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[发明专利]一种通过控制氢氧化钠添加量控制粒径的银粉制备工艺-CN201510851500.0有效
发明人：孙征 -专利权人：成都市天甫金属粉体有限责任公司
申请日： 2015-11-30 - 公布日： 2018-07-17 - 主分类号： B22F9/24 文献下载
摘要：本发明公开了一种通过控制氢氧化钠添加量控制粒径的银粉制备工艺，包括以下步骤：步骤S100：分别取硝酸银晶体制备硝酸银溶液，取氢氧化钠晶体制备氢氧化钠溶液，取葡萄糖晶体制备葡萄糖溶液；步骤S200：在搅拌状态下将所述硝酸银溶液缓慢加入所述氢氧化钠溶液中，得溶液A；步骤S300：在反应温度为20‑30℃的条件下，将所述葡萄糖溶液缓慢加入所述溶液A中并不断搅拌至完全反应，即得溶液B；步骤S400：将所述溶液B继续搅拌一段时间后本发明制备的银粉粒径分布范围窄，可适用于不同应用体系的印刷浆料，废液中无有毒有害物质，银粉粒径可控，制备工艺简单。
制备氢氧化钠溶液葡萄糖溶液控制粒径氢氧化钠银粉粒径银粉制备添加量制备硝酸银溶液氢氧化钠晶体葡萄糖晶体硝酸银晶体硝酸银溶液固液分离印刷浆料应用体系制备工艺废液可控银粉洗涤

[发明专利]基于多晶相分子的有机异质微纳米晶体及其制备和应用-CN202010108946.5有效
发明人：余悦;廖良生;王雪东 -专利权人：苏州大学
申请日： 2020-02-21 - 公布日： 2022-08-09 - 主分类号： C07C255/51 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于多晶相分子的有机异质微纳米晶体，有机异质微纳米晶体由一种多晶相分子组成，有机异质微纳米晶体中的多晶相分子至少具有两种晶相，各晶相之间形成异质结构。本发明的有机异质微纳米晶体制备方法方便、简单，该方法拓宽了有机异质结的分子材料体系和制备的方法思路。
基于多晶分子有机异质微纳米晶体及其制备应用

[发明专利]一种制备紫光波段的空气球二氧化钛光子晶体的方法-CN01141733.1无效
发明人：程丙英;倪培根;金崇君;张道中 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 2001-09-17 - 公布日： 2004-06-30 - 主分类号： C30B29/66 文献下载
摘要：本发明属于光子晶体制备领域，特别是二氧化钛光子晶体的制备领域。本发明采用一种独特的样品池、模板制备技术及钛酸酯填充技术，从而制备出光子带隙波长处于短波长范围的宽带隙空气球二氧化钛光子晶体材料。本发明步骤简单，制备出的光子晶体有序程度优良。
一种制备紫光波段气球氧化光子晶体方法

[发明专利]磁性蛋白质晶体制备方法、磁性蛋白质晶体及应用-CN202011377415.2有效
发明人：苏敏;张清洋 -专利权人：河北工业大学
申请日： 2020-12-01 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： C07K1/30 文献下载
摘要：本发明涉及生物医药技术领域，具体涉及磁性蛋白质晶体制备方法、磁性蛋白质晶体及应用。所述磁性蛋白质晶体制备方法包括如下步骤：将磁性成核剂与含有蛋白质的溶液体系混合，调节蛋白质溶液的过饱和度，使得蛋白质在磁性成核剂上结晶析出，得到磁性蛋白质晶体。本发明通过向含有蛋白质的溶液体系引入磁性成核剂来制备磁性蛋白质晶体，有效缩短了蛋白质的结晶时间，简化了蛋白质晶体的分离过程，提高了蛋白质晶体的结晶效率和晶体的分离效率，制得的磁性蛋白质晶体可作为药物中间产品
磁性蛋白质晶体制备方法应用

[实用新型]一种晶体制备装置-CN202220800759.8有效
发明人：付瑜;王善民;马德江;李拥军;赵予生 -专利权人：南方科技大学
申请日： 2022-04-07 - 公布日： 2022-07-15 - 主分类号： C30B29/40 文献下载
摘要：本申请公开了一种晶体制备装置，属于超硬材料合成技术领域。该晶体制备装置包括隔温传压管、两个导电块、多面体块和加热体。同时，两个导电块通电使加热体产生高温，进而使物料在高温高压的条件下发生化学反应，最终形成晶体。其中，隔温传压管能够起到隔绝热量和传递压力的作用，保证加热体能够维持一定的温度和压力，从而提高晶体体积和晶体制备速度。
一种晶体制备装置

[发明专利]一种高温加压掺铁硒化锌晶体的制备方法-CN202210630361.9有效
发明人：夏士兴;张丰发;林鹏;周龙;谢文强;许聪;付秋月;马天慧;叶光超;唐佳禄 -专利权人：黑龙江工程学院
申请日： 2022-06-06 - 公布日： 2022-12-20 - 主分类号： C30B11/00 文献下载
摘要：一种高温加压掺铁硒化锌晶体的制备方法，它属于激光晶体制备技术领域。本发明要解决现有熔融方法制备Fe2+:ZnSe晶体易发生坩埚破裂、物料溢出的现象，进而导致晶体生长制备失败的问题。制备方法：一、将高纯硒化锌粉末和高纯硒化亚铁粉末混合均匀，然后置于石墨坩埚内，再将装有混合物料的石墨坩埚置于晶体炉内，将晶体炉抽真空排气，并通入高纯氩气；二、晶体生长，且升温、保温及降温过程中同时向晶体炉内通入氩气本发明用于高温加压掺铁硒化锌晶体的制备。
一种高温加压掺铁硒化锌晶体制备方法

[发明专利]一种线圈移动式PVT工艺高质量晶体制备装置及方法-CN202010974012.X在审
发明人：不公告发明人 -专利权人：哈尔滨科友半导体产业装备与技术研究院有限公司
申请日： 2020-09-16 - 公布日： 2020-12-18 - 主分类号： C30B23/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种PVT工艺高质量晶体制备装置及方法，属于晶体制备技术领域。本发明研发解决的是晶体生长过程中，无法满足晶体生长界面对温度和温度梯度等沉积条件的需要，不利于制备高质量单晶的问题。根据晶体不同的生长阶段，线圈可以进行移动，用于保证生长界面处温度及温度梯度相对不变，最大程度保持工艺条件稳定，有利于晶体的稳定生长。
一种线圈移动式 pvt 工艺质量晶体制备装置方法

[实用新型]一种晶体生长装置-CN201922114666.0有效
发明人：赵有文;段满龙;卢伟;杨俊;刘京明 -专利权人：珠海鼎泰芯源晶体有限公司
申请日： 2019-11-28 - 公布日： 2020-07-14 - 主分类号： C30B29/10 文献下载
摘要：本实用新型公开一种晶体生长装置，涉及晶体制备技术领域；包括晶体生长炉；其特征在于，还包括底座以及角度调整装置；所述晶体生长炉具有转轴，所述晶体生长炉通过所述转轴安装在所述底座上，与所述底座可活动连接；所述角度调整装置的驱动端连接所述晶体生长炉的所述转轴；所述角度调整装置驱动所述转轴转动以调整所述晶体生长炉的倾斜角度。本实用新型的晶体生长装置结合相应的晶体制备工艺，除了满足晶体生长的需求，同时还能满足晶体退火的需求以及脱埚前的准备，保证了工序的连贯性，减少了部分人工作业；并且能够减少脱埚过程中对坩埚的损伤，使得长晶过程中出现栾晶及花晶的比例明显降低，进一步提高了晶体的质量。
一种晶体生长装置

[发明专利]一种在硅片表面制备银纳米晶体的方法-CN201110390457.4无效
发明人：陶斯禄;蒋一岚;周春 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2011-12-01 - 公布日： 2012-04-25 - 主分类号： C30B29/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种在硅片表面制备银纳米晶体的方法，属于银纳米晶体的制备技术，主要解决了现有技术中银纳米晶体制备方法复杂、设备要求高等问题。该在硅片表面制备银纳米晶体的方法，包括以下步骤：（1）在硅片表面制备含有醛基的物质的种子层；（2）利用硅片表面的种子层进行银镜反应；（3）将银镜反应后的硅片冲洗之后自然晾干，得到银纳米晶体。本发明不仅原理简单，操作方便，成本低廉，而且能快速地制备出不同形貌的银晶体结构，其形貌可控，具有很高的实用价值。
一种硅片表面制备纳米晶体方法

[实用新型]一种能用于AlN设备长晶支撑热场隔热的支架-CN202020949074.0有效
发明人：不公告发明人 -专利权人：哈尔滨科友半导体产业装备与技术研究院有限公司
申请日： 2020-05-29 - 公布日： 2020-12-18 - 主分类号： C30B35/00 文献下载
摘要：一种能用于AlN设备长晶支撑热场隔热的支架，属于晶体制备装置技术领域。本实用新型解决了而目前用于晶体制备装置的支架寿命短，硬度差，隔热效果不好的缺陷问题。本实用新型的支架操作简单，安装方便，材料易得，加工精度高，材料支撑强度高，通过层状结构可以有效的减少热损失，在制备晶体时，隔绝了热场中的热向下传导，保证底盘处温度处于低点，起到了良好的隔热效果。
一种用于 aln 设备支撑隔热支架

[实用新型]一种晶体制备装置-CN201621045763.9有效
发明人：缪世伟;罗承志;刘建 -专利权人：甘肃立焘新能源科技发展有限公司
申请日： 2016-09-09 - 公布日： 2017-11-10 - 主分类号： C30B29/12 文献下载
摘要：本申请公开了一种晶体制备装置，包括支架；设置在支架上，能够对位于内腔中的原料液体进行冷却的罐体；设置在罐体的内腔中，能够破碎晶体的破碎机构；能够连通罐体的内腔和外界环境的连通通道，连通通道至少用于向罐体的内腔中通入原料液体和清洗液体；开设在罐体上，能够将位于罐体内的液体滤出至罐体外部的过滤通道；开设在罐体上，用于排出晶体的出料口。本实用新型提供的晶体制备装置，使得六氟磷酸锂晶体的整个制备过程，能够全部在其中完成，在进行不同步骤的操作时，无需将晶体转移至其他的设备中，从而使得设备数量得到了减少，显著降低甚至完全避免了设备密封失效的风险，为六氟磷酸锂的正常制备提供了进一步的安全保障。
一种晶体制备装置

[发明专利]基于多孔陶瓷的真空吸附型球面弯曲分析晶体制作方法-CN202310880564.8在审
发明人：郭志英;钱海杰;韩庆夫;田野;徐伟;贾全杰;陈栋梁 -专利权人：中国科学院高能物理研究所
申请日： 2023-07-18 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： G01N1/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于多孔陶瓷的真空吸附型球面弯曲分析晶体制作方法，其步骤包括：1)制备平面像素型晶体；2)选取或者制备一壳体，所述壳体内具有一通光结构；所述通光结构内依次放入所述平面像素型晶体、凹面多孔陶瓷基板、抽气底板并利用固定环进行预紧；所述凹面多孔陶瓷基板的凹面朝向所述平面像素型晶体；所述平面像素型晶体的玻璃衬底与所述通光结构的底部密封连接，所述抽气底板的侧面与所述通光结构的侧壁密封连接；3)将所述抽气底板上的抽气口与真空泵连接，进行抽气，使得所述平面像素型晶体弯曲并贴合在所述凹面多孔陶瓷基板上，得到球面弯曲分析晶体。本发明实现了50meV的高能量分辨率分析晶体制作。
基于多孔陶瓷真空吸附球面弯曲分析晶体制作方法

[发明专利]抗体-药物缀合物的改进制备方法-CN201880056466.X在审
发明人：山口达也;江湖崇;野口滋;山根庸平;近藤文克;青木崇紘;武田齐大;坂西航平;佐藤均;上田刚;松浦伸治;仓桥慧;北川丰;中村龙也 -专利权人：第一三共株式会社
申请日： 2018-08-30 - 公布日： 2020-04-21 - 主分类号： C07K5/10 文献下载
摘要：由式(1)表示的化合物的晶体及其制备方法，和使用所述晶体制备抗体‑药物缀合物的方法。
抗体药物缀合物改进制备方法

[发明专利]一种导模法制备硅酸铋闪烁晶体的方法-CN202211576553.2在审
发明人：肖学峰;许庆岩;梁帅杰;司佳顺;张学锋;张欢;李维银;张莎;雷玉玺;魏同利 -专利权人：北方民族大学
申请日： 2022-12-09 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： C30B15/34 文献下载
摘要：本发明属于闪烁晶体制备技术领域，具体公开了一种导模法制备硅酸铋闪烁晶体的方法。通过以上参数的确定，采用导模模具(10)通过导模法制备硅酸铋闪烁晶体。本发明公开的硅酸铋闪烁晶体的制备方法工艺简单，便于实施；同时制备得到的硅酸铋闪烁晶体具有品质高，缺陷少，组分均匀性好等特点。
一种法制硅酸闪烁晶体方法

[发明专利]一种Ce掺杂的GAGG晶体及其生长方法-CN202211363618.5在审
发明人：罗毅;龚瑞;刘照俊;王玉 -专利权人：安徽科瑞思创晶体材料有限责任公司
申请日： 2022-11-02 - 公布日： 2023-01-20 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种Ce掺杂的GAGG晶体及其生长方法，属于晶体生长技术领域，所述Ce掺杂的GAGG晶体包括粉体制备和晶体生长过程，粉体制备中，通过将原料按照化学计量式Cex晶体本发明制备的Ce掺杂的GAGG晶体的宏观质量良好，完整无开裂，并且，Ce掺杂的GAGG晶体在280‑800nm波段范围内透过率达84.2％。
一种 ce 掺杂 gagg 晶体及其生长方法