[发明专利]Sb2在审

申请号：	202210226615.0	申请日：	2022-03-09
公开（公告）号：	CN114597272A	公开（公告）日：	2022-06-07
发明（设计）人：	陈王伟	申请（专利权）人：	陈王伟
主分类号：	H01L31/0336	分类号：	H01L31/0336;H01L31/0224;H01L31/072;H01L31/18;B82Y15/00;B82Y40/00;B82Y30/00
代理公司：	北京同辉知识产权代理事务所(普通合伙) 11357	代理人：	张恩慧
地址：	236424 安徽省阜阳***	国省代码：	安徽;34
权利要求书：	暂无信息	说明书：	暂无信息
摘要：	本发明公开了Sb2(S,Se)3基体型异质结薄膜、太阳能电池及其电池制备方法，涉及太阳能电池材料制备及结构设计技术领域。在玻璃衬基上依次沉积有阳极、电子传输层、Sb2(S,Se)3基体型异质结薄膜、有机空穴传输层、阴极；Sb2(S,Se)3基体型异质结薄膜由TiO2纳米棒阵列、In2S3和Sb2(S,Se)3材料层构成，TiO2纳米棒阵列中多个TiO2纳米棒垂直生长在电子传输层上，In2S3材料层沉积在电子传输层上以及包裹在TiO2纳米棒上形成TiO2/In2S3复合纳米棒阵列，Sb2(S,Se)3材料层包裹TiO2/In2S3复合纳米棒阵列并填满中间间隙形成体型异质结薄膜。本发明中Sb2(S,Se)3基体型异质结太阳能电池制备方法简单、结构新颖，光电转换效率较高。
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摘要：本申请公开了一种混维异质结型光电探测器及制备方法，器件包括：衬底、U型GaN层、绝缘层、二维材料层、源电极以及漏电极；U型GaN层设置在衬底上方；绝缘层设置在U型GaN层上方，绝缘层的横截面面积小于U型GaN层的横截面面积；二维材料层设置在绝缘层上方，二维材料层一端堆叠在绝缘层上，另一端堆叠在U型GaN层上并与U型GaN层形成混维异质结；源电极设置在U型GaN层上方，漏电极设置在二维材料层上方，且源电极与漏电极之间互不相连，漏电极与U型GaN层不接触。混维异质结可以降低GaN材料的暗电流，同时使本发明的光电探测器在不同光功率密度下具备优良的探测性能，即具有较高的光开关比、优良的响应度以及较高的比探测率。

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申请日： 2023-05-29 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： H01L31/0336
摘要：本发明公开了一种基于硒化镓钝化衬底的异质结光响应增强光电探测器及其制备方法和应用，属于半导体器件技术领域。所述光电探测器包括自下而上依次设置的氧化硅衬底、底层和顶层，所述底层为GaSe层，所述顶层为MoSe2层、WSe2层或WS2层中的一种或几种，所述底层和所述顶层形成异质结结构。本发明的基于硒化镓钝化衬底的异质结光响应增强光电探测器，具有很高的光响应度值和光探测值，在光功率密度为0.026mW/cm2，405nm的波长下，光响应度值可达43A/W以上，最大可达28800A/W。光探测值可达1.41×1012Jones以上，最大可达7.1×1014Jones。

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摘要：本发明公开了一种硒化铋/氮化镓紫外‑红外宽波段探测器及其制备方法，所述探测器包括GaN衬底、Bi2Se3层和金电极，GaN衬底上生长的Bi2Se3层，GaN与Bi2Se3之间形成Bi2Se3/GaN异质结，金电极设置在GaN衬底和Bi2Se3层上，具体制备方法如下：一、在蓝宝石衬底上利用CVD技术生长Bi2Se3层；二、利用磁控溅射技术在GaN衬底和Bi2Se3层表面沉积Au电极，得到Bi2Se3/GaN紫外‑红外宽波段探测器。本发明实现了200~4000nm超宽光谱的光电探测器，利用Bi2Se3/GaN异质结单一结构，实现宽光谱探测。与紫外、红外多个器件叠加实现紫外‑红外探测相比，器件结构简单，降低了系统的体积、功耗和成本。

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申请日： 2023-03-17 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： H01L31/0336
摘要：本实用新型涉及一种异质结太阳能电池，包括N型单晶硅片，N型单晶硅片p面依次设第一本征非晶硅层、p型掺杂微晶硅层、第一TCO薄膜、银浆栅线层；N型单晶硅片n面依次设第二本征非晶硅层、n型掺杂微晶硅层、第三本征非晶硅层、第二TCO薄膜、第三TCO薄膜、银浆栅线层；所述第一TCO薄膜为ITO薄膜，所述第二TCO薄膜为AZO薄膜，所述第三TCO薄膜为ICO薄膜；本实用新型通过设置光能量利用率良好的AZO薄膜，同时利用具有高迁移率特性的ICO薄膜弥补AZO薄膜在导电性方面的损失，从而使所述异质结太阳能电池获得较好光电转换效率，同时减少所述异质结太阳能电池铟含量降低制作成本。

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申请日： 2023-04-06 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： H01L31/0336
摘要：本发明公开了一种具有宽频光电响应的探测器件及其制备方法，将机械剥离的具有高迁移率的铊镍硒纳米片为基本结构单元转移到本征高阻硅和二氧化硅衬底上，然后利用紫外光刻技术和电子束蒸发技术制作源、漏电极，通过超声引线键合等工艺制备出高灵敏超宽带探测的铊镍硒光电探测器。本发明的一种具有宽频光电响应的探测器件及其制备方法是基于铊镍硒纳米片的光电探测器，具有高响应率、可见到中波红外的宽谱光电探测、空气稳定性高、集成度高、工艺成熟及可重复等优点。

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发明人：刘韵丹;罗嗣明;祁祥 -专利权人：湘潭大学
申请日： 2021-12-13 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： H01L31/0336
摘要：本发明提供了一种硒化锗复合材料的光电器件及其制备方法，该方法包括：制备硒化锗纳米片悬浮液；将制得的纳米片悬浮液通过电泳沉积到ITO基板上形成硒化锗膜；将经过电泳沉积处理的ITO基板进行干燥处理；将经过干燥处理的ITO基板通过离子层连续吸附反应依次在镉离子的前驱体溶液和硫离子或硒离子的前驱体溶液吸附4～8min，交替循环吸附3～10次，在硒化锗膜上形成硫化镉膜或硒化镉膜；将经过离子吸附处理的ITO基板进行干燥处理，即得硒化锗复合材料的光电器件。本发明通过电泳沉积法和离子层连续吸附反应法制备出高光响应特性的硒化锗复合材料光电器件。该方法操作简单，易于控制，实验环境要求低，有利于工业化推广。

一种铊镍硒和硒化铋异质结构光电探测器-202222815912.7
发明人：韩利;张力波;张拾;施超凡;刘昌龙;李冠海;陈效双 -专利权人：国科大杭州高等研究院
申请日： 2022-10-25 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： H01L31/0336
摘要：本实用新型的一种铊镍硒和硒化铋异质结构光电探测器，所述探测器自下而上设置有：电绝缘基底、铊镍硒纳米片和源、漏电极，铊镍硒纳米片上端的两侧是源、漏电极层，铊镍硒纳米片作为光敏元件，源、漏电极层与相应的引线电极相连用于连接外部测试电路，所述铊镍硒纳米片的一侧的上端设置硒化铋层，硒化铋层与铊镍硒纳米片搭建异质结结构。本实用新型的一种铊镍硒和硒化铋异质结构光电探测器通过垂直堆叠结构，在实现上述非对称性接触的同时，实现了势垒的非对称，大的电势差进一步增加净的光电流，提高了器件的性能。

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申请日： 2023-04-07 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： H01L31/0336
摘要：本发明公开了一种二硫化钼/铯铅溴复合光电探测器及其制备方法，其是在绝缘衬底上通过双源气相法沉积有CsPbBr3薄膜，在CsPbBr3薄膜上通过旋涂MoS2纳米晶溶液，使MoS2纳米晶钝化CsPbBr3薄膜表面的晶界及缺陷并与CsPbBr3薄膜形成异质结。与纯CsPbBr3光电探测器相比，本发明的复合光电探测器的光电性能显著提高，具有响应度高、响应速度快、比探测率高的优势；同时，本发明的复合光电探测器在无任何封装情况下，暴露在空气中4个月后性能仍保持在最初的90％以上，具有优异的稳定性。

一种钙钛矿异质结自驱动光电探测器及其制备方法-202310204240.2
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申请日： 2023-03-06 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： H01L31/0336
摘要：本发明公开了一种钙钛矿异质结自驱动光电探测器，包括绝缘衬底，绝缘衬底的表面设置InGaN薄膜，InGaN薄膜远离的绝缘衬底的一侧间隔设置金属电极、CsPbBr3微米带，CsPbBr3微米带远离InGaN薄膜的一侧设置ITO导电玻璃，金属电极远离InGaN薄膜的一侧设置In颗粒电极，ITO导电玻璃远离CsPbBr3微米带的一侧设置In颗粒电极。本发明还公开了一种钙钛矿异质结自驱动光电探测器的制备方法。本发明通过构筑CsPbBr3/InGaN异质结结构，在不加外部电压情况下，实现了高性能的光电探测器，器件响应度、探测率高，表现出较宽的响应带宽，有利于推广应用。

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摘要：本发明公开了一种Ga2O3/Si TOPCon光伏电池，包括n型硅片，n型硅片背面由近到远依次设置有隧穿层、n型多晶硅层、背电极；n型硅片正面由近到远依次设置有本征β‑Ga2O3层、钝化层、减反层；本征β‑Ga2O3层上还设置有一对顶电极，两个顶电极依次贯穿钝化层和减反层且伸出减反层外部。本发明解决了现有技术中存在的因正面的多晶硅层对入射可见光的吸收导致的光学损耗所引起的电池光电转换效率低的问题。

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申请日： 2023-02-27 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L31/0336
摘要：本发明属于光探测技术领域，具体涉及一种自驱动光电探测器，该自驱动光电探测器，由上至下依次包括金属In点电极、金属Pd前电极、Ga2O3薄膜‑PdTe2颗粒薄膜层、Si单晶基底和金属In背电极。Ga2O3薄膜‑PdTe2颗粒薄膜层是利用化学气相沉积、磁控溅射、氮气退火处理等方法制备的。测试结果显示，所制备薄膜器件表现出良好的自驱动光探测性能，具有性能稳定等优点。

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摘要：本申请公开了自驱动偏振光电探测器及其制备方，其中，自驱动偏振光电探测器包括：Al2O3衬底，具有第一表面和第二表面；本征GaN外延层，位于所述Al2O3衬底的第一表面；SiNx绝缘层，位于所述本征GaN外延层的表面；二维Te层，同时覆盖在所述SiNx绝缘层和本征GaN外延层；Te层电极，位于所述二维Te层的表面；GaN层电极，位于所述本征GaN外延层的表面。本申请通过使用新型材料Te来制作光电探测器，从而全面提升光电探测器的性能。

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摘要：本发明公开了一种基于二硒化铂和锗的异质结及光电探测器、及其制备方法，该异质结及其光电探测器在二硒化铂和锗层之间存在一薄层的超薄绝缘层，该绝缘层能够提高异质结界面势垒，作为隧穿层可以调控电荷输运特性，同时能够钝化锗界面态。为了防止锗衬底在铂薄膜硒化过程中生成硒化锗，本发明还公开了在该异质结结构的锗衬底背面制备绝缘层，从而形成二硒化铂/超薄绝缘层/锗/背面绝缘层的异质结结构。该异质结及其光电探测器的制备方法简单、成本低、兼容硅工艺。由该异质结组成的光电探测器具有可零偏压驱动、高响应率、高探测率、高开关比、低暗电流、高稳定性、宽光谱响应等优异特性，这为新一代高性能光电探测器铺平了道路。

一种MoS2-202110345225.0
发明人：吕慧丹;王子良;刘勇平;班如静;王璇 -专利权人：桂林理工大学
申请日： 2021-03-31 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H01L31/0336
摘要：本发明提供了一种MoS2/SnSe2/H‑TiO2异质结光电探测器件的制备方法，包括以下步骤：(1)使用阳极氧化法制备TiO2纳米管；(2)使用双温区真空气氛管式炉生长SnSe2纳米片，得到SnSe2/H‑TiO2异质结；(3)将得到的SnSe2/H‑TiO2异质结放置于溅射真空室，使用靶材MoS2(纯度99.99％)以室温下，氩气氛围，采用磁控溅射法在SnSe2/H‑TiO2异质结上复合MoS2，得到了MoS2/SnSe2/H‑TiO2异质结。本发明方法制得到的MoS2/SnSe2/H‑TiO2异质结光电探测器件具有较大的光响应值和探测率。

二硫化铼/锑化镓异质结光电探测器及其制备方法-202211310281.1
发明人：宋秀峰;剪宇轩;王旭生;贾润萌;林渝海;曾海波;陈翔 -专利权人：南京理工大学
申请日： 2022-10-25 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： H01L31/0336
摘要：本发明公开了一种二硫化铼/锑化镓异质结光电探测器及其制备方法。所述的器件结构从下到上依次为刚性衬底、一维半导体材料GaSb纳米线、二维半导体材料ReS2薄片以及源漏电极，先在衬底上分散GaSb纳米线，使GaSb纳米线置于衬底表面，运用干法转移平台将ReS2薄片转移到GaSb纳米线表面使其形成范德华异质结构，再制备源漏电极，形成光电探测器。本发明的二硫化铼/锑化镓异质结光电探测器在可见光范围内表现出高的响应度，适用于可见光红外探测器领域。

近红外偏振光电探测器及制备方法-202211583586.X
发明人：李京波;江美华;霍能杰 -专利权人：浙江芯科半导体有限公司
申请日： 2022-12-10 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： H01L31/0336
摘要：本发明公开一种近红外偏振光电探测器，包括衬底；MoTe2纳米片、GeSe纳米片和MoS2纳米片，MoTe2纳米片、GeSe纳米片和MoS2纳米片依次位于衬底上方，且MoTe2纳米片、GeSe纳米片与MoS2纳米片部分层叠构成垂直异质结；第一电极和第二电极，在与未层叠的MoTe2纳米片上设置第一电极，在衬底与未层叠的MoS2纳米片上设置第二电极。本发明重点在于形成MoS2/GeSe/MoTe2异质结，近红外偏振光电探测器以MoS2纳米片、GeSe纳米片和MoTe2纳米片为异质结，该异质结以多层MoS2、GeSe和MoTe2二维材料三者的能带排列符合Ⅱ型能带排列方式，实现了高效的电荷转移；另一方面GeSe二维材料本身具有各向异性的特点，在形成的异质结中作为夹层实现了偏振光探测的性能。实现了宽谱波段响应、快速光探测、偏振灵敏和性能稳定的特点。

基于卤素钙钛矿-硼掺杂硅的异质结材料及光电位敏传感器的制备方法-202110644498.5
发明人：张伶莉;申哲远;王先杰;胡君北;宋波 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2021-06-09 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： H01L31/0336
摘要：基于卤素钙钛矿‑硼掺杂硅的异质结材料及光电位敏传感器的制备方法，本发明属于传感器领域，它为了解决现有光电位敏传感器的响应速度较慢，位置灵敏度不高的问题。本发明基于卤素钙钛矿‑硼掺杂硅的异质结材料具有p‑n结结构，在n型硼掺杂硅基片上采用激光脉冲沉积有厚度为150～250nm的p型卤素钙钛矿溴化物层，其中所述的p型卤素钙钛矿溴化物为CsSnBr3或CsPbBr3。将该异质结表面镀有金电极制备传感器。本发明基于卤素钙钛矿‑硼掺杂硅的异质结材料的传感器位置敏感度高，光电响应速度快，其位置灵敏度最大在405nm波长、10mW功率的激光照射下，达到了880mV/mm。

异质结日盲探测器及其制备方法-202211629822.7
发明人：刘桂芝;何云;马丙乾;罗卫国 -专利权人：无锡麟力科技有限公司
申请日： 2022-12-19 - 公布日： 2023-03-17 - 主分类号： H01L31/0336
摘要：本发明提出一种异质结日盲探测器及其制备方法，异质结日盲探测器依次包括：基板、第一金属电极层、氧化镓层、氧化镓纳米片和单层石墨烯纳米片混合层、单层石墨烯层及第二金属电极层；混合层由氧化镓纳米片和填充于相邻氧化镓纳米片间隙中的单层石墨烯纳米片组成，其中单层石墨烯纳米片占混合层体积比的范围为1%~5%，氧化镓纳米片为单晶β‑氧化镓纳米片。本发明的异质结日盲探测器具有高响应度、可自驱动和低背景噪声的优异性能。

一种基于二维过渡金属硫化物/石墨烯异质结与离子介质层的光电突触器件及其制备方法-202211111996.4
发明人：何晓颖;曹博文;饶岚;张琦;忻向军 -专利权人：北京邮电大学
申请日： 2022-09-13 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： H01L31/0336
摘要：本发明公开基于二维过渡金属硫化物/石墨烯异质结与离子介质层结合的光电突触器件及制备方法。该光电类突触器件包括：衬底，源极，漏极，栅极，沟道层，栅介质层。所述源极与所述漏极均设置在所述衬底上；所述沟道层由二维过渡金属硫化物/石墨烯异质结构成，设置在所述源极与所述漏极上；所述栅介质层内存在可移动离子，覆盖在所述沟道层上，确保所述栅极与所述沟道层之间的连接；所述栅极与所述栅介质接触，且远离所述源极、所述漏极和所述沟道层。本发明利用二维过渡金属硫化物/石墨烯异质结对于光的高响应幅度、宽响应带宽以及超快响应速度，结合栅介质层离子迁移产生的双电层效应，实现器件在电信号或光信号的刺激下均可产生突触电流，进一步的，实现光、电协同刺激的多种突触行为。

基于SIC衬底的ReS2-202211544670.0
发明人：李京波;桑宇恒;高伟 -专利权人：浙江芯科半导体有限公司
申请日： 2022-12-02 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： H01L31/0336
摘要：本申请公开了基于SIC衬底的ReS2紫外波段偏振光电探测器以及制备方法，其中，制备方法包括以下步骤：在重掺的SiC基底的正面加工得到轻掺的SiC衬底；对SiC衬底表面选择性刻蚀；利用磁控溅射工艺在SiC衬底表面沉积出SiNx薄膜；在SiC基底的背面蒸镀出漏电极；使用机械剥离法获得ReS2薄膜，并使用聚乙烯醇干法转移法将其转移到SiNx薄膜和SiC衬底表面，使ReS2薄膜同时与SiNx薄膜和SiC衬底形成紧密接触，获得ReS2/SiC垂直异质结构；使用光刻机和电子束在ReS2/SiC垂直异质结构的表面蒸镀出源电极。本申请使用二维材料ReS2使得本发明制备的晶体管能够在紫外波段取得良好的探测效果，大幅度提升了此类光电探测器的性能和应用前景。

专利分类

H 电学

H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的

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[发明专利]Sb2在审

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