-16 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： C04B35/10 文献下载
摘要：本发明涉及电子陶瓷材料及其制造技术领域，具体涉及一种具有低介低损耗近零温漂性能的低温共烧陶瓷材料，并进一步公开其制备方法。本发明所述低介低损耗近零温漂的低温共烧陶瓷材料由ZnO‑SiO2‑Al2O3，使用SPDR测试方法，在室温以及测试频率20GHz下，介电常数为7±0.5，介电损耗＜2×10‑3；在‑40℃～110℃温度范围内以及测试频率20GHz下，温漂为±3ppm/℃以内；此外，低温共烧陶瓷材料的抗弯强度＞150MPa，可应用于5G通讯毫米波天线模组。
一种低介低损耗近零温漂低温陶瓷材料及其制备方法

[实用新型]一种适用低温共烧陶瓷基板散热装置-CN202021471169.2有效
发明人：邓腾飞 -专利权人：安徽蓝讯通信技术有限公司
申请日： 2020-07-23 - 公布日： 2021-06-29 - 主分类号： H05K7/20 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种适用低温共烧陶瓷基板散热装置，包括低温共烧陶瓷基板的顶端中心固定安装有电子器件，低温共烧陶瓷基板的顶端边缘固定安装有器件固定架，器件固定架的边缘设置有防尘网。该种适用低温共烧陶瓷基板散热装置，一方面利用半导体吸热板和矩形整列散热片快速吸收引导低温共烧陶瓷基板和电子器长时间运转产生的热量，另一方面通过和液冷散热管高效吸收温共烧陶瓷基板和电子器长顶端和吸热板内腔的热量，在通过散热层内部的环形阵列散热片将液冷散热管内部热量和吸热层内部热量进行引导而出，配合若干组微型风扇将其热量排出，使发热电子器件与低温共烧陶瓷基板间的热阻变得非常小，两种散热方式的结合将极大地提高散热能力
一种适用低温陶瓷散热装置

[发明专利]炉和炉系统-CN202210123983.2在审
发明人：李宾 -专利权人：伊利诺斯工具制品有限公司
申请日： 2022-02-10 - 公布日： 2022-10-04 - 主分类号： F27B9/10 文献下载
摘要：传送带安装在炉腔的内部，用于承载并使共烧陶瓷装置移动通过炉腔。数个上部红外器件布置在传送带上方。其中，炉腔被配置为执行以下两个过程中的任一过程：提供加热以从共烧陶瓷装置中移除粘结剂材料；或者提供加热以将共烧陶瓷装置形成整体烧结块状结构。本申请的炉和炉系统能够用于粘结剂移除循环和共烧烧结循环二者、尤其是在温升阶段，具有改善的加热均匀性，以提高温升速度、能够将红外光投射到处理中的陶瓷装置上，以改善温度均匀性，并且在炉中使用一种类型的加热器件来简化炉的加热结构
系统

[发明专利]一种毫米波天线模组用低温共烧陶瓷材料及其制备方法-CN202011582107.3有效
发明人：朱恒;闫鑫升;艾辽东;刘振锋;奚洪亮;宋锡滨 -专利权人：山东国瓷功能材料股份有限公司
申请日： 2020-12-28 - 公布日： 2022-11-04 - 主分类号： C04B35/20 文献下载
摘要：本发明涉及电子陶瓷材料及其制造技术领域，具体涉及一种毫米波天线模组用低温共烧陶瓷材料，并进一步公开其制备方法。本发明所述毫米波天线模组用低温共烧陶瓷材料以Mg2SiO4为基体材料，并添加低K值低熔点玻璃粉形成，经成型烧结后的膜片，使用SPDR测试方法，在室温以及20GHz测试频率下，介电常数为7±0.2，介电损耗4×10‑3；在‑40℃～110℃温度范围内以及测试频率20GHz下，温漂为±10ppm/℃以内；此外，低温共烧陶瓷材料的抗弯强度150MPa，可作为5G通讯中毫米波天线模组的应用。
一种毫米波天线模组低温陶瓷材料及其制备方法

[实用新型]采用陶瓷-金属高温共烧发热元件的电热水壶-CN200920193690.1有效
发明人：吴崇隽;邵阳;苏方宁 -专利权人：珠海粤科京华电子陶瓷有限公司
申请日： 2009-08-31 - 公布日： 2010-09-15 - 主分类号： A47J27/21 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种采用陶瓷-金属高温共烧发热元件的电热水壶，其加热底座包括承烧底板、陶瓷-金属高温共烧发热元件及电极，发热元件设置在承烧底板上并由电极引出。本实用新型导热系数高，电热转换效率高，具有升温迅速的特点，能实现快速补温，而陶瓷-金属高温共烧发热材料的特性使得发热元件可以被制成多种具体形状，这样发热面积可以尽量做大，发热元件与承烧底板有效接触面积较现有技术可以增大
采用陶瓷金属高温发热元件电热水壶

[发明专利]一种高介电常数低温共烧陶瓷材料及其制备方法-CN201210011155.6有效
发明人：石吉伟;伍隽;庞新锋 -专利权人：深圳顺络电子股份有限公司
申请日： 2012-01-13 - 公布日： 2012-07-18 - 主分类号： C04B35/468 文献下载
摘要：一种高介电常数低温共烧陶瓷材料，其特征在于，包括BaTiO3和助烧剂，所述BaTiO3重量百分比为80.0～95.0％；所述助烧剂包括：重量百分比为0.1～10.0％的Bi2O3；重量百分比为0.1～5.0％的CuO；重量百分比为0.1～8.0％的低熔点玻璃，其组分还包括重量百分比为0.1～1.0％的MnCO3，本发明还提供了所述高介电常数低温共烧陶瓷材料的制备方法。本发明的高介电常数低温共烧陶瓷材料可用于制作埋置超大电容的滤波器；有助于整合不同特性的功能材料；同时因其具有良好的介温特性，较低的介质损耗，并具有良好的绝缘特性，可望用于开发新型复合器件和功能模块。
一种介电常数低温陶瓷材料及其制备方法

[发明专利]一种Ca-Nd-Ti体系中温共烧陶瓷及其制备方法-CN201510533071.2在审
发明人：李恩竹;牛娜;陈亚伟;石燕;邹蒙莹 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2015-08-27 - 公布日： 2015-12-09 - 主分类号： C04B35/465 文献下载
摘要：本发明属于电子陶瓷及其制造领域，涉及电子材料技术,尤其涉及一种中温烧结CNT体系微波介质陶瓷及其制备方法。该陶瓷的原料成分为质量百分比39.96％～71.11％的Ca-Nd-Ti(CNT)、质量百分比20.24％～57.66％的Li-Nd-Ti(LNT)和质量百分比2.38％～8.65％的降烧剂。可用于中温共烧陶瓷系统、多层介质谐振器、微波天线、滤波器等微波器件的制造。
一种 ca nd ti 体系中温共烧陶瓷及其制备方法

[发明专利]一种多元低温共烧陶瓷LTCC微波射频电路及使用其的方法-CN201510400788.X有效
发明人：向勇;高诗光;赵正爽;高奇文 -专利权人：东莞电子科技大学电子信息工程研究院
申请日： 2015-07-08 - 公布日： 2018-02-16 - 主分类号： H01Q1/38 文献下载
摘要：本发明公开了一种多元低温共烧陶瓷LTCC微波射频电路及使用其的方法，所述电路包括顶层天线阵列单元、中层滤波器单元、下层耦合单元以及若干层低温共烧陶瓷基板；顶层天线阵列单元、中层滤波器单元和下层耦合单元均埋置于不同层的低温共烧陶瓷基板中，且不同层的低温共烧陶瓷基板之间通过嵌入每一层低温共烧陶瓷基板中的金属过孔连接。本发明提供的微波射频电路，采用激光打孔、微孔注浆等技术将无源元件埋置到低温共烧陶瓷基板内部，实现了多元集成电路的小型化要求，低温共烧陶瓷技术的埋置式结构和可控层厚技术，为多元集成电路的紧凑型和可靠性提供了保证
一种多元低温陶瓷 ltcc 微波射频电路使用方法

[发明专利]一种Ca-Nd-Ti体系中温共烧陶瓷及其制备方法-CN201510388189.0在审
发明人：李恩竹;牛娜;张鹏;唐斌;孙成礼 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2015-07-06 - 公布日： 2015-10-07 - 主分类号： C04B35/462 文献下载
摘要：本发明属于电子陶瓷及其制造领域，涉及电子材料技术,尤其涉及一种中温烧结Ca-Nd-Ti体系微波介质陶瓷材料及其制备方法。该陶瓷材料的原料成分为质量百分比90.15％～100％的Ca-Nd-Ti(CNT)和质量百分比0％～9.85％的降烧剂A；主晶相CNT为Ca_0.6Nd_0.26TiO₃，降烧剂A各组分质量百分比为：35％≤La₂O₃≤45％、49％≤H₃BO₃≤52％可用于中温共烧陶瓷系统、多层介质谐振器、微波天线、滤波器等微波器件的制造。
一种 ca nd ti 体系中温共烧陶瓷及其制备方法

[发明专利]一种采用混合导体结构的低温共烧陶瓷的方法-CN201310519740.1有效
发明人：戴雷;严蓉;庞学满 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十五研究所
申请日： 2013-10-29 - 公布日： 2014-02-26 - 主分类号： C04B35/622 文献下载
摘要：本发明是一种采用混合导体结构的低温共烧陶瓷的方法，包括如下工艺步骤：1）制出所需要的生瓷件；2）通过箱式低温烧结设备，采用复合型承烧板低温烧结成型出混合导体低温共烧陶瓷基板；3）在低温共烧陶瓷基板的表面采用金导体；4）在低温共烧陶瓷基板的内部采用银导体；5）在低温共烧陶瓷基板表面的金电极与内层银电极之间插入一层过渡金属材料，利用中和金银异种金属间高温扩散速率差异性能，在低温共烧过程中形成可靠的电连接。优点：通过采用混合导体低温共烧陶瓷方法，在不改变产品设计的前提下，有效降低产品的生产成本，同时产品的性能与可靠性与以往的全金低温共烧陶瓷基板相当，可广泛应用于微电子领域各类模块与组件。
一种采用混合导体结构低温陶瓷方法

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