[发明专利]一种半导体装置有效
| 申请号： | 202210551680.0 | 申请日： | 2022-05-18 |
| 公开（公告）号： | CN114959650B | 公开（公告）日： | 2023-10-20 |
| 发明（设计）人： | 周仁;杨德赞;吴飚;荒见淳一 | 申请（专利权）人： | 江苏微导纳米科技股份有限公司 |
| 主分类号： | C23C16/455 | 分类号： | C23C16/455;C23C16/458;C23C16/50;H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 王龙 |
| 地址： | 214028 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本公开涉及一种半导体装置。在各实施例中，一种半导体装置包括：第一基座，其具有正表面和背表面，且包含第一主进气通道、第二主进气通道、第一分流通道及第一通孔；第二基座，其连接至第一基座的背表面，且包含第一主进气通道、第二主进气通道、第二分流通道及第二通孔；以及基座盖板，其连接至第一基座的正表面，且包含第一主进气通道、第二主进气通道、第三分流通道及第三通孔，基座盖板经由第一主进气通道接收第一气体且经由第二主进气通道接收第二气体，其中第一气体和第二气体经由第一通孔和第三通孔输送至第一基座的正表面，且第一气体和第二气体经由第一通孔和第二通孔输送至第一基座的背表面。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于江苏微导纳米科技股份有限公司，未经江苏微导纳米科技股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202210551680.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
