[发明专利]一种N型TOPCON电池及其制作方法在审
申请号: | 202211102370.7 | 申请日: | 2022-09-09 |
公开(公告)号: | CN115642196A | 公开(公告)日: | 2023-01-24 |
发明(设计)人: | 张明明;付少剑;郁寅珑;郭世成;范洵;许明艳;蒋红洁 | 申请(专利权)人: | 滁州捷泰新能源科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/068 | 分类号: | H01L31/068;H01L31/0224;H01L31/0216;H01L31/18 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 任洁芳 |
地址: | 239200 安徽省滁州市来*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | 本发明涉及光伏太阳能电池领域,特别是涉及一种N型TOPCON电池及其制作方法,包括基体硅,从所述基体硅的迎光面向外依次包括P型掺杂层、正面钝化层,及贯穿所述正面钝化层且与所述P型掺杂层接触的正面电极;从所述基体硅的背光面向外依次包括位于金属区的遂穿氧化硅层、N型多晶硅层、整面设置且覆盖所述N型多晶硅层的背面钝化层,及贯穿所述背面钝化层且与所述N型多晶硅层接触的背面电极。本发明的局部隧穿及多晶硅钝化电极结构既保障了N型多晶硅与所述背面电极之间的低接触电阻,又消除了非金属区域表面的大量复合中心和消光影响,使得太阳能电池的短路电流、开路电压及填充因子都能得到较好的改善,提高了电池的光电转化效率。 | ||
搜索关键词: | 一种 topcon 电池 及其 制作方法 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的