[实用新型]CVD生长烧结设备

摘要

本实用新型提供CVD生长烧结设备，包括进气设备、真空腔体、等离子发生器、加热设备和加压设备，所述真空腔体用于放置待生长和烧结的基底；所述等离子发生器安装在进气设备和真空腔体之间，所述进气设备输送的生长气体经过等离子发生器电离后进入真空腔体；所述加热设备用于加热真空腔体，提供真空腔体内电离后生长气体在基底生长所需的温度和烧结所需的温度；所述加压设备，用于烧结时对基底施加压力。本实用新型在同一腔体中，实现CVD生长和烧结，避免材料生长和烧结的过程切换设备，经历重复的升降温等过程，降低了生产工序和成本。