[发明专利]像素结构及制备方法、图像传感器、电子设备在审
| 申请号： | 202210332958.5 | 申请日： | 2022-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN116936582A | 公开（公告）日： | 2023-10-24 |
| 发明（设计）人： | 郭同辉;石文杰;邵泽旭 | 申请（专利权）人： | 思特威（上海）电子科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146;H04N25/79;H04N25/76 |
| 代理公司： | 深圳中一联合知识产权代理有限公司 44414 | 代理人： | 周伟锋 |
| 地址： | 200120 上海市浦东新区自*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明提供一种像素结构及制备方法、图像传感器、电子设备，像素结构包括半导体衬底、设置半导体衬底中的光电转换区及浮动扩散区、传输门电极及电场调制结构。本发明的像素结构设计中，在传输控制门电极与浮动扩散区之间形成电场调制结构，可以基于设置的电场调制结构对传输控制门电极与浮动扩散区之间形成的电场进行调制；另外，当电荷传输晶体管的栅极与漂浮扩散有源区之间构成高电势差时，可以减小或降低的是栅极与漂浮扩散有源区交叠区的电场强度，从而减小栅极诱导漏电(GIDL)，改善CIS图像白点坏像素的问题，提高CIS的图像质量。 | ||
| 搜索关键词： | 像素 结构 制备 方法 图像传感器 电子设备 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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