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[发明专利]负载化单分散纳米晶体制备技术-CN200410060748.7无效
发明人：付贤智;刘平;王世铭;戴文新;邵宇;王绪绪;李旦振 -专利权人：福州大学
申请日： 2004-08-17 - 公布日： 2005-03-23 - 主分类号： C30B7/14 文献下载
摘要：一种负载化单分散纳米晶体制备技术，它解决了现有技术制备的纳米晶体粒子之间因聚合而长大的缺陷，提供一种制备的纳米晶体粒子小、粒子之间不再聚合或长大的负载化单分散纳米晶体制备技术。该方法选择一种或几种金属有机醇盐或无机盐作为前躯物，将带孔笼的聚合物薄膜一次或多次浸泡在一定温度的上述盐溶液中一定时间，然后经过清洗、干燥、水解和晶化等步骤使之转化纳米晶体。纳米晶体间靠带孔笼的聚合物薄膜的骨架彼此隔离，可有效防止晶体间聚合或长大，最终得到可作为负载化光催化剂的单分散纯组分或复合型纳米晶体，此单分散纳米晶体作为光催化剂可将染料有效降解。
负载分散纳米晶体制备技术

[发明专利]一种铜铟硒纳米晶体、纳米薄膜及其制备方法和电子器件-CN202111497826.X有效
发明人：庞超;龚政;胡诗犇;潘章旭;郭婵;王建太;邹胜晗;李育智;陈志涛 -专利权人：广东省科学院半导体研究所
申请日： 2021-12-09 - 公布日： 2023-04-11 - 主分类号： C01B19/00 文献下载
摘要：本发明的实施例提供了一种铜铟硒纳米晶体、纳米薄膜及其制备方法和电子器件，涉及半导体技术领域。该铜铟硒纳米晶体由铜铟硒纳米晶体的制备方法制备而成，该铜铟硒纳米薄膜由铜铟硒纳米薄膜的制备方法制备而成，其中电子器件包括上述的铜铟硒纳米薄膜。由铜铟硒纳米薄膜的制备方法能够减少副产物的产生，并且通过第一前驱体及第二前驱体制备的铜铟硒纳米晶体会使得纳米晶体表面富含硫元素，进而减少有机长链配体，以实现减少粒子之间的间距，载流子以更短的粒子间距通过相邻纳米晶体之间的势垒，因此其能够增强电子耦合并改善电传输特性，能使得由铜铟硒纳米晶体制备的纳米电子器件的性能得到增强。
一种铜铟硒纳米晶体薄膜及其制备方法电子器件

[发明专利]一种晶体制备方法-CN202310339328.5在审
发明人：王宇;顾鹏;梁振兴;李敏 -专利权人：眉山博雅新材料股份有限公司
申请日： 2022-07-19 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： C30B15/20 文献下载
摘要：本说明书实施例提供一种晶体制备方法。该晶体制备方法包括：将原料置于生长腔体内；将粘接有籽晶的提拉组件下降至原料附近，其中，提拉组件与引导组件传动连接，引导组件包括筒，提拉组件至少部分位于筒内；加热生长腔体以形成原料熔体；通过提拉组件和引导组件的传动运动，基于籽晶和原料熔体生长晶体。
一种晶体制备方法

[发明专利]一种奥沙西罗晶体及含有该晶体的组合物-CN201110403050.0有效
发明人：罗韬;周航 -专利权人：北京京卫顺康医药科技发展有限公司
申请日： 2011-12-07 - 公布日： 2013-06-12 - 主分类号： C07D207/16 文献下载
摘要：本发明涉及一种奥沙西罗晶体及含有该晶体的组合物。所述的奥沙西罗晶体使用Cu-Kα射线测量得到的X-射线粉末衍射图中特征峰在2θ为4.8°、6.6°、11.2°、12.6°、14.6°、15.5°、17.8°、19.1°、20.1°、21.5°、23.9经溶解性试验表明该晶体在一定程度上降低了其在水中的溶解度。本发明的晶体可进一步制备成药剂学上可接受的片，如缓释片。采用该晶体制备的缓释片中由于该晶体在水中的溶解度减小，从而释药行为得到了显著的改善，而且采用该晶体制备的缓释片的稳定性更加优良。
一种奥沙西罗晶体含有组合

[发明专利]环氟菌胺的新晶型、其制备方法及其用途-CN201810957512.5有效
发明人：詹姆斯·蒂莫西·布里斯托 -专利权人：江苏龙灯化学有限公司
申请日： 2018-08-21 - 公布日： 2022-07-22 - 主分类号： C07C259/18 文献下载
摘要：本发明涉及环氟菌胺的新晶型、其制备方法及其用途，描述了具有式(I)的环氟菌胺的晶型、晶体制备方法、和通过各种分析方法对该晶体进行的分析以及使用该晶体制备稳定的农用化学品制剂。本发明还描述了针对晶型制备条件来使用各种溶剂。
环氟菌胺新晶型制备方法及其用途

[发明专利]一种氧化铝二维光子晶体制备方法-CN201610276715.9有效
发明人：朱永胜;王银花;刘旭焱;徐秀梅;卢志文 -专利权人：南阳师范学院
申请日： 2016-04-29 - 公布日： 2018-11-16 - 主分类号： C25D11/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种氧化铝二维光子晶体制备方法，包括以下步骤：通过对铝片进行预处理及阳极电化学抛光，进行第一次阳极氧化，去除第一次氧化膜，进行第二次阳极氧化以及扩孔处理，满足在二维光子晶体制备过程中光子晶体样品可控性高
一种氧化铝二维光子晶体制备方法

[发明专利]一种氯化钠光学晶体制备工艺及制作成红外窗口的方法-CN201510414638.4有效
发明人：沈琨;沈承刚;邵伏华 -专利权人：淮安红相光电科技有限公司
申请日： 2015-07-15 - 公布日： 2019-01-22 - 主分类号： C30B11/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种氯化钠光学晶体制备工艺及利用该晶体制作成红外窗口方法，该晶体的化学式为Nacl，分子量为58.5，属于规则的立方晶系，易潮解。采用大气法生长技术制备氯化钠光学晶体，该晶体在0.2‑18μm波段红外透过性能好，原料普遍，生长周期短，制造成本低。
一种氯化钠光学晶体制备工艺制作红外窗口方法

[发明专利]磷酸二氢钾晶体制备方法及结晶罐-CN202110964516.8有效
发明人：陈小平 -专利权人：常熟市圆启晶体材料有限公司
申请日： 2021-08-23 - 公布日： 2023-04-14 - 主分类号： B01D9/02 文献下载
摘要：本发明公开了磷酸二氢钾晶体制备方法及结晶罐，涉及晶体材料生产技术领域，一种磷酸二氢钾晶体制备方法，具体步骤如下：步骤一、根据溶解度计算纯净水量和磷酸二氢钾原料的投放量，配置饱和度为58‑62％的第一磷酸二氢钾饱和溶液；步骤二、将第一磷酸二氢钾饱和溶液置于提纯设备进行提纯处理，提纯温度控制在90‑100℃，除去其中杂质，将磷酸二氢钾饱和溶液的饱和度控制在59‑61%，得到第二磷酸二氢钾饱和溶液的；通过上述方式，磷酸二氢钾晶体制备方法的生长速度快，缩短生长周期，降低了生产成本，同时，实现可逆剪切流，提升迎流滞止区覆盖面，有助于提高晶体生长质量和速度。
磷酸二氢钾晶体制备方法结晶

[发明专利]一种亚微米钛酸镉晶体及其制备方法-CN201210435845.4无效
发明人：刘白 -专利权人：深圳信息职业技术学院
申请日： 2012-11-05 - 公布日： 2013-12-18 - 主分类号： C01G23/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种亚微米钛酸镉晶体及其制备方法。该亚微米钛酸镉晶体制备方法包括获取过氧化镉的步骤和采用固相合成法制备亚微米钛酸镉晶体的步骤。本发明亚微米钛酸镉晶体制备方法采用固相合成法，将过氧化镉颗粒和TiO2混合后在一个相对较低的温度下，经过热处理制备钛酸镉亚微米晶。由该方法制备的亚微米钛酸镉晶体纯度高，结晶性好，尺寸小。
一种微米钛酸镉晶体及其制备方法

[发明专利]二阶非线性光学效应的有机包结物大晶体制备-CN94108515.5无效
发明人：郭文生;李铁津 -专利权人：辽宁师范大学
申请日： 1994-07-19 - 公布日： 1998-09-16 - 主分类号： C30B29/54 文献下载
摘要：二阶非线性光学效应的有机包结物大晶体制备$本发明属于具有二阶非线性光学效应的有机包结物大晶体制备技术。$本发明是以主体分子（马钱子碱等等）和客体分子（对硝基酚等等）的摩尔比为１∶０．８～１．３，用一种或二种混合溶剂制成饱和溶液，采用常规晶体生长法，制备出具有实用价值的，二阶非线性光学效应有机包结物大单晶$本发明具有材料性能稳定、不潮解；制备方法简单，成本低、易于工业化等特点。
非线性光学效应有机包结物大晶体制备

[发明专利]一种光子晶体增强的ZnO/PSM发光材料的制备方法-CN201510221725.8无效
发明人：张红燕;刘丛;贾振红 -专利权人：新疆大学
申请日： 2015-05-05 - 公布日： 2015-09-16 - 主分类号： C09K11/54 文献下载
摘要：本发明提供了一种光子晶体增强的ZnO/PSM发光材料的制备方法，该方法包括一维多孔硅光子晶体的制备和氧化、ZnO溶胶的制备、一维多孔硅光子晶体的溶胶浸润和高温退火等步骤。优选地，在光子晶体增强的纳米ZnO/PSM发光材料制备的步骤中还包括一维多孔硅光子晶体制备中单晶硅的优选和制备工艺参数优化的步骤，经过上述处理可得到光子晶体增强的ZnO/PSM发光材料。
一种光子晶体增强 zno psm 发光材料制备方法

[发明专利]一种四硼酸锂晶体的制备方法及生长设备-CN201610020485.X在审
发明人：王昌运;陈伟 -专利权人：福建福晶科技股份有限公司
申请日： 2016-01-14 - 公布日： 2016-06-01 - 主分类号： C30B29/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种四硼酸锂晶体制备方法及生长设备，所述生长设备包括上炉膛有个炉盖，所述炉盖上面有两个和炉管中心对称的观察孔，用于观察接种和晶体生长。所述晶体制备方法包括以下步骤：原料装入开口坩埚，坩埚置于下加热区和中间区边界处，通过人眼观察试晶，接种以及晶体生长，待晶体长至坩埚壁，坩埚和籽晶杆开始以相同速率往上升，当坩埚升至上加热区和中间区边界处，停止上升，开始退火，得到晶体。该方法保证了晶体百分百成功接种，有利于晶体后期高质量生长。
一种硼酸晶体制备方法生长设备

[实用新型]一种新型晶体炉冷却装置-CN202220741840.3有效
发明人：吴帅波 -专利权人：河北烁光晶体有限公司
申请日： 2022-03-26 - 公布日： 2022-12-16 - 主分类号： C30B35/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种新型晶体炉冷却装置，包括冷却外壳、晶体炉导热箱体、封闭盖、固定套箍、固定螺栓、透风孔、水冷组件和空气流通组件，在晶体炉进行进体制备工艺时，将整个晶体炉放置于晶体炉导热箱体中，并通过外部设备对晶体炉导热箱体进行加热，以便进行工艺的正常进行，而在制备结束后，将晶体炉导热箱体整体转移至冷却外壳中，由输送泵通过输送管和外接口向液体槽中输送冷却液，使晶体炉导热箱体的底部浸泡于冷却液中，同时水冷组件内通入循环水，且空气流通组件内的散热电机驱动散热扇叶转动，有效提高了晶体炉的降温散热速率，以便后续的晶体制备工艺继续进行。
一种新型晶体冷却装置

[发明专利]新青霉素晶体制剂及其制备方法-CN201410063158.3有效
发明人：王建;雅克·杜马;保罗·埃利希 -专利权人：拜徳里希医药保健有限公司
申请日： 2014-02-25 - 公布日： 2017-01-04 - 主分类号： C07D499/68 文献下载
摘要：本发明公开了一种新青霉素晶体制剂及其制备方法，该制备方法包括如下步骤：步骤1，将新青霉素粗品溶解于甲醇和甲乙酮混合溶剂中，加活性炭吸附并进行过滤，将滤液进行降温析出晶体，晶体用甲醇和甲乙酮混合溶液洗涤，通过减压干燥得到第一次精制新青霉素产品。步骤2，将第一次精制新青霉素产品溶解于热甲乙酮溶液中，用高效过滤器压滤，混合液进行降温减压浓缩，再冷却析出晶体，过滤，减压干燥得到新青霉素晶体制剂。本发明的新青霉素晶体制剂具有颗粒小、粒径分布均匀、流动性好、结晶工艺简单、有机溶剂残留量低、稳定性高、安全性好、毒副作用小、不易过敏等优点。
青霉素晶体制剂及其制备方法

[发明专利]奥利司他与有机酸钙的共晶体及包含该共晶体的药物组合物-CN201810241971.3有效
发明人：向飞;杜志博;彭韪 -专利权人：中山万汉制药有限公司
申请日： 2018-03-22 - 公布日： 2020-01-03 - 主分类号： C07D305/12 文献下载
摘要：本发明属于医药技术领域，具体涉及一种奥利司他与钙补充剂类有机酸钙的共晶体及包含该共晶体的药物组合物。所述的共晶体由奥利司他与钙补充剂类有机酸钙制备而成。该共晶体具有较高的熔点，可降低原料药与制剂的制备过程中对干燥条件的要求，并可提高奥利司他抑制脂肪吸收的效果。此外，以所得的共晶作为原料制备的口服固体制剂，所得口服固体制剂中共晶体在水中的溶解度显著高于市售奥利司他胶囊中的Ⅱ型奥利司他，其起效快于后者。
奥利司他共晶体有机酸钙口服固体制剂药物组合物钙补充剂熔点医药技术领域干燥条件原料制备脂肪吸收制备过程溶解度原料药共晶起效制备胶囊