[发明专利]用于背面功率输送技术的静电放电保护二极管和制作方法

摘要

一种用于背面功率输送技术的静电放电保护二极管和制作方法。公开了一种半导体装置，其包括位于第一层级上的第一互连和第二互连、第一互连和第二互连之间的衬底、以及该衬底上的一个或多个阱。第二层级包括均位于所述一个或多个阱上的第一鳍状物和第二鳍状物，其中，第一鳍状物和一个或多个阱包括第一导电类型的掺杂剂并且第二鳍状物包括第二导电类型的掺杂剂。第三鳍状物位于衬底和第一互连之间的第一区域之上并且第四鳍状物位于衬底和第二互连之间的第二区域之上。第三互连电耦合在第一互连和第一鳍状物之间，并且第四互连电耦合在第二互连和第二鳍状物之间。