[发明专利]寻址表面发射激光器器件、封装结构和发光器件在审
| 申请号： | 202310090043.2 | 申请日： | 2023-02-09 |
| 公开（公告）号： | CN116093747A | 公开（公告）日： | 2023-05-09 |
| 发明（设计）人： | 高飞;张正杰;纪云;魏永强 | 申请（专利权）人： | 苏州立琻半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/42 | 分类号： | H01S5/42;H01S5/024;H01S5/042 |
| 代理公司： | 苏州三英知识产权代理有限公司 32412 | 代理人： | 黄晨 |
| 地址： | 215400 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种寻址表面发射激光器器件、封装结构和发光器件，寻址表面发射激光器器件包括衬底：第一导电反射层布置在所述第一表面上被所述若干凹槽分割成相互独立的多个发光区；多个第一电极布置在对应的所述发光区背离所述衬底一侧面与发光区电性连接；多个第二电极相互间隔布置在所述第一导电反射层背离所述衬底一侧；多个发光阵列布置在所述第二电极在所述第一导电反射层上的正投影与所述发光区的重叠处。本申请减少了系统电阻，提升电流注入的均匀性；金属电极可以有更多的分布空间，便于实现N*N的矩阵式的控制，有助于芯片集成小型化，减少寄生电阻和寄生电感，增加VCSEL的响应速度，有效提高散热效率。 | ||
| 搜索关键词： | 寻址 表面 发射 激光器 器件 封装 结构 发光 | ||
【主权项】：
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