[发明专利]用于制造开关器件的方法在审
| 申请号： | 202210372989.3 | 申请日： | 2022-04-11 |
| 公开（公告）号： | CN115206803A | 公开（公告）日： | 2022-10-18 |
| 发明（设计）人： | 笼岛瑛二;岩桥洋平 | 申请（专利权）人： | 株式会社电装;丰田自动车株式会社;未来瞻科技株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/16 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 王琼先 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种用于制造开关器件(10)的方法，包括：在半导体衬底(12)的顶表面(12a)处形成沟槽(22)；形成用于覆盖沟槽内表面的栅极绝缘膜(24)；在沟槽内部形成栅电极(26)以将栅电极的顶表面定位在半导体衬底的顶表面下方；通过氧化栅电极的顶表面形成氧化膜(40)；通过气相生长在氧化膜的顶表面处形成层间绝缘膜(28)，以使层间绝缘膜的顶表面位于半导体衬底的顶表面下方；以及在半导体衬底的顶表面和沟槽的位于层间绝缘膜的顶表面上方的侧表面处形成与半导体衬底接触的上电极(70)。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 制造 开关 器件 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
