[发明专利]一种具有功率保护的自偏置射频功率放大器在审
| 申请号： | 202211004403.4 | 申请日： | 2022-08-22 |
| 公开（公告）号： | CN115395903A | 公开（公告）日： | 2022-11-25 |
| 发明（设计）人： | 林甲富;代法亮;许明伟;樊晓兵 | 申请（专利权）人： | 深圳市汇芯通信技术有限公司 |
| 主分类号： | H03F1/52 | 分类号： | H03F1/52;H03F1/56;H03F1/02;H03F3/193;H03F3/21 |
| 代理公司： | 上海双霆知识产权代理事务所(普通合伙) 31415 | 代理人： | 殷晓雪 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市福田区华富街道莲*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种具有功率保护的自偏置射频功率放大器，包括射频晶体管、输入匹配网络、输出匹配网络、漏极偏置网络和自偏置功率保护电路。所述自偏置功率保护电路连接射频晶体管的栅极和源极，包括四个MOS晶体管；其中三个MOS晶体管的栅极均接第一栅压，漏极均接射频晶体管的源极，源极均接地；所述三个MOS晶体管分别作为可变电阻，通过改变第一栅压提供不同的电阻值，使射频晶体管在饱和区的增益下降；另一个MOS晶体管的栅极接第二栅压，漏极接射频晶体管的栅极，源极接地；第二栅压随着射频晶体管的输入功率的增加而减小；所述另一个MOS晶体管也作为可变电阻，当射频晶体管的输入功率增加时阻值变大，用来防止射频输入信号泄露到地。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 功率 保护 偏置 射频 功率放大器 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳市汇芯通信技术有限公司，未经深圳市汇芯通信技术有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202211004403.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
