[发明专利]一种金属氢化物原位合成硅/碳纳米复合材料的制备方法及其应用在审

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申请号: 202210327883.1 申请日: 2022-03-31
公开(公告)号: CN114684821A 公开(公告)日: 2022-07-01
发明(设计)人: 丁瑜;蔡明柱;王锋;余佳阁;杨宇航 申请(专利权)人: 湖北工程学院
主分类号: C01B33/023 分类号: C01B33/023;C01B32/05;B82Y40/00;B82Y30/00;H01M4/36;H01M4/38;H01M4/587
代理公司: 南京纵横知识产权代理有限公司 32224 代理人: 徐瑛
地址: 432000 *** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 发明公开了一种金属氢化物原位合成硅/碳纳米复合材料的制备方法及其应用,属于锂离子电池电极材料领域,制备方法如下:S1.在保护气体氛围下,将碳酸盐、纳米二氧化硅、二茂铁和金属氢化物混合,球磨后加入氯化铝,得到前驱体;碳酸盐、纳米二氧化硅、二茂铁和金属氢化物的质量比为1:(2.5~20):(3~5):(3~30),氯化铝与纳米二氧化硅的质量比为(5~15):1;S2.在保护气体氛围下,将步骤S1所得的前驱体进行焙烧,再冷却至室温,经过酸洗、干燥后得到硅/碳纳米复合材料。本发明的制备方法反应温度低,硅的产率高;且通过一步煅烧制得硅/碳纳米复合材料,工艺简单。制备的硅/碳纳米复合材料形貌均匀,硅在碳材料中分布均匀,可以有效缓冲硅的体积效应。
搜索关键词: 一种 金属 氢化物 原位 合成 纳米 复合材料 制备 方法 及其 应用
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