[发明专利]半导体激光装置无效

申请号：	99105847.X	申请日：	1999-04-21
公开（公告）号：	CN1234639A	公开（公告）日：	1999-11-10
发明（设计）人：	河内泰之;中西秀行;油利正昭;吉川昭男;石黑永孝	申请（专利权）人：	松下电子工业株式会社
主分类号：	H01S3/18	分类号：	H01S3/18
代理公司：	中科专利商标代理有限责任公司	代理人：	汪惠民
地址：	日本***	国省代码：	暂无信息
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摘要：	一种半导体激光装置,包括具有阳极和阴极的半导体激光器片及场效应晶体管。半导体激光器片的阳极连接场效应晶体管的漏极。场效应晶体管的栅极连接场效应晶体管的漏极。半导体激光器片的阴极连接场效应晶体管的源极。
搜索关键词：	半导体激光装置
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【主权项】：

1．一种半导体激光装置，包括具有阳极和阴极的半导体激光器片以及场效应晶体管，其特征在于，所述阳极连接所述场效应晶体管的漏极，所述场效应晶体管的栅极连接所述场效应晶体管的漏极，所述阴极连接所述场效应晶体管的源极。

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申请日： 1985-05-28 - 公布日： 1989-02-15 - 主分类号：
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摘要：在一个众所周知的半导体激光器内，由各自厚度均小于电子的德布罗意波长的阻挡层和激活层或势井层所组成的一种多量子井型激活层被掺入一种杂质，而且在阻挡层内所形成的杂质密度高于势井层中的密度。在多量子井激活层被包围在P-型和n-型敷层之间的情况下，势井层不进行掺杂，位于与势井层相接触的阻挡层部分也不进行掺杂，使接近P-型敷层的其余阻挡层部分成为n-型电导率，同时，使靠近n-型敷层的阻挡层部分成为P-型电导率。

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摘要：具有倒台面支承结构的铟镓砷磷/铟磷隐埋条形质量输运激光器。是在外延片上淀积掩模层，利用光刻沿011方向形成条形，通过选择性腐蚀形成上宽下窄的倒台面新结构，本结构有三层外延层和四层外延层两种，这两种都可以有不同的形式。具有本结构的激光器在保持有源区很窄的前提下可以在较宽的台面顶部制作电极，并且可以作成良好的欧姆接触，降低接触电阻，减少解理后续工艺中对有源区条形的破坏，提高器件的性能、成品率及稳定性。

专利分类

H 电学

H01 基本电气元件
H01S 利用受激发射的器件
H01S3-00 激光器，即利用受激发射对红外光、可见光或紫外线进行产生、放大、调制、解调或变频的器件
H01S3-02 .结构零部件
H01S3-05 .光学谐振器的结构或形状；包括激活介质的调节；激活介质的形状
H01S3-09 .激励的方法或装置，例如泵激励
H01S3-098 .模式锁定；模式抑制
H01S3-10 .控制辐射的强度、频率、相位、极化或方向，例如开关、选通、调制或解调

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[发明专利]半导体激光装置无效

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