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[发明专利]三维纳米结构氚伏电池-CN201910075577.1在审
发明人：伞海生;陈长松 -专利权人：厦门大学;厦门大学深圳研究院
申请日： 2019-01-25 - 公布日： 2020-07-24 - 主分类号： G21H1/06 文献下载
摘要：三维纳米结构氚伏电池，涉及一种同位素电池。呈三明治结构，从上到下依次为：顶部电极、三维纳米结构半导体和底部电极；所述三维纳米结构半导体是由半导体材料构成的三维网格框架结构，网格框架之间设有孔道间隙，三维纳米结构半导体设于底部电极与顶部电极之间，三维纳米结构半导体为氚基同位素源集成的三维纳米结构半导体，所述氚基同位素源贮存于半导体网格框架之间孔道间隙中的氚化金属，或为氚与三维纳米结构半导体材料复合形成的氚化半导体，或为氚化金属与氚化半导体的共存结构；所述氚化金属与三维纳米结构半导体形成肖特基接触或欧姆接触，同时还与顶部电极或底部电极连接。
三维纳米结构电池

[实用新型]一种三维纳米结构氚伏电池-CN201920132344.6有效
发明人：伞海生;陈长松 -专利权人：厦门大学;厦门大学深圳研究院
申请日： 2019-01-25 - 公布日： 2020-07-31 - 主分类号： G21H1/06 文献下载
摘要：一种三维纳米结构氚伏电池，涉及一种同位素电池。呈三明治结构，从上到下依次为：顶部电极、三维纳米结构半导体和底部电极；所述三维纳米结构半导体是由半导体材料构成的三维网格框架结构，网格框架之间设有孔道间隙，三维纳米结构半导体设于底部电极与顶部电极之间，三维纳米结构半导体为氚基同位素源集成的三维纳米结构半导体，所述氚基同位素源贮存于半导体网格框架之间孔道间隙中的氚化金属，或为氚与三维纳米结构半导体材料复合形成的氚化半导体，或为氚化金属与氚化半导体的共存结构；所述氚化金属与三维纳米结构半导体形成肖特基接触或欧姆接触，同时还与顶部电极或底部电极连接。
一种三维纳米结构电池

[发明专利]视觉检测装置及其视觉检测方法-CN201010172648.9无效
发明人：柳弘俊;李尚勋;崔正贤 -专利权人：宰体有限公司
申请日： 2010-05-12 - 公布日： 2010-11-17 - 主分类号： G01N21/88 文献下载
摘要：公开了一种用于半导体器件的视觉检测装置，特别是一种能够通过捕获半导体器件的外部图像，然后通过分析所捕获的外部图像来检测半导体器件的状态的、用于半导体器件的视觉检测装置，该用于半导体器件的视觉检测装置包括二维视觉检测单元和三维视觉检测单元，其包括用于将光照射到一个或更多待检测的半导体器件的上、下表面的一个表面的检测表面上的二维光源，以及用于捕获该半导体器件的图像，以便通过为来自二维光源的光已照射到其上的检测表面拍照来获取二维形状的二维相机；该三维视觉检测单元包括用于将光照射到通过该二维视觉检测单元检测的该检测表面上的三维光源，以及用于捕获半导体器件的图像，以便通过为来自三维光源的光已照射到其上的检测表面拍照来获取三维形状的三维相机。
视觉检测装置及其方法

[发明专利]视觉检测装置及其视觉检测方法-CN201610550217.9有效
发明人：柳弘俊;李尚勋;崔正贤 -专利权人：宰体有限公司
申请日： 2010-05-12 - 公布日： 2020-06-12 - 主分类号： G01N21/88 文献下载
摘要：公开了一种视觉检测装置，特别是一种能够通过捕获半导体器件的外部图像，通过分析捕获的外部图像来检测半导体器件的状态的、用于半导体器件的视觉检测装置，该视觉检测装置包括二维视觉检测单元和三维视觉检测单元，包括用于将光照射到一个或更多待检测的半导体器件的上、下表面的一个表面的检测表面上的二维光源，以及用于捕获该半导体器件的图像，以便通过为来自二维光源的光已照射到其上的检测表面拍照来获取二维形状的二维相机；该三维视觉检测单元包括用于将光照射到通过该二维视觉检测单元检测的该检测表面上的三维光源，以及用于捕获半导体器件的图像，以便通过为来自三维光源的光已照射到其上的检测表面拍照来获取三维形状的三维相机。
视觉检测装置及其方法

[发明专利]半导体器件-CN200810131964.4无效
发明人：古田博伺 -专利权人：恩益禧电子股份有限公司
申请日： 2008-07-02 - 公布日： 2009-01-07 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体器件，该半导体器件包括：第一共源半导体层和第二共源半导体层，分别沿着第一方向延伸；第一逻辑栅电路和第二逻辑栅电路，分别由至少一个三维P型FET和三维N型FET组成。第一逻辑栅电路和第二逻辑栅电路中的三维P型FET的源极连接到第一共源半导体层。第一逻辑栅电路和第二逻辑栅电路中的三维N型FET的源极连接到第二共源半导体层。第一逻辑栅电路中的三维P型FET和三维N型FET的半导体层连接它们的漏侧，并且第二逻辑栅电路中的三维P型FET和三维N型FET的半导体层连接它们的漏侧。可以增强FinFET的散热。
半导体器件

[发明专利]半导体器件-CN200810130350.4有效
发明人：野野村到;长田健一;佐圆真 -专利权人：株式会社日立制作所
申请日： 2008-07-11 - 公布日： 2009-01-21 - 主分类号： H01L25/00 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件，提供如下这样的技术：在半导体器件中，能够层叠相同设计的多个芯片、废除垫片和中继基板而提高三维耦合的信息传送能力。在封装基板上层叠有第一半导体集成电路(SoC301)、第二半导体集成电路(存储器A302)和第三半导体集成电路(存储器B303)，该第一半导体集成电路具有第一三维耦合电路(三维耦合发送端子组和三维耦合接收端子组)，该第二半导体集成电路具有三维耦合电路和贯通电极(电源贯通孔和接地贯通孔)，该第三半导体集成电路具有三维耦合电路和贯通电极。
半导体器件

[发明专利]一种基于二维半导体材料垂直沟道的三维闪存存储器及其制备-CN201910318961.X在审
发明人：缪向水;钱航;童浩 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2019-04-19 - 公布日： 2019-08-20 - 主分类号： H01L27/11568 文献下载
摘要：本发明属于半导体存储器制造领域，更具体地，涉及一种基于二维半导体材料垂直沟道的三维半导体存储器及其制备，所述三维半导体存储器，包含多个垂直方向的三维存储串，每一个三维存储串包含一个半导体垂直沟道，半导体垂直沟道的长度由存储器三维堆叠的层数决定；所述垂直沟道材料包括一种或多种二维半导体材料，以及所述二维半导体材料表面的保护层，所述保护层用于对该二维半导体材料进行支撑保护，所述二维半导体材料的载流子迁移率高于非晶硅的载流子迁移率。本发明利用二维材料作为存储器沟道，可以提供更高的存储器单元开态电流，从而降低存储器的操作功耗。
二维半导体垂直沟道存储器三维半导体存储器载流子迁移率三维存储保护层制备半导体半导体存储器存储器单元闪存存储器操作功耗二维材料开态电流三维堆叠支撑保护非晶硅沟道三维制造

[实用新型]一种三维打印平台-CN201520127684.1有效
发明人：张继春;徐瑞;张玲;郭星伟;朱安栋 -专利权人：威海湛翌三维科技有限公司
申请日： 2015-03-05 - 公布日： 2015-11-25 - 主分类号： A23P1/10 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种三维打印平台，所述三维打印平台包括：面板、半导体制冷片、散热片；所述面板形成于所述三维打印平台的上表面，承接三维打印机打印头排出的成型材料；所述半导体制冷片，设置于所述面板下方，所述半导体制冷片的上表面与所述面板的下表面接触；所述散热片，设置于所述半导体制冷片的下方，对所述半导体制冷片散热。采用上述结构的三维打印平台能够在三维打印机进行打印时加速冷却堆积在所述三维打印平台上的成型材料，从而有利于提高三维打印成型的质量。
一种三维打印平台

[发明专利]三维存储器及其制备方法-CN202010015739.5有效
发明人：耿万波;薛磊;薛家倩;刘小欣;黄波;高庭庭 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2020-01-07 - 公布日： 2021-08-06 - 主分类号： H01L27/11568 文献下载
摘要：本申请公开了一种三维存储器及其制备方法。三维存储器的制备方法包括:提供衬底；在衬底上形成隔离层；在三维存储器中形成包括阻挡层与半导体层的存储结构；其中，阻挡层围设在半导体层的周边；刻蚀所述存储结构朝向衬底的一侧，以暴露出半导体层；沿暴露出的半导体层形成第一半导体结构；其中，第一半导体结构连接半导体层，且至少部分隔离层位于衬底与第一半导体结构之间。本申请提供的三维存储器的制备方法分步形成半导体结构，提高三维存储器的良率。
三维存储器及其制备方法

[发明专利]量测方法-CN201610928280.1在审
发明人：洪英傑;林逸宏;周有伟 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2016-10-31 - 公布日： 2017-05-17 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：提供一种用于半导体样品的布植剂量分布的量测方法。量测方法包含在半导体样品的三维结构中产生光调变效应且量测三维结构的反射信息。获得半导体样品的三维结构的几何形状信息。将三维结构的几何形状信息转换成估计反射数据。比较反射信息与估计反射数据以判定半导体样品的三维结构的布植剂量分布。
方法

[发明专利]三维半导体器件、包括其的可变电阻存储器件及其制造方法-CN201410003667.7有效
发明人：朴南均 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2014-01-03 - 公布日： 2019-05-07 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：提供了一种三维半导体器件、包括三维半导体器件的电阻可变存储器件、以及制造三维半导体器件的方法。所述三维半导体器件包括：源极，由第一半导体材料形成；沟道层，形成在源极上并且由第一半导体材料形成；轻掺杂漏极LDD区，形成在沟道层上并且由具有比第一半导体材料高的氧化速率的第二半导体材料形成；漏极，形成在LDD区上并且由第一半导体材料形成；以及栅绝缘层，形成在沟道层、LDD区以及漏极的外周缘上。
三维半导体器件包括可变电阻存储器件及其制造方法

[发明专利]一种吸收剂量的定量蒙特卡罗模拟方法、系统及存储介质-CN201911020779.2有效
发明人：吴正新;孙慧斌;何承发;赵海歌;刘国卿;胡世鹏;钟健;甘林;罗奇;郝昕 -专利权人：深圳大学
申请日： 2019-10-25 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： G16C10/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种吸收剂量的定量蒙特卡罗模拟方法、系统及存储介质，方法包括：建立中空三维屏蔽模型和三维界面网格模型；模拟X射线照射三维模型，获取半导体层不同位置网格中沉积的能量；根据获取到的不同位置网格中沉积的能量、半导体层密度及网格体积得到半导体层不同深度的吸收剂量。本发明通过预先建立三维屏蔽模型和三维界面网格模型，模拟X射线照射三维屏蔽模型，可对初级粒子以及所有的次级粒子进行跟踪从而得到半导体层精确的吸收剂量；通过三维屏蔽模型能够减弱金与半导体层界面的剂量增强效应，进一步提高吸收剂量测量的准确性；通过对半导体层进行网格划分，能够测量半导体任意位置的吸收剂量。
一种吸收剂量定量蒙特卡罗模拟方法系统存储介质

[发明专利]一种三维半导体器件、芯片及三维半导体器件的制备方法-CN202110826828.2在审
发明人：刘琦;汪泳州;吴祖恒;时拓;刘宇;张培文;刘明 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2021-07-21 - 公布日： 2021-10-26 - 主分类号： H01L27/01 文献下载
摘要：本发明公开一种三维半导体器件、芯片及三维半导体器件的制备方法，涉及半导体技术领域，用于在信息处理过程中，实现一次性对信号进行多级处理。所述三维半导体器件，包括：衬底及由下至上依次形成在衬底上的滤波结构、卷积结构及脉冲输出结构。滤波结构包括的第一介质层的材料为具备短时程记忆特性的材料。脉冲输出结构包括的第三介质层的材料为具备阈值转变特性的材料。所述芯片包括上述三维半导体器件。所述三维半导体器件的制备方法用于制造上述三维半导体器件。
一种三维半导体器件芯片制备方法

[发明专利]一种分析半导体晶圆的方法及装置-CN201811636763.X有效
发明人：陈肖;宋箭叶;何广智 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2018-12-29 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： G06T7/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种分析半导体晶圆的方法及装置，用以分析待测半导体晶圆上的缺陷分布模式。上述方法包括：获取上述待测半导体晶圆的缺陷分布图，上述缺陷分布图指示待测半导体晶圆平面内的缺陷分布；根据上述缺陷分布图建立三维待测模型，上述三维待测模型的XY平面对应上述待测半导体晶圆平面，上述三维待测模型的Z轴对应位于XY平面内各个网格单元中缺陷的数量；以及计算上述三维待测模型与至少一个三维参考模型之间的相似度以确定上述待测半导体晶圆的缺陷分布模式，其中，每个三维参考模型指示一种模式的缺陷分布。
一种分析半导体方法装置

[发明专利]发光半导体芯片曲面封装结构及其发光半导体光源装置-CN201010552193.3有效
发明人：李光 -专利权人：李光
申请日： 2010-11-20 - 公布日： 2011-05-18 - 主分类号： H01L25/075 文献下载
摘要：本发明公开一种发光半导体芯片曲面封装结构及其发光半导体光源装置，包括三维支架、2个导电电极、和多个发光半导体芯片，三维支架和2个导电电极固装成一体，所述三维支架上具有至少一个圆弧形的封装曲面；发光半导体芯片环绕地贴附在该三维支架的封装曲面上
发光半导体芯片曲面封装结构及其光源装置

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