[实用新型]一种提高背面反射率的碱刻蚀配液槽有效
申请号: | 202220403578.1 | 申请日: | 2022-02-28 |
公开(公告)号: | CN216871910U | 公开(公告)日: | 2022-07-01 |
发明(设计)人: | 张尧羲;马传兵;王旭 | 申请(专利权)人: | 江苏华恒新能源有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 无锡三谷高智知识产权代理事务所(普通合伙) 32569 | 代理人: | 陈勤 |
地址: | 221122 江苏省徐州市徐州经济技术开发区高新*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本实用新型公开了一种提高背面反射率的碱刻蚀配液槽,包括配液槽和出液口,配液槽内设有用于对刻蚀液进行中和的反应区、对刻蚀液进行混合的混流区和用于对刻蚀液内粘性沉淀物进行沉淀的沉淀区,反应区、混流区和沉淀区依次设置在配液槽内部,反应区包括用于对配液进行导入的入液管,混流区包括用于对配液进行混合的混合隔板,沉淀区包括用于对配液进行沉淀的沉淀板,混合隔板和沉淀板均与配液槽可拆洗连接,反应区能够对导入放入刻蚀液和添加补充剂进行中和反应,使得添加剂能够与刻蚀液进行混合,混流区能够带动刻蚀配液充分的进行混合导流,沉淀区能够对配液进行沉淀检测,提高刻蚀配液的效率和质量,从而提高硅片在蚀刻后的背面反射率。 | ||
搜索关键词: | 一种 提高 背面 反射率 刻蚀 配液槽 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造