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[发明专利]一维硅基复合负极材料及包含该负极材料的负极极片、电化学装置和电子装置-CN202210827888.0在审
发明人：王超;胡莎;朱琳;田伟峰;富笑男 -专利权人：河南工业大学
申请日： 2022-07-13 - 公布日： 2022-10-14 - 主分类号： H01M4/36 文献下载
摘要：本发明公开了一维硅基复合负极材料及包含该负极材料的负极极片、电化学装置和电子装置，包括呈竖直排列的阵列的一维硅基材料、包覆在一维硅基材料表面的包覆层、填充在一维硅基材料的间隙中的导电网络，相邻的一维硅基材料的间距与一维硅基材料的直径的比值为20%‑80%，包覆层的厚度与一维硅基材料的间距的比值为5%‑35%，导电网络的质量含量为5%‑25%。本发明通过限定一维硅基材料的间距与直径之间的关系、包覆层厚度与一维硅基材料间距之间的关系、导电网络的质量含量、一维硅基材料的尺寸与排列等因素，使得结构间距与包覆层的协同缓冲作用与界面钝化作用达到最优化，提高一维硅基复合负极材料的结构稳定性与动力学性能。
一维硅基复合负极材料包含电化学装置电子

[发明专利]硅基光子晶体微腔拉曼激光器结构-CN200510086312.X无效
发明人：许兴胜;陈弘达 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2005-08-31 - 公布日： 2007-03-07 - 主分类号： H01S5/32 文献下载
摘要：一种硅基光子晶体微腔拉曼激光器结构，包括：一绝缘体硅材料；一二维光子晶体，该二维光子晶体制作在绝缘体硅材料的上面，位于绝缘体硅材料的中间部分处；一二维光子晶体微腔，该二维光子晶体微腔形成在二维光子晶体的中心处；一P型硅，该P型硅制作在绝缘体硅材料上面的一侧，位于二维光子晶体的一边；一N型硅，该N型硅制作在绝缘体硅材料上面的另一侧，位于二维光子晶体的另一边。本发明二维光子晶体微腔硅基拉曼激光器的结构，该拉曼激光器结构紧凑，模体积小，阈值低，便于与其他器件的集成。
光子晶体微腔拉曼激光器结构

[发明专利]一种用于锂离子电池负极的二维硅纳米片及其制备方法-CN202210797541.6在审
发明人：张威;杨东;赵亮 -专利权人：上海旦元新材料科技有限公司
申请日： 2022-07-08 - 公布日： 2022-09-06 - 主分类号： C01B33/02 文献下载
摘要：本发明涉及锂离子电池技术领域，尤其涉及一种用于锂离子电池负极的二维硅纳米片及其制备方法。其主要针对现有的二维硅纳米片只能在实验室通过复杂的过程少量制备，缺少一种低能耗、可规模化制备二维硅纳米片的方法的问题，提出如下技术方案：按照以下方法制备而成：步骤一：硅合金在酸溶液中刻蚀得到多孔硅；步骤二：多孔硅通过气流粉碎机得到微米硅片；步骤三：微米硅片在分散剂的作用下，砂磨得到锂离子电池负极的二维硅纳米片。本发明制备能耗低，设备投入量低，降低二维硅纳米片的制备成本，推广二维硅纳米片的使用范围，应用二维硅纳米片的锂离子电池续航能力强。
一种用于锂离子电池负极二维纳米及其制备方法

[发明专利]一种基于绝缘层上硅衬底的二维材料/硅异质结阵列及其制备方法-CN202210049787.5在审
发明人：徐杨;宁浩;吴少雄;吕建杭;刘粒祥;陈丽;汪晓晨;俞滨 -专利权人：浙江大学
申请日： 2022-01-17 - 公布日： 2022-05-24 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于绝缘层上硅衬底的二维材料/硅异质结阵列及其制备方法，包括组成阵列的若干异质结单元。异质结单元为二维材料/硅的垂直异质结，阵列是异质结单元的面阵阵列。制备方法为在绝缘层上硅衬底上通过刻蚀顶硅的方式形成图形化的顶硅条带，再依次沉积绝缘层、制作电极、刻蚀出硅窗口及硅接触孔，再将二维材料转移至硅窗口并图形化。本发明通过二维材料与硅的垂直异质结拓宽吸收波段、增强光吸收。本发明的异质结阵列中，每一列/行异质结共用同一条顶硅条带，每一行/列异质结的二维材料接触电极相互连接，组成一条该行/列的顶电极布线。本发明实现了二维材料/硅异质结器件的阵列制作，为二维材料和硅的大规模集成提供了方案。
一种基于绝缘层上硅衬底二维材料硅异质结阵列及其制备方法

[发明专利]一种微米硅负极、其制备方法及锂离子电池-CN202211720054.6在审
发明人：请求不公布姓名 -专利权人：江苏卫蓝新能源电池有限公司
申请日： 2022-12-30 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： H01M4/134 文献下载
摘要：本发明提供了一种微米硅负极，包括由导电剂所形成的束缚结构和被束缚在其中的微米硅颗粒；所述导电剂包括一维导电剂和/或二维导电剂；所述微米硅颗粒与导电剂的质量比为（80~99）：（0.5~20）。本发明使用微米级别的硅颗粒与具有纳米尺度的一维和/或二维导电剂在混合过程中，一维和/或二维导电剂在静电作用下会发生交联，形成束缚硅颗粒的束缚结构，从而实现具有束缚结构的微米硅负极。本发明还提供了一种微米硅负极的制备方法和锂离子电池。
一种微米负极制备方法锂离子电池

[发明专利]一种三维硅碳复合材料及其制备方法-CN202310252578.5有效
发明人：苏红报;苏方征 -专利权人：青岛新泰和纳米科技有限公司
申请日： 2023-03-16 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01M4/38 文献下载
摘要：本发明提供了一种三维硅碳复合材料及其制备方法，所述方法通过将纳米硅、硅纳米线及其石墨烯、无定形碳混合形成三维结构的硅基‑碳基结构材料，得到所述三维硅碳复合材料。本发明制备出的硅碳复合材料利用硅烷偶联剂将零维的纳米硅、一维硅纳米线、两维的石墨烯连接起来并产生协同效应，避免纳米硅自身的团聚及其提升力学强度，并降低膨胀，且有机碳源碳化后得到的多孔碳进一步缓冲充放电过程中硅的膨胀同时电子导电率高的石墨烯提升复合材料的电子导电率，有机碳源碳化后得到的多孔碳，可以缓解充放电过程中硅基材料的膨胀，且有机碳源为醇类化合物与偶联剂具有较好的相容性。
一种三维复合材料及其制备方法

[发明专利]一种三维多孔硅碳复合材料、其制备方法及其应用-CN202110324659.2有效
发明人：郑安华;余德馨;仰永军 -专利权人：广东凯金新能源科技股份有限公司
申请日： 2021-03-26 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： H01M4/62 文献下载
摘要：本发明涉及锂电池负极材料领域，特别是涉及一种三维多孔硅碳复合材料，所述三维多孔硅碳复合材料包括三维多孔骨架、填充层及包覆层；所述三维多孔骨架为三维多孔碳骨架；所述填充层包括硅颗粒和导电碳；所述填充层由所述硅颗粒均匀弥散地分散在所述导电碳中形成本发明提供一种长循环、低膨胀的三维多孔硅碳复合材料、其制备方法及其应用。
一种三维多孔复合材料制备方法及其应用

[发明专利]一种硅基复合负极活性材料、硅基复合负极及其制备方法和应用-CN202110441457.6有效
发明人：孙现众;马衍伟;张熊 -专利权人：中国科学院电工研究所
申请日： 2021-04-23 - 公布日： 2022-11-15 - 主分类号： H01G11/30 文献下载
摘要：本发明涉及电极材料技术领域，提供了一种硅基复合负极活性材料、硅基复合负极及其制备方法和应用。本发明提供的硅基复合负极活性材料包括硅基材料30～82％，一维碳材料0～10％，导电炭黑18～60％。本发明利用硅基材料、一维碳材料和导电炭黑的复合，实现了一维、二维、三维尺度上的协同作用，避免硅材料在嵌锂和脱锂时由于体积变化导致的颗粒粉化与失效，且能提高硅基复合负极材料的电子导电率。采用本发明的负极活性材料制备的硅基复合负极功率性能好，比容量高，循环性能好，该硅基复合负极应用于锂离子储能器件中，且所得器件的电化学性能优异。
一种复合负极活性材料及其制备方法应用

[发明专利]一种可产生热载流子弛豫效应的低维硅设计制备方法-CN202110786196.1在审
发明人：严文生;臧月 -专利权人：杭州电子科技大学
申请日： 2021-07-12 - 公布日： 2021-11-16 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种可产生热载流子弛豫效应的低维硅设计制备方法，包括S10，声子能带设计；S20，设计具有人工声子带隙的低维硅结构；S30，制备结构化的低维硅；S40，结构表征与功能化测量。本发明根据设计的具有人工声子带隙结构的低维硅结构，采用本发明的制备方法，可以实现结构规整、均一性好、高重复性的二维周期性硅结构。
一种生热载流子效应低维硅设计制备方法

[发明专利]基于二维钙钛矿的硅叠层太阳能电池及其制作方法-CN202111498592.0在审
发明人：董鹏;郭永刚;刘大伟;倪玉凤;朱卫东;陈大正 -专利权人：青海黄河上游水电开发有限责任公司;国家电投集团黄河上游水电开发有限责任公司;青海黄河上游水电开发有限责任公司西宁太阳能电力分公司;青海黄河上游水电开发有限责任公司西安太阳能电力分公司;西安电子科技大学
申请日： 2021-12-09 - 公布日： 2022-03-18 - 主分类号： H01L27/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于二维钙钛矿的硅叠层太阳能电池。硅叠层太阳能电池包括：硅底电池和二维钙钛矿顶电池，所述二维钙钛矿顶电池叠层设置于所述硅底电池之上，所述二维钙钛矿顶电池包括依次远离所述硅底电池的光学耦合层、第一透明电极层、第一传输层、二维钙钛矿吸光层、将二维钙钛矿顶电池与硅底电池以机械堆叠结构方式形成叠层电池，叠层电池中的二维钙钛矿顶电池与硅底电池可以独自独立工作，互不干扰。使用二维钙钛矿作为吸光层，具有显著的稳定性，可以提高器件的整体可靠性。此外，由于使用机械堆叠结构叠层方式避免了顶电池与底电池之间的工艺冲突，也避免了因为制备顶电池而损伤底部硅电池。
基于二维钙钛矿硅叠层太阳能电池及其制作方法

[发明专利]制造二维阳极材料的方法-CN202211046787.6在审
发明人： T·E·莫伊兰;J·D·凯恩 -专利权人：通用汽车环球科技运作有限责任公司
申请日： 2022-08-30 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： C01B33/12 文献下载
摘要：本公开提供了用于形成二维硅氧化物负电活性材料的方法。所述方法包括使二维硅同素异形体和氧化剂在具有大于或等于约25℃至小于或等于约1,000℃的温度的环境中接触，其中二维硅同素异形体和氧化剂的接触导致二维硅同素异形体发生氧化并形成二维硅氧化物负电活性材料。在某些变型中，所述氧化剂包含氧气，且二维硅同素异形体和氧化剂的接触可包括将二维硅同素异形体置于包含小于或等于约21%氧气的含氧环境中。在其它变型中，所述氧化剂包括湿化学剂。
制造二维阳极材料方法

[发明专利]一种二维硅碳纳米片负极材料及其制备方法-CN202110224082.8有效
发明人：庞海波;姚停;郭建坤;徐婷;高海峰 -专利权人：合肥国轩电池材料有限公司
申请日： 2021-03-01 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： H01M4/38 文献下载
摘要：本发明公开了一种二维硅碳纳米片负极材料及其制备方法，涉及锂离子电池技术领域。该制备方法通过引入纳米纤维素作为结构单元，引导自身与聚多巴胺通过脱水缩合反应紧密结合形成良好的二维网络结构，同时，硅纳米粒子均匀的嵌入二维网络中，经过碳化处理，一步得到二维硅碳纳米片复合材料。此制备方法合成条件温和，合成步骤简单，有效缩减了制备二维硅碳纳米片复合材料的工艺流程。利用本发明方法制得的二维硅碳纳米片得益于其良好的二维结构及硅纳米颗粒的均匀分布，大大缓解了硅在充放电过程中的体积膨胀效应，有望极大地提高其在锂离子电池的性能表现。
一种二维纳米负极材料及其制备方法

[发明专利]一种基于三维网络碳硅结构的硅碳复合材料及其制备方法与应用-CN202310210969.0在审
发明人：罗列科;罗磊;杨乐之;彭青姣;王双;涂飞跃;覃事彪;王洋 -专利权人：长沙矿冶研究院有限责任公司
申请日： 2023-03-07 - 公布日： 2023-07-11 - 主分类号： H01M4/38 文献下载
摘要：本发明公布了一种基于三维网络碳硅结构的硅碳复合材料及其制备方法与应用，硅碳复合材料由纳米硅与碳组成的三维网络结构和设于三维网络结构外部的包覆碳层组成，所述三维网络结构以碳结构为骨架，所述纳米硅均匀的镶嵌在碳骨架上，制备时先将纳米硅和高挥发分有机碳源混合均匀后进行等静压处理，然后破碎后进行一次烧结，破碎后在与碳包覆剂一起进行二次烧结，即可得到基于三维网络碳硅结构的硅碳复合材料，克服硅基负极材料体积变化大、硅材料的颗粒粉化和表面
一种基于三维网络结构复合材料及其制备方法应用

[发明专利]基于三维硅结构/聚苯胺复合电极材料及其制备方法-CN201911283838.5在审
发明人：申小娟;张旋;闵春英;朱脉勇;吴述平;李松军 -专利权人：江苏大学
申请日： 2019-12-13 - 公布日： 2020-04-24 - 主分类号： H01G11/30 文献下载
摘要：本发明提供了一种基于三维硅结构/聚苯胺复合电极材料及其制备方法，该方法以三维硅结构为基底，对三维硅基底表面进行修饰，制备具有较高化学稳定性及较好电学性能的三维硅结构，以改善硅与聚苯胺的表面接触。将导电聚合物聚苯胺以溶液聚合、旋涂/喷涂或电化学聚合方式沉积到硅基底上，制备基于三维硅结构/聚苯胺的复合电极材料，并在聚苯胺的制备过程中引入碳材料、金属颗粒、过渡金属氧化物等进一步提高电极材料的稳定性和比电容本发明制备的三维硅结构/聚苯胺复合电极材料制备方法简单，制备工艺简单、成本低廉、易规模化，具有广阔的应用前景。
基于三维结构苯胺复合电极材料及其制备方法

[发明专利]基于高功能密度硅通孔结构的三维电容电感及制备方法-CN202010561660.2有效
发明人：张卫;刘子玉;陈琳;孙清清 -专利权人：复旦大学;上海集成电路制造创新中心有限公司
申请日： 2020-06-18 - 公布日： 2022-06-21 - 主分类号： H01L23/522 文献下载
摘要：本发明属于半导体器件技术领域，具体为一种基于高功能密度硅通孔结构的三维电容电感及制备方法。本发明三维电容电感包括：衬底，形成有硅通孔；三维电容，形成在所述硅通孔的侧壁上，依次包括第一金属层、第二绝缘层和第二金属层；三维电感，由所述硅通孔的中心填充金属和平面厚金属再布线构成；其中，所述硅通孔的侧壁与所述三维电容之间设有第一绝缘层，所述三维电容与所述三维电感之间设有第三绝缘层。本发明能够有效增加集成系统中电容和电感的值，同时能够在三维集成中将电容电感集成在芯片附近，也能提高三维集成中硅通孔的功能密度，提高系统集成中硅的利用率。
基于功能密度硅通孔结构三维电容电感制备方法

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