[发明专利]具有T型源漏电极的背栅场效应晶体管及其制备方法、CMOS反相器在审
| 申请号： | 202210273936.6 | 申请日： | 2022-03-19 |
| 公开（公告）号： | CN116828867A | 公开（公告）日： | 2023-09-29 |
| 发明（设计）人： | 刘洪刚;张志勇;彭练矛 | 申请（专利权）人： | 北京大学;北京元芯碳基集成电路研究院;北京华碳元芯电子科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H10K10/84 | 分类号： | H10K10/84;H10K10/46;H10K85/20;H10K19/10 |
| 代理公司： | 北京惟专知识产权代理事务所(普通合伙) 16074 | 代理人： | 赵星 |
| 地址： | 100091*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明提供了具有T型源漏电极的背栅场效应晶体管及其制备方法以及CMOS反相器。该背栅场效应晶体管包括第一介质层；背栅结构，包括栅介质层与背栅电极；半导体有源层，设置于栅介质层远离第一介质层的一侧；阈值调控层，设置于半导体有源层远离栅介质层的一侧；第二介质层；源电极和源电极，设置于半导体有源层远离栅介质层的一侧并贯穿第二介质层、阈值调控层与半导体有源层接触；第三介质层，设置在第二介质层远离阈值调控层的表面，源电极与漏电极嵌设在第三介质层之内，以阈值调控层、第二介质层和第三介质层间隔开来。根据本发明的背栅场效应晶体管能够降低源漏电极边缘与碳纳米管沟道交界处的电场强度，从而抑制漏电极的反向隧穿电流。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 漏电 场效应 晶体管 及其 制备 方法 cmos 反相器 | ||
【主权项】：
暂无信息
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