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[发明专利]铈掺杂稀土硼酸盐闪烁晶体及其坩埚下降法制备方法-CN200910195565.9有效
发明人：丁栋舟;杨帆;任国浩;潘尚可;张卫东;陈晓峰 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2009-09-11 - 公布日： 2011-04-20 - 主分类号： C30B29/22 文献下载
摘要：本发明涉及晶体领域，具体涉及一种铈掺杂稀土硼酸盐闪烁晶体及其坩埚下降法制备方法。本发明的铈掺杂稀土硼酸盐闪烁晶体的化学式为：Li6Gd1-x-yYxCey(BO3)3，其中x的取值范围为0～0.9999，y的取值范围为0.0001～0.1。本发明的铈掺杂稀土硼酸盐闪烁晶体通过以电负性及离子半径相近，而原子序数相对更小的元素Y来部分置换Gd元素，优化了硼酸钆锂晶体对于中子的探测性能，并降低了晶体制备的原料成本。本发明的下降法制备具有工艺设备简单，操作方便，能耗低，生长效率高、成本低可实现工业化生产等特点。
掺杂稀土硼酸盐闪烁晶体及其坩埚下降法制方法

[发明专利]一种具备光学性能调控的叠层光子晶体及其制备方法-CN202011164714.8有效
发明人：赵江红;李杰峰;陈欣月;刘雪梅;赵永祥 -专利权人：山西大学
申请日： 2020-10-27 - 公布日： 2023-04-14 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本发明属于光学材料及光化学领域，公开了一种叠层光子晶体及其制备方法。所述叠层光子晶体包括基底，所述基底上设置有纳米薄膜层，所述纳米薄膜层上设置有多层单元光子晶体薄膜层，每层单元光子晶体薄膜层之间也设置有纳米薄膜层，所述多层单元光子晶体薄膜层均为单一微球尺寸的胶体微球自组装形成本发明所公开的叠层光子晶体制备方法操作简单，条件温和，所得叠层光子晶体光学性能易调控，适合大规模生产。
一种具备光学性能调控光子晶体及其制备方法

[发明专利]一种苯磺酸左旋氨氯地平晶体及含有该晶体的药物组合物-CN201310106211.9有效
发明人：马鹰军;王小树 -专利权人：海南锦瑞制药股份有限公司
申请日： 2011-08-19 - 公布日： 2013-07-10 - 主分类号： C07D211/90 文献下载
摘要：本发明涉及一种苯磺酸左旋氨氯地平晶体、其制备方法及含有该晶体的全新药物组合物。所述的苯磺酸左旋氨氯地平晶体使用Cu-Kα射线测量得到的X-射线粉末衍射图中特征峰在2θ为8.0°、12.1°、15.4°、17.0°、19.8°、21.6°、23.0°、24.3°、25.7°、27.4所述的药物组合物包括苯磺酸左旋氨氯地平晶体及药学上可接受的辅料，所述的药学上可接受的辅料为微晶纤维素、羧甲淀粉钠和硬脂酸镁。该晶体改善了苯磺酸左旋氨氯地平的溶解性，采用该晶体制备的片剂具有改善的生物利用度。
一种苯磺酸左旋氨氯地平晶体含有药物组合

[发明专利]一种苯磺酸左旋氨氯地平晶体、其制备方法及含有该晶体的全新药物组合物-CN201110238802.2有效
发明人：马鹰军;王小树 -专利权人：海南锦瑞制药股份有限公司
申请日： 2011-08-19 - 公布日： 2011-12-14 - 主分类号： C07D211/90 文献下载
摘要：本发明涉及一种苯磺酸左旋氨氯地平晶体、其制备方法及含有该晶体的全新药物组合物。所述的苯磺酸左旋氨氯地平晶体使用Cu-Kα射线测量得到的X-射线粉末衍射图中特征峰在2θ为8.0°、12.1°、15.4°、17.0°、19.8°、21.6°、23.0°、24.3°、25.7°、27.4所述的药物组合物包括苯磺酸左旋氨氯地平晶体及药学上可接受的辅料，所述的药学上可接受的辅料为微晶纤维素、羧甲淀粉钠和硬脂酸镁。该晶体改善了苯磺酸左旋氨氯地平的溶解性，采用该晶体制备的片剂具有改善的生物利用度。
一种苯磺酸左旋氨氯地平晶体制备方法含有全新药物组合

[发明专利]一种半导体结构及其制备方法-CN201510706085.X在审
发明人：江宁 -专利权人：武汉新芯集成电路制造有限公司
申请日： 2015-10-26 - 公布日： 2016-01-13 - 主分类号： H01L21/265 文献下载
摘要：本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种半导体结构及其制备方法，通过对具有不同沟道宽度的晶体管分别进行不同剂量的阈值电压调整离子注入，即对具有较窄沟道的晶体管进行较大剂量的阈值电压调整离子注入以抑制反窄沟道效应，使得不同沟道宽度的晶体管达到统一的阈值电压，同时有效减少了窄沟道晶体管的漏电流。
一种半导体结构及其制备方法

[发明专利]一种普鲁士蓝基钠离子电池正极材料的制备方法-CN201611255163.X在审
发明人：王海燕 -专利权人：东莞市佳乾新材料科技有限公司
申请日： 2016-12-30 - 公布日： 2017-05-10 - 主分类号： H01M4/58 文献下载
摘要：本发明公开了一种普鲁士蓝基钠离子电池正极材料的制备方法，采用草酸亚铁和草酸钠为原料，与亚铁氰化钠反应，可以使反应速度更加缓慢，使得普鲁士蓝单晶的生产速度变慢，从而达到降低普鲁士蓝晶体中的缺陷的目的。由该普鲁士蓝晶体制备的钠离子电池正极，经过多次充放电循环后仍能保持良好的稳定性，使用寿命长。而且该方法制备工艺简单，易与实施，适合规模化生产。
一种普鲁士钠离子电池正极材料制备方法

[发明专利]一种消除有机场效应晶体管光响应的方法-CN201911105779.2有效
发明人：江浪;江龙峰;刘洁 -专利权人：中国科学院化学研究所
申请日： 2019-11-13 - 公布日： 2021-06-22 - 主分类号： H01L51/05 文献下载
摘要：本发明公开了一种消除有机场效应晶体管光响应的方法。该方法包括下述步骤：1)选取具有低缺陷密度的绝缘层修饰材料；其中，所述修饰材料为目前广泛应用的廉价聚合物绝缘层材料；2)将步骤1)处理后的基片，生长或转移高结晶质量的晶体制备晶体管器件。本发明制备消除有机场效应晶体管光响应的器件结构，还可用于制备有机功能器件如有机场效应晶体管驱动有机发光二极管、有源矩阵发光二极管阵列，及有机逻辑电路，以及应用到大规模的集成电路中。
一种消除有机场效应晶体管响应方法

[实用新型]一种无坩埚制备大尺寸半导体晶体的装置-CN202222495716.6有效
发明人：王书杰;孙聂枫;邵会民;徐森锋;李晓岚;王阳;史艳磊;姜剑;李亚旗;赵红飞;谷伟侠 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2022-09-21 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： C30B11/00 文献下载
摘要：一种无坩埚制备大尺寸半导体晶体的装置，属于半导体材料的制备领域，所述装置包括形成密封炉体的炉体外壳、穿过炉体外壳的真空管路、穿过炉体外壳的水冷管路、设置在炉体内下端的晶体支撑、设置在炉体内上端的多晶夹持使用本实用新型提出的装置生长晶体，无需坩埚，生长界面稳定且不受半导体晶体的尺寸的影响，本装置还适用于氧化镓等熔点高且易于与坩埚反应的晶体制备。
一种坩埚制备尺寸半导体晶体装置

[发明专利]用TiO₂超细粉焰熔法人工合成金红石单晶的方法和设备-CN03117997.5无效
发明人：卢铁城;承刚;林理彬;杜斌;邵建军;陈小晋 -专利权人：四川大学;中航电测仪器股份有限公司
申请日： 2003-06-02 - 公布日： 2004-12-08 - 主分类号： C30B29/16 文献下载
摘要：用TiO₂超细粉焰熔法人工合成金红石单晶体的方法和设备，属于单晶生长及粉体制备技术领域。本发明采用共沉淀法制备了锐钛矿相TiO₂超细粉体。提出了前驱体合成、焙烧等过程中提高粉体纯度、分散性及流动性的技术方案；采用的焰熔法生长技术对现有宝石焰熔炉人工合成方法提出了一整套工艺技术，包括燃烧器、炉煲改造，单晶生长过程及技术参数以及晶体氧化退火脱色工艺等采用本发明提出的TiO₂超细粉体制备技术、焰熔炉及单晶生长相关工艺方法，能合成直径为Φ25－27mm、长度为40－50mm、可见波段光学透过率达60％－70％的大尺寸金红石单晶体。
tio sub 超细粉焰熔法人合成金红石方法设备

[发明专利]一种半导体制冷片及脱毛仪-CN202080002020.6有效
发明人：赵凤球 -专利权人：深圳市予一电子科技有限公司
申请日： 2020-05-07 - 公布日： 2023-02-17 - 主分类号： F25B21/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体制冷片及脱毛仪。其中，半导体制冷片包括由金属导体连接半导体电偶形成的半导体电偶层，所述半导体制冷片的冷面由透明晶体构成形成透明晶体冷面；透明晶体冷面内侧表面与金属导体固定连接。本发明脱毛仪采用半导体制冷片的透明晶体冷面用作直接与皮肤接触的脱毛工作面，减除了制冷率的损耗，提高了制冷速度和效率，增加了制冷面积，体验感更好，大大降低或消除了光照的疼痛或不适感。
一种半导体制冷脱毛

[发明专利]一种晶体制备高压反应釜及基于多维度算法的反应釜工况诊断方法-CN202210759818.6在审
发明人：武泉;黄国威;胡柱威 -专利权人：合盛物联科技（武汉）有限公司
申请日： 2022-06-29 - 公布日： 2022-11-22 - 主分类号： B01J3/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种晶体制备高压反应釜罐体，其顶部设有开口和上盖，还包括和搅拌杆，固定于所述上盖外侧，搅拌杆穿过上盖连接的驱动轴；罐体顶部设有进料口；罐体底部设有电热棒插管，用于向罐体内插入加热棒，还包括伸入罐体内的传感器组，同时提供了与之配合使用的基于多维度算法的反应釜工况诊断方法，通过装设伸入罐体内的传感器组，对反应釜内的各项实时参数进行监测，并诊断分析，对反应釜内的各项指标进行实时调控，进而保证晶体在适宜的反应釜工况下生长成型，解决目前的反应釜在进行晶体制备的过程中无法对温度、湿度、电流、等参数进行实时监测，从而进行工况诊断与调控，以使得晶体在可控的最优情况下生长成型的问题。
一种晶体制备高压反应基于多维算法工况诊断方法

[发明专利]碘化汞单晶体的制备方法-CN90106163.8无效
发明人：陈观雄;李正辉;朱世富;银淑君;冉王俊;韩斌;赵北君 -专利权人：四川大学
申请日： 1990-10-30 - 公布日： 1992-05-13 - 主分类号： C30B29/12 文献下载
摘要：本发明提出了一种碘化汞单晶体制备方法，它将高纯碘化汞原料封入真空度为10-5Torr的玻璃生长安瓿，把安瓶瓿于立式炉中，使安瓿慢速转动，加热使原料在安瓿1/2高度处稳定配置，缓慢调节安瓿底部温度，逐渐达到晶体生长温度，使其自然成核，适当调节基座与源处的温度，使晶体不断长大，获得外形完整、质量优良的碘化汞单晶体。
碘化单晶体制备方法

[实用新型]一种制备激光晶体坯的装置-CN201921228339.1有效
发明人：刘革命;陈贻斌;钟玖平;苏发强 -专利权人：赣州虔东激光科技有限公司
申请日： 2019-07-31 - 公布日： 2020-06-12 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本实用新型一种制备激光晶体坯的装置，属于激光晶体制备技术领域。下保温部分及支撑部分，各上下两部分之间有结合面；所述各结合面之间采用凸起圈与凹槽圈嵌合的结构，不仅方便定位和组装，并且能阻止沿各保温部件结合面间隙的热辐射产生的热量损失，还能防止炉膛内产生较强对流气体对激光晶体坯的影响，提高了激光晶体坯的成品率。
一种制备激光晶体装置

[发明专利]具有大纵横比的珠光颜料及其制备方法-CN200780031966.X有效
发明人：李正敏;朴昞基;徐廷权;崔东旭;张吉琓;林光水;赵晟伦;姜光中 -专利权人：韩国化学研究院;CQV有限公司
申请日： 2007-07-24 - 公布日： 2009-09-16 - 主分类号： C09C1/40 文献下载
摘要：本发明涉及一种具有大纵横比的珠光颜料及其制备方法，特别涉及在片状α-氧化铝晶体上涂覆金属或金属前体制备的珠光颜料，所述片状α-氧化铝晶体通过使用铝前体水溶液和锌的前体水溶液作为主要成分获得。本文中的晶体具有等于或小于0.5μm的平均颗粒厚度，等于或大小15μm的平均粒径，和等于或大于50的大纵横比，因此具有优越的光泽度。晶体显现出银、金、红、紫、蓝和绿的金属色和干涉色。
具有纵横珠光颜料及其制备方法

[发明专利]用于制造光子晶体的方法和设备-CN201880084300.9在审
发明人： C·盖贝尔;C·利普;N·斯特潘尼克;C·斯特雷伊特;R·L·霍韦尔;G·彻尔麦克;M·甘德尔;W·斯提格利兹 -专利权人： D.施华洛世奇两合公司
申请日： 2018-12-28 - 公布日： 2020-09-04 - 主分类号： B82Y20/00 文献下载
摘要：一种制备用于制造光子晶体的液体分散体的方法。该方法包括将单分散的球体分散在液体中以形成液体分散体，并使液体分散体受到超声处理。也可以将氨溶液添加到液体分散体中。超声处理破坏了单分散的球体的凝聚体，并且使用该分散体制备的成品的光子晶体是更高度有序的，因此是更高质量的。
用于制造光子晶体方法设备