[发明专利]一种存储芯片早期擦写失效筛选方法及测试系统在审
| 申请号： | 202310054309.8 | 申请日： | 2023-02-03 |
| 公开（公告）号： | CN116072198A | 公开（公告）日： | 2023-05-05 |
| 发明（设计）人： | 沈杨 | 申请（专利权）人： | 普冉半导体（上海）股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C29/06 | 分类号： | G11C29/06;G11C29/08;G11C29/50 |
| 代理公司： | 上海硕力知识产权代理事务所(普通合伙) 31251 | 代理人： | 杨华廷 |
| 地址： | 201210 上海市浦东新区中国(上海)自*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请涉及一种存储芯片早期擦写失效筛选方法及测试系统。筛选方法包括步骤：获取晶圆上所有存储单元的第一电压数据；进行第一可靠性测试后获取第二电压数据，并得到第一电压衰减值分布；根据该分布筛选出第一可靠性测试后的失效芯片和离散度超过第一离散度的有效芯片；将这些有效芯片进行第二可靠性测试，测试结束后获取存储单元的第三电压数据；根据第三电压数据确定不合格的存储单元，根据不合格的存储单元的第一电压衰减值确定目标卡控值，以通过第一可靠性测试对同批次的晶圆芯片进行早期擦写失效筛选。测试系统基于上述方法并包括电压数据获取模块、可靠性测试模块、分析计算模块和筛选模块。本申请可实现更加全面的早期擦写失效筛选。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 存储 芯片 早期 擦写 失效 筛选 方法 测试 系统 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于普冉半导体（上海）股份有限公司，未经普冉半导体（上海）股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202310054309.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 一种用于对存储设备进行分类的数据检测方法、装置-202311138014.5
- 李钢 - 合肥康芯威存储技术有限公司
- 2023-09-05 - 2023-10-10 - G11C29/06
- 本申请公开了一种用于对存储设备进行分类的数据检测方法、装置及计算机可读存储介质，所述方法包括以下步骤：在对存储设备进行分类检测之前，为存储设备分配用于记载存储设备的数据信息的上电复位块；在存储设备的分类检测过程中出现掉电情况时，加载为存储设备分配的上电复位块中的数据信息，并对数据信息进行读取；读取数据信息中的块地址数据，以根据块地址数据确定对应的存储设备的检测地址，并根据检测地址继续对存储设备进行分类的数据检测。如此，通过分配的上电复位块记载存储设备的分类检测的信息，能够避免在发生异常掉电的情况下需要重新进行检测的情况，有助于缩短对存储设备进行分类检测的时间，减少检测成本，提高产能。
- 一种存储芯片早期存储失效筛选方法及测试系统-202310054307.9
- 沈杨 - 普冉半导体（上海）股份有限公司
- 2023-02-03 - 2023-06-23 - G11C29/06
- 本申请涉及一种存储芯片早期存储失效筛选方法及测试系统。筛选方法包括步骤：获取晶圆上所有芯片的第一电压数据；建立第一电压数据分布曲线；筛选出失效芯片和离散度超过第一离散度的高风险芯片；建立晶圆上第一电压数据的分布热点图；确定失效芯片和高风险芯片集中的高风险区域；将高风险芯片以及高风险区域内的芯片进行可靠性测试，并获取测试后的芯片的第二电压数据；根据第二电压数据确定不合格芯片；根据不合格芯片的第一电压数据确定目标卡控值，用于对同批次的晶圆芯片进行早期失效筛选。测试系统基于上述筛选方法并包括电压数据获取模块、可靠性测试模块、分析计算模块和筛选模块。本申请可实现更加高效全面的早期存储失效筛选。
- 易失存储器类器件抗单粒子效应能力在轨试验方法和系统-202211679428.4
- 魏志超;孙毅;邓峥;梅博;刘迎辉;张竞择;怀娜娜 - 中国空间技术研究院
- 2022-12-26 - 2023-05-16 - G11C29/06
- 本发明公开了一种易失存储器类器件抗单粒子效应能力在轨试验方法，包括步骤如下：易失型存储器上电写入测试图形码，前1/4地址段写入0XFF，第二个1/4地址段写入0X00，后1/2地址段写入0X5A，定时读取器件数据，根据器件数据错误类型判断器件是否发生单粒子效应，记录效应次数、错误地址、错误数据，将数据发送至在轨试验设备并进行下传。通过对在轨试验数据进行分析，判断器件发生的效应单粒子效应类型，并对其进行统计分析，最终得出器件在轨单粒子错误概率，得出器件单粒子效应敏感性。本发明解决了随着半导体制造工艺变小而导致地面单粒子模拟试验结果不准确的问题。
- 一种存储芯片早期擦写失效筛选方法及测试系统-202310054309.8
- 沈杨 - 普冉半导体（上海）股份有限公司
- 2023-02-03 - 2023-05-05 - G11C29/06
- 本申请涉及一种存储芯片早期擦写失效筛选方法及测试系统。筛选方法包括步骤：获取晶圆上所有存储单元的第一电压数据；进行第一可靠性测试后获取第二电压数据，并得到第一电压衰减值分布；根据该分布筛选出第一可靠性测试后的失效芯片和离散度超过第一离散度的有效芯片；将这些有效芯片进行第二可靠性测试，测试结束后获取存储单元的第三电压数据；根据第三电压数据确定不合格的存储单元，根据不合格的存储单元的第一电压衰减值确定目标卡控值，以通过第一可靠性测试对同批次的晶圆芯片进行早期擦写失效筛选。测试系统基于上述方法并包括电压数据获取模块、可靠性测试模块、分析计算模块和筛选模块。本申请可实现更加全面的早期擦写失效筛选。
- 存储器的坏块检测方法、测试设备及存储介质-202210882623.0
- 陶伟 - 上海江波龙数字技术有限公司
- 2022-07-26 - 2022-12-13 - G11C29/06
- 本申请公开一种存储器的坏块检测方法、测试设备及存储介质，涉及半导体技术领域，旨在解决老化测试的测试时间较长的问题。本申请提供的坏块检测方法包括：从被测存储器的坏块表中获取被测存储器的第一坏块信息；响应于第一模式指令，向被测存储器提供第一编程阈值电压，第一编程阈值电压处于被测存储器的第一编程阈值电压区间；响应于坏块检测指令，对被测存储器的存储芯片中的块进行检测操作，检测操作包括以下至少一种操作：擦除操作、编程操作和读取操作；获取检测结果，并根据检测结果获取被测存储器的第二坏块信息。
- 一种全面快速测试NVME SSD Trim功能的方法及装置-202010166406.2
- 冯超 - 苏州浪潮智能科技有限公司
- 2020-03-11 - 2022-10-18 - G11C29/06
- 本发明提出了一种全面快速测试NVME SSD Trim功能的方法，包括：获取NVME SSD中若干lba区域的数量；对SSD中起始lba区域、中间lba区域、结束lba区域的不同block段数进行Trim功能验证，对中间lba区域逐一执行Trim命令，验证Trim功能；其次对所述中间lba区域同时执行Trim命令，验证Trim功能，本发明还提出了一种全面快速测试NVME SSD Trim功能的的装置，有效解决由于Trim功能不定期触发机制造成Trim功能测试时间长、不够全面的问题，有效的提高了测试的效率，保证了验证的准确、可靠。
- 一种加速铁电存储器耐久性测试的电路和方法-202210663908.5
- 周睿晰;杨建国;韩永康;张文君 - 之江实验室
- 2022-06-14 - 2022-10-14 - G11C29/06
- 本发明涉及半导体存储器测试技术领域，具体涉及一种铁电存储器耐久性测试的电路和方法，该电路包括依次连接的PMOS晶体管、NMOS晶体管、恒流源电路，所述PMOS晶体管的源极连接有电源；PMOS晶体管的漏极和NMOS晶体管的漏极相连接，在PMOS晶体管和NMOS晶体管的连接间节点设有监测电压点；NMOS晶体管的源极连接至恒流源电路的一端，恒流源电路的另一端接地；NMOS晶体管和恒流源电路的连接间节点与铁电存储器的位线连接；在PMOS晶体管和NMOS晶体管的栅极分别输入偏置电压Vbias1和偏置电压Vbias2。本发明加快了耐久性参数的获取，有效节约了测试时间成本，加速铁电产品的面市周期。
- 擦除编程校验方法、擦除编程校验系统及存储器-202210768551.7
- 卢中舟;胡俊刚 - 武汉新芯集成电路制造有限公司
- 2022-06-30 - 2022-09-16 - G11C29/06
- 本申请公开了一种擦除编程校验方法、擦除编程校验系统及存储器，该擦除编程校验方法基于第一时序分时执行多个读取操作事项、基于第二时序分时执行多个校验操作事项，且通过在第一时序、第二时序在时间轴上的重叠时间段内同步或者同时执行读取操作事项、校验操作事项，相较于同一时间内仅执行读取操作事项或者校验操作事项节省或者减少了检验擦写动作是否完成的所需时间，进而提高了校验效率。
- 非易失存储芯片数据保持能力异常测试方法-202210476117.1
- 邱翊琛 - 普冉半导体（上海）股份有限公司
- 2022-04-29 - 2022-08-30 - G11C29/06
- 本发明公开了一种非易失存储芯片数据保持能力异常测试方法，利用非易失存储芯片能够断电后存储数据的非易失特性，将主存储区的存储单元的阈值电压初值记录在存储芯片的辅存储区内，对存储芯片加速老化之后测试出主存储区的存储单元的阈值电压残值，然后将阈值电压残值同阈值电压初值做差值计算得到该存储芯片的阈值电压衰减量，筛选出阈值电压衰减量较大且分布于正态分布之外的晶圆上的存储芯片作为异常存储芯片。该非易失存储芯片数据保持能力异常测试方法，既可以有效卡控出数据保持有问题、存在可靠性风险的存储芯片，也能够减少测试中不必要的良率损失。
- SSD的低功耗进退可靠性检测方法、装置、计算机设备及存储介质-202210528418.4
- 谢奉洋;孙克庆;王向阳 - 深圳忆联信息系统有限公司
- 2022-05-16 - 2022-08-09 - G11C29/06
- 本发明涉及SSD的低功耗进退可靠性检测方法、装置、计算机设备及存储介质，该方法，包括：获取高温SSD低功耗进退的寿命数据；根据寿命数据，计算得到威布尔分布形状参数和尺度参数；对威布尔分布假设进行校验；若校验通过，则获取常温SSD低功耗状态的使用强度及高温寿命试验加速因子；根据形状参数、尺度参数、使用强度及加速因子，计算得到SSD的低功耗进退可靠度，并生成检测结果。本发明能够准确评估低功耗状态在客户端现场失效概率，预估设计改善后产品可以达到的可靠度，同时对设计改善的效果也给予量化评价。
- 一种可控的快速加热装置及测试设备-202122799859.1
- 张子丞 - 深圳市金泰克半导体有限公司
- 2021-11-15 - 2022-05-17 - G11C29/06
- 本实用新型公开了一种可控的快速加热装置及测试设备，涉及内存条生产测试环境温度控制领域，所述可控的快速加热装置包括供电模块、处理器模块、制风模块、加热模块以及温度传感模块；所述加热模块包括蜂窝发热芯体以及电极片；所述电极片分别与所述处理器模块以及所述蜂窝发热芯体连接；所述供电模块与所述处理器模块连接；所述处理器模块分别与所述制风模块、所述加热模块以及所述温度传感模块连接；所述制风模块与所述DRAM内存条分别设置在所述加热模块相对的两侧。本实用新型能使内存条产品可靠性测试过程中测试环境温度能快速加热到指定温度且实现恒温状态。
- 在预先确定的编程状态下使用最终烘烤来提高模拟非易失性存储器中读取电流稳定性的方法-202080060960.0
- V·马克夫;A·柯多夫 - 硅存储技术股份有限公司
- 2020-03-11 - 2022-04-05 - G11C29/06
- 一种提高存储器设备稳定性的方法，该存储器设备具有控制器，该控制器被配置成在由最小编程状态和最大编程状态界定的编程状态范围内对多个非易失性存储器单元中的每个非易失性存储器单元进行编程。该方法包括测试存储器单元以确认存储器单元是可操作的，将存储器单元中的每一个存储器单元编程为中间编程状态，以及在将存储器单元编程为该中间编程状态时在高温下烘烤该存储器设备。每个存储器单元在该最小编程状态下编程时具有第一阈值电压，在该最大编程状态下编程时具有第二阈值电压，并且在该中间编程状态下编程时具有第三阈值电压。该第三阈值电压基本上处于该第一阈值电压和该第二阈值电压之间的中点，并且对应于读取电流的实际的对数中点。
- 闪存HTOL测试方法-201910642011.2
- 潘建峰;谢振;文舜;王帆 - 武汉新芯集成电路制造有限公司
- 2019-07-16 - 2021-05-25 - G11C29/06
- 本发明提供了一种闪存HTOL测试方法，包括：提供待测闪存，所述闪存包括闪存参考单元和闪存阵列单元；所述闪存参考单元中捕获有空穴，所述空穴在HTOL测试过程中存在丢失；对所述闪存参考单元循环进行编译和擦除，以在所述闪存参考单元中引入电子；对所述闪存进行HTOL测试，所述引入电子在所述HTOL测试过程中存在丢失，以对HTOL测试过程中所述空穴的丢失形成补偿。降低了闪存参考单元的输出电流I
- 专利分类
