[发明专利]电子级多晶硅棒热破碎方法在审

专利信息
申请号: 202210135541.X 申请日: 2022-02-14
公开(公告)号: CN114345511A 公开(公告)日: 2022-04-15
发明(设计)人: 闫家强;张天雨;田新;吴鹏;韩秀娟 申请(专利权)人: 江苏鑫华半导体材料科技有限公司
主分类号: B02C19/18 分类号: B02C19/18;B02C1/14;B02C21/00;B02C25/00
代理公司: 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 代理人: 吴婷
地址: 221004 江苏省*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明提出了一种电子级多晶硅棒热破碎方法,包括(1)采用第一传送单元将待加热的多晶硅棒传送至加热仓内,通过所述加热仓内的加热元件对所述多晶硅棒进行加热,加热过程中所述加热仓内充满保护气体;(2)采用所述第一传送单元将加热完成的所述多晶硅棒运出所述加热仓,并将所述多晶硅棒传送至冷却槽中进行快速冷却;(3)将冷却完成的所述多晶硅棒转移至第二传送单元上进行干燥;(4)采用所述第二传送单元将干燥完成的所述多晶硅棒传送至接料槽内,进行破碎,以获得破碎的多晶硅棒。由此,能避免多晶硅棒在破碎过程中被污染,同时,多晶硅棒通过晶间应力破碎,可避免大量碎屑和微粉的产生。
搜索关键词: 电子 多晶 硅棒热 破碎 方法
【主权项】:
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  • 本发明公开了一种多晶硅破碎方法,该方法包括:(1)将多晶硅进行预降温,以便得到预降温后的多晶硅;(2)将所述预降温后的多晶硅进行冷冻,以便得到冷冻后的多晶硅;(3)将所述冷冻后的多晶硅进行加热,以便得到加热后的多晶硅;(4)将所述加热后的多晶硅进行破碎,以便得到破碎后的多晶硅。本发明的多晶硅破碎方法可以使多晶硅获得极大的晶间应力,从而使多晶硅容易破碎,提高多晶硅破碎的产品收率,延长设备破碎机构的使用寿命,并降低维护成本。
  • 一种不规则半导体材料破碎装置-201710373720.6
  • 魏丹 - 无锡市华庄电光源机械设备厂
  • 2017-05-24 - 2023-08-15 - B02C19/18
  • 本发明公开了一种不规则半导体材料破碎装置,涉及材料破碎领域,该装置包括:处理室、高压脉冲发生器和电极组件,处理室中放置有向上开口的破碎容器,破碎容器用于盛放待破碎的不规则半导体材料,高压脉冲发生器电性连接电极组件,电极组件设置于破碎容器上方,高压脉冲发生器用于通过电极组件向待破碎的不规则半导体材料发送高压脉冲信号,该装置可以实现通过高压脉冲信号破碎半导体材料且本发明中的电极组件的分布电感较低,可以有效提高放电效率,因此破碎效率较高,同时破碎操作在工艺流体中进行,有效避免半导体材料被污染。
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