[发明专利]一种制备单晶高温合金试棒的方法在审
| 申请号： | 202210244049.6 | 申请日： | 2022-03-11 |
| 公开（公告）号： | CN114622270A | 公开（公告）日： | 2022-06-14 |
| 发明（设计）人： | 赵金乾;李嘉荣;史振学 | 申请（专利权）人： | 中国航发北京航空材料研究院 |
| 主分类号： | C30B11/14 | 分类号： | C30B11/14;C30B29/52;B22C9/04;B22C9/22;B22D27/04 |
| 代理公司： | 中国航空专利中心 11008 | 代理人： | 穆环宇 |
| 地址： | 100095 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明一种制备单晶高温合金试棒的方法属于发动机高温合金材料研究和制备工艺技术领域。本方法采用[001]取向籽晶，利用简单的工装实现[011]和[111]等任意取向试棒和叶片的制备。[001]取向籽晶易于获得，同时籽晶取向偏离易于检测。本操作易于实现，操作简单，复杂取向试棒制备合格率高，有助于单晶高温合金各向异性的研究和单晶涡轮叶片的制备。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 制备 高温 合金 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国航发北京航空材料研究院，未经中国航发北京航空材料研究院许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202210244049.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 用于制造单晶的晶体、特别是蓝宝石的方法-202180088104.0
- G·巴巴里;R·艾伯纳;J·K·帕克;G·森 - 法梅泰克有限公司
- 2021-12-28 - 2023-09-12 - C30B11/14
- 本发明涉及一种用于制造单晶的晶体、特别是蓝宝石的方法，其中，将单晶的种晶设置在具有柱体外罩形的坩埚壁(4)的坩埚(3)的底部区域中或构成所述坩埚(3)的底部并且将所述种晶的结晶学的c轴对应于所述坩埚的沿坩埚壁的高度方向延伸的纵轴线地定向，接着在所述种晶之上在所述坩埚中设置和熔化基础材料，通过在熔化的基础材料与所述种晶之间的边界层上的结晶沿所述c轴的方向逐步地进行晶体生长。
- 顶部籽晶熔盐法生长大尺寸LB0晶体的制备工艺及熔盐炉-202310589937.6
- 朱阳阳;岳银超;郑新学 - 河南悦能光电科技有限公司
- 2023-05-24 - 2023-09-12 - C30B11/14
- 本发明具体涉及一种顶部籽晶熔盐法生长大尺寸LB0晶体的制备工艺及熔盐炉，采用顶部籽晶熔盐法生长LB0晶体，并把粉体LB0晶体原料在900‑1050℃马弗炉里熔化为均匀液体；并用尝试籽晶法尝试出LB0晶体生长的饱和点温度；换为正式籽晶，在特殊结构的熔盐炉中进行生长；把籽晶顶部接触到生长原料液面，先在饱和点温度以上5‑15℃范围内回熔籽晶，开始降温程序缓慢降温进行晶体的生长；通过熔盐炉把顶部籽晶杆上的晶体提离液面10‑40cm的位置处，然后降温进行晶体的退火处理，直至晶体达到室温；最后即获得所需的大尺寸LBO晶体。熔盐炉机械结构操作性优越，控制精度精准高效，炉膛恒温区使用体积特大，立式多段叠加结构，保温材料模块化的设计方便安装，方便控温。
- 垂直组合条状籽晶诱导生长REBCO超导块材的方法-202210670283.5
- 姚忻;朱彦涵;高强;顾夏凡 - 上海交通大学
- 2022-06-14 - 2023-09-08 - C30B11/14
- 本发明提供一种垂直组合条状籽晶诱导生长REBCO超导块材的方法，包括以下步骤：将RE
- 一种通过多籽晶分层诱导制备织构GdBCO超导块材的熔渗生长法-202211610659.X
- 杨万民;崔艳兰;晏雪雪 - 陕西师范大学
- 2022-12-12 - 2023-08-18 - C30B11/14
- 本发明提供了一种通过多籽晶分层诱导制备织构GdBCO超导块材的熔渗生长法，包括如下步骤：首先制备籽晶、传输层、固相先驱块、液相先驱块、支撑块，其中固相先驱块内部设有籽晶；然后装配坯体，装配完成后，采用熔渗生长法，通过多籽晶分层诱导生长GdBCO织构块材；最后对多籽晶诱导生长织构钆钡铜氧块材渗氧处理，之后得到多籽晶诱导生长的织构钆钡铜氧超导块材。本发明提供的这种制备方法进一步缩短了大尺寸织构GdBCO超导块材的制备时间，提高了样品的机械强度、超导性能及其均匀性。
- 一种利用C方向籽晶实现CeF
- 吴振;武安华;张中晗;张振;苏良碧 - 中国科学院上海硅酸盐研究所
- 2022-11-04 - 2023-07-07 - C30B11/14
- 本发明涉及一种利用C方向籽晶实现CeF
- 一种籽晶可通用和能重复使用制备单晶高温合金的方法-202210211478.3
- 胡松松;刘海淇;贺迟;白伟民;汪璞;杨泽宇;刘宇星 - 湘潭大学
- 2022-03-05 - 2023-06-06 - C30B11/14
- 一种籽晶可通用且能重复利用籽晶制备单晶高温合金的方法，在预埋刚玉管于籽晶段的基础上做进一步的改进，增加使用冷却板辅助001取向籽晶制备单晶高温合金，使001取向籽晶的轴向与铸件的轴向形成一定的角度a，当液态母合金浇入后，晶体生长会沿着与籽晶相同的结晶位相生长，即得到001方向偏离轴线a的铸件。通过圆锥形的过渡段使得籽晶与零件段之间有一定的缓冲，能够使得籽晶与零件段较好的连接在一起，确保定向凝固过程中籽晶顶端不出现杂晶凝固缺陷，并且刚玉管与冷却板铸件有足够的距离，确保籽晶段的受力在模壳上，避免刚玉管因受力问题而遭到损坏。采用本发明能够实现用001取向籽晶制备出特定取向的单晶铸件，并实现籽晶可通用且能重复利用。
- 一种添加内部籽晶的多籽晶熔融织构法制备钇钡铜氧超导块材的方法-202211599634.4
- 杨万民;叶之屏 - 陕西师范大学
- 2022-12-12 - 2023-05-02 - C30B11/14
- 本发明提供了一种添加内部籽晶的多籽晶熔融织构法制备钇钡铜氧超导块材的方法，包括如下步骤：首先制备籽晶、添加内部籽晶的先驱块、支撑块；然后装配坯体，装配完成后，采用熔融织构法，通过添加内部籽晶的多籽晶诱导生长钇钡铜氧织构块材；最后对多籽晶诱导生长织构钇钡铜氧块材渗氧处理，渗氧处理后得到多籽晶诱导生长的织构钇钡铜氧超导块材。采用本发明的添加内部籽晶的多籽晶熔融织构法制备钇钡铜氧超导块材，相对于常规多籽晶制备法，缩短了样品的生长时间，提高了样品的制备效率；提高了超导块材的机械性能，如断裂强度；提高了超导块材的超导性能，如磁悬浮力和捕获磁场能力。
- 一种籽晶氧化膜移出结构-202223023230.9
- 李重行;马德新;魏剑辉;赵欢;张丹;赵运兴;徐维台 - 深圳市万泽航空科技有限责任公司;深圳市万泽中南研究院有限公司
- 2022-11-14 - 2023-03-28 - C30B11/14
- 本实用新型公开了一种籽晶氧化膜移出结构，旨在实现浇注时将籽晶顶部的氧化膜移出籽晶腔，使籽晶能够顺利外延生长。为此，本实用新型实施例提供的籽晶氧化膜移出结构，包括模壳和籽晶，所述籽晶预埋在所述模壳的籽晶腔内，所述籽晶腔的侧部外延形成有移出通道，所述籽晶的顶端位于所述籽晶腔与所述移出通道连接位置处，所述籽晶顶部的氧化膜在浇注熔体的作用下被冲入至所述移出通道中。
- 一种籽晶法制备单晶叶片的方法-202211421223.6
- 李重行;马德新;魏剑辉;赵欢;张丹;赵运兴;徐维台 - 深圳市万泽航空科技有限责任公司;深圳市万泽中南研究院有限公司
- 2022-11-14 - 2023-03-03 - C30B11/14
- 本发明公开了一种籽晶法制备单晶叶片的方法，包括蜡模制备、蜡模组树、模壳制备、装籽晶和预热保温以及浇注熔炼，通过在模壳上增设移出通道，浇注过程中，利用熔融金属液将籽晶顶部氧化膜压至移出通道中，将氧化膜移出籽晶腔，使籽晶能够顺利外延生长，进而不会因氧化膜存在引起杂晶和条带晶缺陷；同时移出通道是朝外倾斜向上延伸后向下弯折与激冷底盘接触，移出通道内的晶粒不会长入籽晶腔中产生杂晶。
- 一种单晶高温合金铸件杂晶、条纹晶缺陷的控制方法-202211360098.2
- 姜铸航;卢玉章;尚伟;申健;柳乐 - 中国航发沈阳黎明航空发动机有限责任公司
- 2022-11-02 - 2023-01-31 - C30B11/14
- 本发明属于单晶高温合金的定向凝固技术领域，具体涉及一种单晶高温合金铸件杂晶、条纹晶缺陷的控制方法。本发明的技术方案如下：通过籽晶法制备单晶高温合金铸件，在籽晶法的凝固起始段使用颈缩结构，颈缩结构包括依次连接在一起的籽晶腔、颈缩部位和漏斗形过渡段，颈缩部位为圆管结构，籽晶腔的下端与冷却盘连接，籽晶放置在籽晶腔内且位于冷却盘上；凝固过程中，籽晶向上生长形成单晶体，由籽晶腔进入颈缩部位中，再由颈缩部位进入漏斗形过渡段中，再由漏斗形过渡段向上生长形成单晶高温合金铸件。本发明能够消除单晶高温合金铸件的条纹晶及杂晶缺陷，提高单晶高温合金铸件的单晶完整性合格率。
- 籽晶培养固定装置-202110760403.6
- 陈志谋 - 扬州申威光电器材有限公司
- 2021-07-06 - 2022-10-14 - C30B11/14
- 本发明属于籽晶生长设备技术领域，提供了籽晶培养固定装置，包括：籽晶板，籽晶板的顶中部一侧开设有限位槽，限位槽的内部固定放置有籽晶，籽晶的周向外部一侧设置有用于维持籽晶纵向生长的生长控制板，生长控制板远离籽晶板的一侧设置有用于控制生长控制板围绕籽晶旋转的驱动机构；所述生长控制板远离籽晶的侧壁上设置有用于对培养液进行混合搅拌的搅拌机构；通过驱动机构运行控制生长控制板围绕籽晶转动，固定在限位槽内部的籽晶只能向上生长，而且同时生长控制板的转动带动搅拌机构旋转，从而促进培养液均匀对籽晶进行生长。
- 籽晶法制备空心大尺寸双联整铸单晶导向叶片的铸造方法-202110335978.3
- 贾敬惠;吴建颢;王君武;孔小青;姚刚;付秋伟;马俊强;李俊;姜序珍;张海潮;杨震;程文领;张吉阳;李远兵;胡琪;张家添 - 贵阳航发精密铸造有限公司
- 2021-03-29 - 2022-09-27 - C30B11/14
- 本发明涉及籽晶法制备空心大尺寸双联整铸单晶导向叶片的铸造方法，属于高温合金精密铸造技术领域。所述方法包括以下步骤，包括S1，籽晶的制备：检测单晶试棒的晶体取向，用线切割机在单晶试棒上切取Z轴平行于001取向的籽晶，要求籽晶001方向偏离Z轴方向的角度小于2°，然后对其宏观腐蚀和单晶完整性检验得到籽晶；S2，压制蜡模；S3，蜡模组合；S4，模壳的制备；S5，熔炼浇注得到双联单晶叶片铸件。有益效果：可有效控制空心大尺寸双联单晶导向叶片的单晶完整性、晶体取向偏离、疏松缺陷，单晶完整性合格率达85％以上，晶体取向偏离控制在5°以内，疏松报废率在5％以内，显著提高叶片的合格率，可应用于工程化生产。
- 铸造单晶籽晶制备方法-202011033536.5
- 陈发勤;刘世龙;李易成;李春林;梁学勤 - 宜昌南玻硅材料有限公司;中国南玻集团股份有限公司
- 2020-09-27 - 2022-08-16 - C30B11/14
- 一种铸造单晶籽晶制备方法，将直拉单晶棒的头部和尾部去除；将直拉单晶棒头部的切割面定义为头面，直拉单晶棒尾部的切割面定义为尾面；用金刚笔在所述的头面上刻“T”字形标识，“T”字的上下左右四个棱线分别为a、b、c和d；从正视于头面角度看，a、b、c和d构成了正方形，正方形以头面圆心为基准旋转X角度，去皮操作后得到单晶方棒；单晶方棒的四个侧面分别定义为一号面、二号面、三号面和四号面，使用金刚笔在一号面的左侧或右侧上刻画一条竖线作为标记线，将单晶方棒从头面向尾面横向切割成若干个等高的单晶籽晶，最后对X单晶籽晶进行清洗。
- 籽晶检测方法与晶体硅锭的生产方法-202011455727.0
- 黎晓丰 - 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司;阿特斯阳光电力集团股份有限公司
- 2020-12-10 - 2022-06-14 - C30B11/14
- 本申请提供了一种籽晶检测方法与晶体硅锭的生产方法，所述籽晶检测方法包括对籽晶进行预处理，使得籽晶的检测面形成金字塔状的绒面结构，所述检测面是指所述籽晶的顶面和/或底面；再采用既定光源照射所述籽晶的检测面，并在所述检测面上形成十字型的光源图像，然后，根据光源图像确定所述籽晶的侧面晶向。本申请籽晶检测方法通过对籽晶进行预处理，再采用既定光源便能快速确定籽晶的侧面晶向，操作便捷；采用上述籽晶检测方法，在晶体硅锭的生产过程中，可有效避免籽晶排布错误，保证晶体硅锭的生长质量。
- 一种制备单晶高温合金试棒的方法-202210244049.6
- 赵金乾;李嘉荣;史振学 - 中国航发北京航空材料研究院
- 2022-03-11 - 2022-06-14 - C30B11/14
- 本发明一种制备单晶高温合金试棒的方法属于发动机高温合金材料研究和制备工艺技术领域。本方法采用[001]取向籽晶，利用简单的工装实现[011]和[111]等任意取向试棒和叶片的制备。[001]取向籽晶易于获得，同时籽晶取向偏离易于检测。本操作易于实现，操作简单，复杂取向试棒制备合格率高，有助于单晶高温合金各向异性的研究和单晶涡轮叶片的制备。
- 铸造单晶硅用籽晶的制备方法、铸造单晶硅用籽晶、铸造单晶硅-202011205548.1
- 雷琦;何新根;李小平;李建敏;何亮;邹贵付;甘胜泉;程小娟 - 新余赛维铸晶技术有限公司
- 2020-11-02 - 2022-05-24 - C30B11/14
- 本发明公开了一种铸造单晶硅用籽晶的制备方法、铸造单晶硅用籽晶和铸造单晶硅。铸造单晶硅用籽晶的制备方法的步骤为：利用定向凝固方法制备铸造单晶硅锭；将所述铸造单晶硅锭切割成原始籽晶；对所述原始籽晶进行热处理，得到所述籽晶，所述热处理的温度不高于1200℃。通过对铸造单晶硅锭切割的原始籽晶进行热处理，可有效降低原始籽晶的晶体微缺陷，从而得到铸造单晶硅用籽晶，而采用该籽晶得到的铸造单晶硅锭的与采用单晶晶棒切割作为籽晶的铸造单晶硅锭制备成的电池片的效率相当。
- 一种利用硅合金可控化生长高纯块状晶体硅的方法-201710826240.0
- 李亚琼;张立峰;马玉升 - 北京科技大学
- 2017-09-14 - 2022-05-17 - C30B11/14
- 一种晶体硅可控化生长及提纯的方法,属于冶金提纯及晶体生长交叉技术领域。该方法构建具有三明治结构“冶金硅‑溶剂金属‑籽晶”的样品原料，放置于具有温度梯度的热场中进行加热、保温，待保温结束后快速淬火冷却至室温，最终分离得到生长速度可控、品质(纯度、杂质分布)可控、晶体取向可控的块状晶体硅，并将冶金硅源、硅合金及籽晶回收重复利用。本发明主要通过添加冶金硅源以促进晶体硅稳定生长，提高生长速率；添加籽晶衬底以有效调控生长硅晶体取向；其次通过添加低熔点溶剂金属与冶金硅形成合金熔体，有效降低晶体硅生长温度，降低能耗，降低生长硅中杂质含量，提高提纯效果。本发明生长提纯晶体硅满足太阳能级硅的要求，节能降耗环保，生产效率高。
- 一种精确控制籽晶取向一致性的组装工具及方法-202111538129.4
- 盛乃成;曹夕;侯桂臣;王振江;荀淑玲;谢君;桑志茹;周亦胄;孙晓峰 - 中国科学院金属研究所
- 2021-12-15 - 2022-04-19 - C30B11/14
- 本发明涉及单晶高温合金领域，具体为一种精确控制籽晶取向一致性的组装工具及方法。该组装工具滑轨底座的顶部相对设置固定支架、可移动支架，可移动支架向前推进将加热后的籽晶镶装在蜡模上；固定支架上安装固定端四爪夹头，可移动支架上安装可旋转四爪夹头，可旋转四爪夹头与可移动支架通过轴承连接，固定端四爪夹头与可旋转四爪夹头相对应且同轴；水平的籽晶一端安装于可旋转四爪夹头，籽晶的另一端外侧安装加热环；水平的蜡模一端安装于固定端四爪夹头上，籽晶的另一端与蜡模的另一端相对应。本发明可以消除人工组装引入的取向误差，通过机械的手法精确控制籽晶取向，优化籽晶法制备控制二次取向的单晶高温合金铸件的过程。
- 一种底部红区短、原生位错少的铸造单晶籽晶铺设方法-202011107174.X
- 周耐根;刘世龙;吴佳慧 - 南昌大学
- 2020-10-16 - 2022-03-22 - C30B11/14
- 本发明公开了一种底部红区短、原生位错少的铸造单晶籽晶铺设方法，包括以下步骤：将直拉单晶硅棒去除头尾、边皮、线切割得到铸造单晶籽晶，对其表面进行喷砂处理，增加其表面粗糙度；从多晶硅块或单晶硅块上切割得到厚片，对厚片表面进行喷砂，增加其表面粗糙度；在坩埚底部铺设第一厚片层；在第一厚片层上铺设铸造单晶籽晶，相邻铸造单晶籽晶之间侧面留有间隙；在每块铸造单晶籽晶上表面正中心位置铺设第二厚片层；第二厚片层上铺设厚片，厚片侧壁紧密贴合，形成第三厚片层，在第三厚片层上放置原生硅料、回收硅料等，当硅料熔化至铸造单晶籽晶层1/2位置时，制造一个垂直方向的温度梯度，从底部向上逐渐凝固得到铸造单晶硅锭。
- 不同偏角度砷化镓籽晶加工及砷化镓单晶的制备方法-202111179012.1
- 韩家贤;王顺金;韦华;赵兴凯;何永彬;柳廷龙;刘汉保;黄平;陈飞鸿;李国芳 - 云南鑫耀半导体材料有限公司;云南中科鑫圆晶体材料有限公司;云南临沧鑫圆锗业股份有限公司
- 2021-10-09 - 2022-01-28 - C30B11/14
- 不同偏度砷化镓籽晶加工及砷化镓单晶的制备方法，涉及半导体晶体生长领域，尤其是一种砷化镓单晶的制备技术。本发明的方法包括了籽晶胚的加工和定向、籽晶抛光和清洗、单晶生长等步骤，其中，钻取种子胚大小适中，种子胚比种子小嘴内径小0.025mm‑0.76mm。抛光剂采用溴素和乙醇按体积比2：1‑1：4进行配置。本发明的优点是不同偏角度（100）到（111）偏0°、2°、6°、10°和15°的籽晶生长的砷化镓单晶体与国家标准（GB/T 30856‑2014）对位错的要求相比，其位错非常低、结晶度高。最主要的是晶圆抛光后进行外延，外延淀积速率高,外延层表面质量也较好,外延层的生长参数也易于控制。
- 可精确控制单晶叶片晶体取向生长的铸造引晶段成型模具-202010028443.7
- 付秋伟;王君武;孔小青;陈璐;张海潮;姜序珍;胡琪;杨瑞宁;贾敬惠;李俊 - 贵阳航发精密铸造有限公司
- 2020-01-10 - 2022-01-28 - C30B11/14
- 本发明涉及航空发动机叶片精密铸造技术领域，具体涉及可精确控制单晶叶片晶体取向生长的铸造引晶段成型模具，包括上模和下模，上模和下模的扣合面设置有对应的注蜡口、流道和引晶段成型腔，引晶段成型腔一端与流道连通、另一端连通有用于放置籽晶的放置槽，放置槽外端设有可控制籽晶伸入引晶段成型腔内的螺旋推杆,下模上还设有与放置槽平行的量尺。通过本发明的模具制得的引晶段，籽晶伸入深度可以准确调节，在铸造中可精确控制单晶叶片晶体取向生长，极大的减少了单晶引晶过程中杂晶出现的概率，有效的解决籽晶开始生长阶段杂晶的问题，提高了叶片晶体取向合格率，使制备的单晶叶片的晶体取向与原始籽晶取向保持一致，实现了籽晶工程化应用。
- 铸造单晶的籽晶铺设方法、铸造单晶硅锭及其制备方法-202010615807.1
- 陈红荣;胡动力;孙庚昕;宋亚飞;张华利 - 江苏协鑫硅材料科技发展有限公司
- 2020-06-30 - 2021-11-12 - C30B11/14
- 本发明涉及一种铸造单晶的籽晶铺设方法、铸造单晶硅锭及其制备方法。铸造单晶的籽晶铺设方法，包括如下步骤：在坩埚的底部铺设若干个相互拼接的单晶籽晶，形成单晶籽晶层；单晶籽晶层包括至少一个单晶籽晶单元，单晶籽晶单元包括长方形单晶籽晶和至少两个正方形单晶籽晶，至少两个正方形单晶籽晶沿长方形单晶籽晶的长度方向排列且与长方形单晶籽晶拼接；长方形单晶籽晶的长度是正方形单晶籽晶的长度的n倍，n为整数且大于1；相邻单晶籽晶之间相互接触的侧面晶向均不相同。上述籽晶铺设方法，采用长方形单晶籽晶与正方形单晶籽晶相互拼接的方式，能够在形成晶界的同时，减少了单晶籽晶之间的拼接缝隙，减少铸造单晶的位错，使得缺陷较少。
- 铸造单晶硅锭及其制备方法、铸造单晶硅片及其制备方法-202010758499.8
- 周声浪;张华利;胡动力;原帅;游达;周洁 - 江苏协鑫硅材料科技发展有限公司
- 2020-07-31 - 2021-10-22 - C30B11/14
- 本发明涉及一种铸造单晶硅锭及其制备方法、铸造单晶硅片及其制备方法。铸造单晶硅锭的制备方法包括如下步骤：在容器的底部铺设回收单晶籽晶，形成单晶籽晶层；回收单晶籽晶自远离容器底部向靠近容器底部的方向为第一方向，第一方向与回收单晶籽晶的原晶体生长方向相同；在单晶籽晶层上装硅料，加热使硅料完全熔化、单晶籽晶层部分熔化，长晶之后得到铸造单晶硅锭。上述铸造单晶硅锭的制备方法，在长晶过程中改变了回收单晶籽晶中缺陷的生长方向，利用回收单晶籽晶中已有缺陷引导后续缺陷向与之前相反的方向扩展，实现了使用回收单晶籽晶生长的铸锭单晶硅锭的缺陷不再继续沿原方向扩展增殖，反而逐渐收窄甚至消失，提高了铸造单晶硅锭的良率。
- 低浓度位错铸锭单晶缓冲式籽晶熔化控制方法-202110632346.3
- 韩科选;薛赓 - 苏州步科斯新材料科技有限公司
- 2021-06-07 - 2021-09-17 - C30B11/14
- 本发明公开了低浓度位错铸锭单晶缓冲式籽晶熔化控制方法，包括以下步骤：(1)在石英坩埚底部铺设籽晶；(2)使用第一热电偶和第二热电偶获取石英坩埚底部边角部位的温度信号，温度信号为坩埚底部边角部位的温度和温度变化率的数值；(3)根据获取到的所述温度信号，判断所述籽晶熔化的高度；当所述温度信号出现突然上升的突变点时，表示籽晶熔化至设定高度，此时控制热场和工艺，进入长晶阶段；本发明将热电偶安装在坩埚底部边角部位，避开了侧部加热器对温度信号的影响，监测结果更准确。
- 一种籽晶铺设方法、单晶硅锭的制备方法和单晶硅锭-202010156644.5
- 雷琦;何亮;徐云飞;毛伟;李建敏;邹贵付;甘胜泉;陈仙辉 - 赛维LDK太阳能高科技（新余）有限公司;江西赛维LDK太阳能高科技有限公司
- 2020-03-09 - 2021-09-10 - C30B11/14
- 本申请实施例提供了一种籽晶铺设方法，用于单晶硅锭的铸造，包括：提供坩埚，在所述坩埚的底部铺设籽晶层，所述籽晶层由三种籽晶错位拼接形成，每种所述籽晶分别至少包括一块；其中，所述三种籽晶的生长面晶向相同，所述三种籽晶的侧面晶向不同，所述生长面晶向为001、011或111；当所述三种籽晶的其中一种籽晶包括多块时，多块所述一种籽晶之间互不接触。由所述籽晶铺设方法铺设的籽晶层，能有利于减少晶体位错比例，提高硅锭的质量。本申请还提供了一种单晶硅锭的制备方法和单晶硅锭。
- 磁场诱导等温凝固过程中易轴织构的制备方法-202110632194.7
- 邓沛然;李崇桂;吴恺威;雍学超 - 上海工程技术大学
- 2021-06-07 - 2021-09-07 - C30B11/14
- 本发明提供了一种磁场诱导等温凝固过程中易轴织构的制备方法，其包括如下步骤：将晶态材料放置充满氩气的真空炉中，然后将该晶态材料升温至固相线，再由固相线加热到基体相形成的相变温度，保温后施加静磁场，冷却至固相线，然后切断热源和静磁场，随炉冷却；本发明针对较大尺寸晶态材料在磁场作用下的一般凝固过程中，晶体的易轴织构的形成对温度非常敏感，当晶态材料从高于基体相形成的相变温度以上凝固时，磁场对晶体的取向效果几乎消失，这时晶体的取向效果与没有静磁场作用相仿，所以当晶态材料被控制在不高于基体相形成的相变温度的等温区间，磁场对生长的晶体的取向效果最佳。
- 镍基单晶高温合金中不同类型稳定晶界的制备方法-202010424390.0
- 王尧;王栋;董加胜;姜祥伟;张健;楼琅洪 - 中国科学院金属研究所
- 2020-05-19 - 2021-08-31 - C30B11/14
- 本发明公开了一种镍基单晶高温合金中不同类型稳定晶界的制备方法。该方法通过切割特定取向及夹角的籽晶对，在Bridgman定向凝固系统中制备镍基单晶高温合金，可有效控制制备的镍基单晶高温合金中含有对称(或非对称)倾侧或扭转晶界，且晶界角度可控制在0～90°之间的任意角度。本发明一方面解决了使用传统工艺针对不同类型晶界制备、提取以及检测难的问题，工艺简单可靠，成本低，适用性强。同时，通过使用本发明在镍基单晶高温合金引入特定类型与角度的晶界，以便于开展晶界结构、晶界能量以及晶界对单晶合金力学性能影响等相关研究。该方法在研究含小角晶界镍基单晶高温合金变形损伤机理及镍基单晶高温合金晶界容限方面具有广阔的应用前景。
- 一种用于铸造单晶硅的籽晶铺设方法及应用-201910231481.X
- 何亮;罗鸿志;周成;雷琦;李乐;李建敏;邹贵付 - 赛维LDK太阳能高科技（新余）有限公司
- 2019-03-26 - 2021-08-20 - C30B11/14
- 本发明提供了一种用于铸造单晶硅的单晶籽晶铺设方法，包括：在坩埚底部将条状的边皮籽晶与厚度相等的其他条状籽晶等单晶籽晶进行夹条式铺设，形成单晶籽晶层，其中，相邻的两个单晶籽晶的侧面晶向的角度偏差在4‑30°范围。所形成的单晶籽晶层中相邻的两个单晶籽晶的侧面晶向存在角度偏差，构成了低晶界能的晶界，在引晶过程中可抑制单晶产生位错，最终制得位错少、少子寿命高的单晶硅锭。本发明还提供了由所述单晶籽晶层来铸造单晶硅锭的方法。
- 一种籽晶生产类单晶硅铸锭的防错位装置-202110259524.2
- 李泽 - 李泽
- 2021-03-10 - 2021-07-16 - C30B11/14
- 本发明涉及一种单晶硅领域，尤其涉及一种籽晶生产类单晶硅铸锭的防错位装置。本发明要解决的技术问题是：提供一种籽晶生产类单晶硅铸锭的防错位装置。本发明的技术方案为：一种籽晶生产类单晶硅铸锭的防错位装置，包括有固定机构、倾斜和模拟融化结构、风力渗透和打磨机构和封口机构等；倾斜和模拟融化结构与固定机构相连接；倾斜和模拟融化结构与风力渗透和打磨机构相连接；倾斜和模拟融化结构与封口机构相连接。本发明实现了能够在两块籽晶融合定型的过程中，确保了两块籽晶不会产生错位和缝隙被硅液完全从满，并且还能够将溢出的多余硅液进行清理，确保生产出来的籽晶不会影响后期类单晶硅的生产。
- 减少杂晶产生的单晶合金定向凝固方法及模壳结构-202110088757.0
- 宋扬;王远斌;李小政;张凡;王勇;杜小兵 - 成都航宇超合金技术有限公司
- 2021-01-22 - 2021-06-08 - C30B11/14
- 本发明涉及单晶高温合金定向凝固制备工艺，尤其是一种有效克服籽晶表面产生的沉积，以及由籽晶侧壁与模壳之间的间隙造成的杂晶问题的减少杂晶产生的单晶合金定向凝固生产方法及模壳结构，包括如下步骤：a、制备001取向的籽晶，并将籽晶表面磨抛至光亮；b、在预制完毕的籽晶顶端沉积设置抗氧化金属层，然后将籽晶放入籽晶模壳的底部；c、完成浇铸并得到叶片。本发明不仅能够大幅提高叶片的铸件质量，还能够有效提高单晶叶片的成材率，尤其适用于籽晶法结合选晶法生产单晶高温合金叶片的工艺之中。
- 专利分类
