[发明专利]通过原子层沉积在基材上形成过渡金属铌氮化物膜的方法和相关半导体装置结构

摘要

提供了用于通过原子层沉积在基材上形成过渡金属铌氮化物膜的方法和相关的半导体装置结构。在一些实施方式中，方法可包括使基材与包含过渡金属前体的第一反应物接触，使基材与包含铌前体的第二反应物接触，+和使基材与包含氮前体的第三反应物接触。在一些实施方式中，相关的半导体装置结构可包含半导体主体和包含在半导体主体上沉积的过渡金属铌氮化物的电极。