[发明专利]半导体激光器及其制造方法在审
| 申请号： | 202210608415.1 | 申请日： | 2022-05-31 |
| 公开（公告）号： | CN114976853A | 公开（公告）日： | 2022-08-30 |
| 发明（设计）人： | 杨冰;袁俊 | 申请（专利权）人： | 湖北九峰山实验室 |
| 主分类号： | H01S5/024 | 分类号： | H01S5/024 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 姚璐华 |
| 地址： | 430070 湖北省武汉市*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种半导体激光器及其制造方法，所述半导体激光器包括半导体衬底、功能层和激光器元件，半导体衬底具有相对的第一表面和第二表面，功能层位于第一表面，激光器元件位于功能层背离半导体衬底的一侧，其中该功能层能够提高激光器元件工作热量传导至半导体衬底的速率，并能够降低半导体衬底对激光器元件出射光线的反射，这样半导体激光器就能够有效散热的同时降低反射，解决了半导体的热传递问题和光反射问题。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体激光器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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