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[发明专利]铕铋共掺杂三族锑硅酸盐发光薄膜及其制备方法和电致发光器件-CN201310631680.2在审
发明人：周明杰;陈吉星;王平;黄辉 -专利权人：海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技术有限公司;深圳市海洋王照明工程有限公司
申请日： 2013-11-29 - 公布日： 2015-06-03 - 主分类号： C09K11/75 文献下载
摘要：本发明提出一种铕铋共掺杂三族锑硅酸盐发光薄膜及其制备方法和电致发光器件，述铕铋共掺杂三族锑硅酸盐发光薄膜的化学通式为MeSbAl2O7：xEu3+,yBi3+；其中：MeSbAl2O7是基质；Eu3+和本发明采用磁控溅射设备制得铕铋共掺杂三族锑硅酸盐发光薄膜，所述铕铋共掺杂三族锑硅酸盐发光薄膜在480nm和580nm位置有很强的发光峰，具有良好的发光性能。所述铕铋共掺杂三族锑硅酸盐发光薄膜实现了反光材料由荧光粉到发光薄膜的过渡，增加了发光薄膜的种类。
铕铋共掺杂三族锑硅酸盐发光薄膜及其制备方法电致发光器件

[发明专利]表面粗化的氮化镓系发光元件及其制造方法-CN200810134896.7无效
发明人：黄世晟;涂博闵;叶颖超;林文禹;吴芃逸;徐智鹏;詹世雄 -专利权人：先进开发光电股份有限公司
申请日： 2008-08-06 - 公布日： 2010-02-10 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：一种表面粗化的氮化镓系发光元件及其制造方法，其可包括衬底、缓冲层、n型三族氮化物半导体材料层、三族氮化物半导体发光层、第一p型三族氮化物半导体材料层、p型重掺杂三族氮化物半导体材料层、以及第二p型三族氮化物半导体粗化层上述第一p型三族氮化物半导体材料层，成长于上述三族氮化物半导体发光层上。上述p型重掺杂三族氮化物半导体材料层，成长于上述第一p型三族氮化物半导体材料层上。上述第二p型三族氮化物半导体粗化层，成长于上述p型重掺杂三族氮化物半导体材料层上。本发明提供的发光元件不仅具有表面粗化的特性，可以确保亮度。
表面氮化发光元件及其制造方法

[发明专利]内嵌有源层的三族氮化物微纳发光器件及制备方法-CN201410626417.9有效
发明人：张佰君;陈伟杰;林佳利;胡国亨 -专利权人：中山大学
申请日： 2014-11-07 - 公布日： 2017-09-12 - 主分类号： H01L33/30 文献下载
摘要：本发明公开一种内嵌有源层的三族氮化物微纳发光器件及制备方法，发光器件包括初始发光器件、透明导电层、p型电极和n型电极；初始发光器件自下而上依次有衬底、三族氮化物成核层和缓冲层、n型三族氮化物层、图形化5 掩蔽膜、选择性外延生长的n型三族氮化物结构、露出选择性外延生长的n型三族氮化物结构顶部的掩蔽膜、三族氮化物有源层和p型三族氮化物覆盖层；三族氮化物有源层设置在未被掩蔽覆盖的选择性外延生长的n型三族氮化物结构与p型三族氮化物覆盖层间；透明导电层沉积在初始发光器件正面，p型电极设置在透明导电层上，n型电极设置在n型三族氮化物层上或衬底底部。
有源氮化物发光器件制备方法

[发明专利]一种带有DBR掩膜的三族氮化物发光器件及制备方法-CN201610098888.6在审
发明人：张佰君;杨亿斌 -专利权人：中山大学
申请日： 2016-02-23 - 公布日： 2016-07-06 - 主分类号： H01S5/125 文献下载
摘要：本发明公开一种带有DBR掩膜的三族氮化物发光器件及制备方法，发光器件自下而上依次有n型电极、衬底、三族氮化物成核层和缓冲层、n型三族氮化物层、图形化分布布拉格反射镜（DBR）介质掩膜、选择区域生长的n型三族氮化物层、三族氮化物有源层、p型三族氮化物层、露出p型三族氮化物层顶部的介质掩膜、透明导电层、p型电极、顶部DBR介质膜。其中，p型电极设置在透明导电层上，n型电极设置在衬底底部或者n型三族氮化物层上。本发光器件具有尺寸可控、晶体质量高、性能稳定、量子效率极高的特点。
一种带有 dbr 氮化物发光器件制备方法

[发明专利]制造第三族氮化物衬底的方法-CN200410002946.8有效
发明人：北冈康夫;峰本尚;木户口勲;石桥明彦 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2004-01-20 - 公布日： 2004-08-04 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明提供一种制造方法，可以制造只由高质量第三族氮化物晶体形成并具有较少翘曲的衬底。包括间隙的第三族氮化物层(籽晶层12和选择生长层15)形成在衬底(蓝宝石衬底11)上。在含氮气氛中，使第三族氮化物层的表面与含有碱金属和选自镓、铝和铟中的至少一种第三族元素的熔化物相接触，由此该至少一种第三族元素和氮互相反应，在第三族氮化物层上生长第三族氮化物晶体(GaN晶体16)。此后在间隙附近使包括衬底的部分和包括第三族氮化物晶体的部分相互分离。
制造第三氮化物衬底方法

[发明专利]第三族金属氮化物及其制备-CN200880009910.9有效
发明人：摩西·埃纳威 -专利权人：摩赛科结晶公司
申请日： 2008-02-21 - 公布日： 2010-03-10 - 主分类号： C23C14/06 文献下载
摘要：所述方法进一步包括以下工序：在至少0.01Pa的基础压力下向该基板表面引入第三族金属蒸汽，直到在该表面上形成多个第三族金属液滴，在0.05Pa-2.5Pa工作压力下向该表面引入活性氮，直到在该第三族金属液滴上形成第三族金属氮化物分子该方法还包括以下工序：维持该工作压力和所述活性氮，直到第三族金属氮化物分子扩散到第三族金属液滴中，形成氮化物/金属溶液滴，并直到该氮化物/金属溶液滴转化为该基板上的润湿层，继续增加该润湿层中第三族金属氮化物分子的浓度，直到包含在该润湿层中的所有第三族金属原子被耗尽，且该润湿层转化为第三族金属氮化物薄膜。根据本发明公开技术的另一实施方式，如果润湿层较薄，在继续增加该润湿层中第三族金属氮化物分子的浓度的工序期间，第三族金属氮化物分子扩散到该润湿层中，从而增加其粘度，所述润湿层转化为固体无定形第三族金属氮化物薄膜，该润湿层转化为晶体第三族金属氮化物薄膜。
第三金属氮化物及其制备

[发明专利]第三族金属氮化物及其制备-CN200880012995.6无效
发明人：摩西·埃纳威 -专利权人：摩赛科结晶公司
申请日： 2008-02-21 - 公布日： 2010-03-03 - 主分类号： C23C14/06 文献下载
摘要：所述方法进一步包括以下工序：在至少0.01Pa的基础压力下向该基板表面引入第三族金属蒸汽，直到在该表面上形成多个第三族金属液滴，在0.05Pa-2.5Pa工作压力下向该表面引入活性氮，直到在该第三族金属液滴上形成第三族金属氮化物分子该方法还包括以下工序：维持该工作压力和所述活性氮，直到第三族金属氮化物分子扩散到第三族金属液滴中，形成氮化物/金属溶液滴，并直到该氮化物/金属溶液滴转化为该基板上的润湿层，继续增加该润湿层中第三族金属氮化物分子的浓度，直到包含在该润湿层中的所有第三族金属原子被耗尽，且该润湿层转化为第三族金属氮化物薄膜。根据本发明公开技术的另一实施方式，如果润湿层较薄，在继续增加该润湿层中第三族金属氮化物分子的浓度的工序期间，第三族金属氮化物分子扩散到该润湿层中，从而增加其粘度，所述润湿层转化为固体无定形第三族金属氮化物薄膜，该润湿层转化为晶体第三族金属氮化物薄膜。
第三金属氮化物及其制备

[实用新型]一种复合衬底/三族氮化物微米柱结构-CN201720172528.6有效
发明人：邱振宇;鲁文超;赵恩;漆林;李宗尧;杨松;曹冰;王钦华 -专利权人：苏州大学
申请日： 2017-02-24 - 公布日： 2017-09-29 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种复合衬底/三族氮化物微米柱结构。以在介质材料上生长石墨烯插入层为复合衬底，在石墨烯插入层上生长三族氮化物微米柱。本实用新型中，石墨烯由低温固态碳源法在非蓝宝石介质材料上直接制备，在复合衬底上再生长得到三族氮化物微米柱，解决了在某些介质材料上三族氮化物无法成核生长的难题，拓宽了三族氮化物外延用介质衬底的范围。尤其是使用石墨烯/石英复合衬底外延制备三族氮化物微米柱结构，可有效降低生产成本。
一种复合衬底氮化物微米结构

[发明专利]一种倒装结构的三族氮化物微纳发光器件及其制备方法-CN201710059899.8在审
发明人：杨亿斌;张佰君;招瑜;肖也;罗东向;牟中飞;李京波 -专利权人：广东工业大学
申请日： 2017-01-24 - 公布日： 2017-05-31 - 主分类号： H01L33/22 文献下载
摘要：本发明公开了一种倒装结构的三族氮化物微纳发光器件，包括发光器件本体，所述发光器件本体自上而下依次有第一n型三族氮化物层(1)、图形化掩膜层(2)、第二n型三族氮化物层(3)、三族氮化物有源层(4)、p型三族氮化物层(5)、反光导电层(6)、p型电极(7)，所述第一n型三族氮化物层(1)上设有n型电极(8)；所述第二n型三族氮化物层(3)为六角金字塔结构或六角截顶金字塔结构；所述图形化掩膜层(2)的图形为周期性多边形或圆孔，尺寸为1μm～20μm，阵列周期为50μm～200μm；本发明还公开了一种倒装结构的三族氮化物微纳发光器件的制备方法，本微纳发光器件具有尺寸可控、晶体质量高、性能稳定、发光效率高的特点。
一种倒装结构氮化物发光器件及其制备方法

[发明专利]一种制备三族氮化物衬底的方法-CN200710023555.8有效
发明人：徐科;杨辉;王建峰;张宝顺 -专利权人：苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2007-06-08 - 公布日： 2007-12-12 - 主分类号： C30B25/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种制备三族氮化物衬底的方法，其特征在于，包括下列步骤：(1)在蓝宝石衬底上生长三族氮化物薄膜，薄膜厚度在50纳米到50微米之间；(2)用高能量激光从衬底背面入射辐照，使三族氮化物薄膜和蓝宝石衬底不完全剥离，分离面积为总面积的10％到99％之间，所述高能量激光的光子能量在三族氮化物与蓝宝石的带宽之间；(3)对处理后的三族氮化物及蓝宝石衬底采用卤化物气相外延生长法继续进行三族氮化物薄膜生长，至所需厚度，即获得所需的三族氮化物衬底
一种制备氮化物衬底方法

[发明专利]石墨烯/介质材料为复合衬底的三族氮化物微米柱结构及制备方法-CN201710104757.9有效
发明人：曹冰;赵恩;漆林;李宗尧;杨松;王钦华 -专利权人：苏州大学
申请日： 2017-02-24 - 公布日： 2023-03-17 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种石墨烯/介质材料为复合衬底的三族氮化物微米柱结构及制备方法。石墨烯由低温固态碳源法在非蓝宝石介质材料上直接制备，得到复合衬底，再在复合衬底的石墨烯上生长出三族氮化物微米柱，得到一种石墨烯/介质材料为复合衬底的三族氮化物微米柱结构。本发明技术方案解决了在某些介质材料上三族氮化物无法成核生长的难题，拓宽了三族氮化物外延用介质衬底的范围。尤其是使用石墨烯/石英复合衬底外延三族氮化物，可以有效降低外延成本。
石墨介质材料复合衬底氮化物微米结构制备方法

[发明专利]一种带有漏电限制层的光电器件及制备方法-CN201410828949.0在审
发明人：张佰君;林佳利;陈伟杰 -专利权人：中山大学
申请日： 2014-12-25 - 公布日： 2015-05-06 - 主分类号： H01L31/07 文献下载
摘要：本发明公开一种带有漏电限制层的光电器件及制备方法，其中带有漏电限制层的三维微纳发光器件包括初始发光器件、漏电限制层、透明导电层、p型电极和n型电极；初始发光器件自下而上依次有衬底、三族氮化物成核层和缓冲层、n型三族氮化物层、图形化掩蔽膜、选择性外延生长的n型三族氮化物结构、三族氮化物有源层、p型三族氮化物覆盖层；漏电限制层包裹在初始发光器件最外层的p型三族氮化物覆盖层的部分区域；透明导电层沉积在初始发光器件正面，p型电极设置在透明导电层上，n型电极设在n型三族氮化物层上或衬底底部。
一种带有漏电限制光电器件制备方法

[发明专利]三族氮化合物半导体发光组件的制造方法及其结构-CN200810092845.2无效
发明人：涂博闵;黄世晟;林文禹;徐智鹏;詹世雄 -专利权人：先进开发光电股份有限公司
申请日： 2008-05-04 - 公布日： 2009-11-04 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：一种三族氮化合物半导体发光组件的制造方法，其包含下列步骤：于一原始基板的表面生长一第一三族氮化合物半导体层；于该第一三族氮化合物半导体层形成一外延阻断层；于该外延阻断层及无覆盖的该第一三族氮化合物半导体层上生长一第二三族氮化合物半导体层；移除该外延阻断层；于该第二三族氮化合物半导体层上生长一第三三族氮化合物半导体层；于该第三三族氮化合物半导体层上沉积一导电材料层；以及将该第三三族氮化合物半导体层及其上结构从该第二三族氮化合物半导体层分离
氮化半导体发光组件制造方法及其结构

[发明专利]高线性度增强型氮化镓高电子迁移率晶体管及制备方法-CN202010683068.X在审
发明人：刘志宏;蔡鸣;张进成;周弘;赵胜雷;王泽宇;郝璐;张苇杭;段小玲;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2020-07-15 - 公布日： 2020-11-20 - 主分类号： H01L29/10 文献下载
摘要：本发明涉及一种高线性度增强型氮化镓高电子迁移率晶体管及制备方法，高线性度增强型氮化镓高电子迁移率晶体管，包括：晶圆，晶圆包括三族氮化物异质结，异质结界面形成二维电子气；位于晶圆上两端的源电极和漏电极；栅电极，设置在晶圆上，且位于源电极和漏电极之间；若干p型三族氮化物区，间隔设置在三族氮化物异质结内，且位于栅电极的下方，若干p型三族氮化物区与三族氮化物异质结形成纳米沟道带状结构。本发明的晶体管，在栅电极下设置有纳米沟道带状结构，实现了p型三族氮化物区对三族氮化物异质结的二维电子气的耗尽，形成了增强型的氮化镓高电子迁移率晶体管，而且提高了晶体管的跨导曲线的平坦度和线性度。
线性增强氮化电子迁移率晶体管制备方法

[发明专利]一种降低三族氮化物自支撑片翘曲度的方法-CN200910180528.0有效
发明人：于祥潞;徐永宽;殷海丰;程红娟;李强;杨丹丹;赖占平;严如岳 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十六研究所
申请日： 2009-10-19 - 公布日： 2010-03-17 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种降低三族氮化物自支撑片翘曲度的方法，所述方法包括以下步骤：对剥离下来的三族氮化物自支撑片进行腐蚀；对腐蚀后的三族氮化物自支撑片进行生长，生长面为氮面。本发明对剥离下来的三族氮化物自支撑片进行再生长，通过氮面再生长降低其翘曲度，并增加了自支撑片的厚度，为后续的抛光工艺打下良好的基础。
一种降低氮化物支撑曲度方法

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