[发明专利]光侦测器、影像感测器及制造光侦测器的方法在审

申请号：	202210100729.0	申请日：	2022-01-27
公开（公告）号：	CN115528127A	公开（公告）日：	2022-12-27
发明（设计）人：	房业勳;庄志伟;褚立新	申请（专利权）人：	台湾积体电路制造股份有限公司
主分类号：	H01L31/102	分类号：	H01L31/102;H01L31/18;H01L27/146
代理公司：	北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006	代理人：	徐金国
地址：	中国台湾新竹市***	国省代码：	台湾;71
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摘要：	一种光侦测器、影像感测器及制造光侦测器的方法，光侦测器包含具有半导体材料层的基板(诸如含硅层)，以及嵌入于半导体材料层中的锗基井，其中间隙位于锗基井的横向侧面以及周围的半导体材料层之间。锗基井的横向侧面以及周围的半导体材料层之间的间隙可以减少井的含锗材料以及周围的半导体材料(其可为硅基材料)之间的表面接触面积。位于锗基井的横向侧面以及周围的半导体材料层之间的间隙的形成可以帮助最小化锗基井中的晶体缺陷(诸如滑移)的形成，从而降低暗电流并改善光侦测器的性能。
搜索关键词：	侦测影像感测器制造方法
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摘要：本发明提供了一种制造具有偏置驱动PPC行为的新的自供电光电化学光电探测器的方法，该方法利用了光电流极性转换(PPC)现象，根据s型异质结构的特点，将Bi2O2S纳米片与导电聚合物聚苯胺(PANI)有机‑无机杂化结构相结合，成功构建了具有偏置驱动PPC行为的性能优秀的自供电光电化学(PEC)光电探测器。由密度泛函理论(DFT)预测了电子传递机制表明，本发明符合s型异质结构，得益于这种结构，该器件的暗电流密度降低了20倍以上。此外，自供电器件在0 V偏压下测试表现出PPC，且在350 nm处的负光响应度可达‑30 mA/W。这已经可以与商业领先的自供电电子产品相媲美（其365nm处的负光响应度为‑31mA/W）。总体而言，本研究显著比传统探测器性能更多样，应用范围更广泛，且制造工艺简单，成本较低，可用于大规模制备，为未来光电子领域的研究开辟了一条可观的道路。

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摘要：本发明公开了一种太赫兹探测器及太赫兹探测器的制备方法，太赫兹探测器包括：衬底，沟道材料层以及电极。所述沟道材料层设置在所述衬底上，所述沟道材料层中的沟道材料包括进行元素插层的过渡金属硫族化合物；所述电极与所述沟道材料层相接触。本发明的太赫兹探测器及太赫兹探测器的制备方法，通过对过渡金属硫族化合物进行元素插层，以对过渡金属硫族化合物的能带结构，物理性质和载流子输运特性进行改性，将其应用于太赫兹探测器，可以实现高性能的太赫兹探测，是一种简单易行的方式。

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摘要：本申请提供一种日盲紫外探测器及其制备方法、以及日盲紫外探测方法，属于日盲紫外探测技术领域。探测器包括：高阻非晶氧化镓层，其氧空位浓度和致密度可在1～2sccm的氧流量条件下磁控溅射沉积得到，厚度为15～30nm，具有相对的第一表面和第二表面；低阻非晶氧化镓层，其氧空位浓度和致密度可在不高于0.2sccm的氧流量条件下磁控溅射沉积得到，连接于第一表面；收集电极，具有分别与第二表面连接的第一电极和第二电极。探测方法包括：在20～100V的工作电压下，采用探测器对日盲紫外光进行探测。探测器作为两端结构可兼具高的响应度和低的暗电流，探测方法能够获得较大的光电流增益，实现高的比探测率。

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摘要：本发明为一种具有金属栅结构的Ga2O3/AlGaN/GaN日盲紫外探测器及其制备方法。所述的探测器结构为以下两种：第一种，由下至上依次包括衬底、缓冲层、沟道层、势垒层；势垒层中部上覆盖有吸收层；吸收层上为金属层；或者，第二种，由下至上依次包括衬底、缓冲层、沟道层、势垒层；势垒层中部上覆盖有吸收层；吸收层上表面和侧面均覆盖有第二绝缘层，第二绝缘层的上表面为金属层。本发明的暗电流量级为10‑15，低暗电流可以降低探测器的功耗，提高灵敏度，从而大大增强对信号的识别能力，并且工艺简单可靠，可重复性强，生产成本低，适于产业推广，可应用于紫外探测领域。

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摘要：本实用新型公开了一种InGaN基探测器，通过在衬底和InGaN纳米柱之间设置III‑VI族化合物薄膜的功能层，其中，III‑VI族化合物薄膜具有高载流子迁移率的优点，提升了InGaN基探测器在紫外波段的光吸收能力，从而提升了InGaN基探测器的性能；同时，III‑VI族化合物薄膜调控了衬底和InGaN纳米柱的异质结界面势垒，优化了InGaN异质结的界面接触以及能带结构，促进了InGaN基探测器中光生载流子的快速分离，从而进一步提升了InGaN基探测器的性能。本实用新型可广泛应用于半导体技术领域。

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发明人：李国华;黄辉;侯蕊;夏超;李晨曦;周祥;陶金龙;黄志祥 -专利权人：安徽大学
申请日： 2022-10-28 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： H01L31/102
摘要：本发明公开了一种基于氢氩混合等离子体温和处理的多层WSe2薄膜光电探测器及其制备方法，该探测器是利用多层WSe2薄膜实现光探测的双端器件，且多层WSe2薄膜通过氢氩混合等离子体进行处理，以减薄WSe2薄膜的层数、并修复多层WSe2晶体的本征缺陷。本发明的光电探测器兼顾高探测率、快响应速度以及低暗电流等优势，具有超高的探测灵敏度，且可用于探测微弱的光信号。

一种半金属纳米颗粒修饰的二维材料光电探测器-202211350749.X
发明人：肖少庆;吴倩倩;王成林;付泉桂;南海燕;蔡正阳;顾晓峰 -专利权人：江南大学
申请日： 2022-10-31 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： H01L31/102
摘要：本发明公开了一种基于半金属纳米颗粒修饰的二维材料光电探测器，属于二维半导体材料技术领域。所述制备方法包括以下步骤：利用多孔阳级氧化铝(AAO)构筑MO3(M代表Mo、W)纳米颗粒结构阵列，再用氢气等离子体将MO3纳米颗粒转变成MOx(x3)半金属纳米颗粒，将半金属颗粒与二维材料结合制备光电探测器。与金属纳米颗粒相比，半金属纳米颗粒的等离激元效应可随掺杂在浓度达到中红外波段，而金属纳米颗粒的等离激元效应主要几种在可见光波段，所以半金属等离激元材料在开发高性能红外探测方面具有很大潜力。且该方法在常温实现，颗粒掺杂浓度可控，形状规则且均匀分布，操作简单，可控性强，实用性较强。

一种柔性自供电的氧化镓光电探测器及其制备方法-202211256228.8
发明人：王霞;秦冬冬;王豆;刘增;唐为华 -专利权人：山西工程技术学院
申请日： 2022-10-14 - 公布日： 2023-01-20 - 主分类号： H01L31/102
摘要：本发明公开了一种柔性自供电的氧化镓光电探测器及其制备方法，光电探测器包括：柔性氟晶云母衬底(110)；氧化镓薄膜层(120)，设于所述柔性氟晶云母衬底(110)的表面；欧姆电极(130)和肖特基电极(140)，设置在所述氧化镓薄膜层(120)表面且相互之间不接触。该光电探测器100具有自供电特性，可以实现无线独立式应用，具有节能环保的特点；而且具有很好的柔韧性，可以实现便捷式携带使用；再者，由于氧化镓是高温直接沉积制备，结晶性较好、厚度和面积可控、且具有较好的热稳定性和可重复性。

光侦测器、影像感测器及制造光侦测器的方法-202210100729.0
发明人：房业勳;庄志伟;褚立新 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-01-27 - 公布日： 2022-12-27 - 主分类号： H01L31/102
摘要：一种光侦测器、影像感测器及制造光侦测器的方法，光侦测器包含具有半导体材料层的基板(诸如含硅层)，以及嵌入于半导体材料层中的锗基井，其中间隙位于锗基井的横向侧面以及周围的半导体材料层之间。锗基井的横向侧面以及周围的半导体材料层之间的间隙可以减少井的含锗材料以及周围的半导体材料(其可为硅基材料)之间的表面接触面积。位于锗基井的横向侧面以及周围的半导体材料层之间的间隙的形成可以帮助最小化锗基井中的晶体缺陷(诸如滑移)的形成，从而降低暗电流并改善光侦测器的性能。

一种InGaN基探测器及其制备方法-202211149352.4
发明人：李国强 -专利权人：河源市众拓光电科技有限公司
申请日： 2022-09-21 - 公布日： 2022-12-09 - 主分类号： H01L31/102
摘要：本发明申请公开了一种InGaN基探测器及其制备方法，通过在衬底和InGaN纳米柱之间设置III‑VI族化合物薄膜的功能层，其中，III‑VI族化合物薄膜具有高载流子迁移率的优点，提升了InGaN基探测器在紫外波段的光吸收能力，从而提升了InGaN基探测器的性能；同时，III‑VI族化合物薄膜调控了衬底和InGaN纳米柱的异质结界面势垒，优化了InGaN异质结的界面接触以及能带结构，促进了InGaN基探测器中光生载流子的快速分离，从而进一步提升了InGaN基探测器的性能。本发明可广泛应用于半导体技术领域。

PtTe2-202211044120.2
发明人：陈晟迪;高伟;黄颖;李京波 -专利权人：华南师范大学
申请日： 2022-08-30 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： H01L31/102
摘要：本发明涉及一种PtTe2/MoTe2光电晶体管、制备方法和应用。其制备方法包括：获取半导体相MoTe2纳米片；获取拓扑半金属PtTe2纳米片；利用干法转移工艺将所述半导体相MoTe2纳米片转移到所述拓扑半金属PtTe2纳米片上，在所述半导体相MoTe2纳米片与所述拓扑半金属PtTe2纳米片的重叠位置形成垂直范德华异质结；在所述垂直范德华异质结的MoTe2纳米片侧以及PtTe2纳米片侧分别蒸镀所述金属电极；对带有所述金属电极的垂直范德华异质结在保护气体中进行退火处理，生成拓扑半金属PtTe2/半导体相MoTe2范德华异质结的光电晶体管。本发明的异质结属于外尔半金属/半导体肖特基结，器件能够实现工作模式随偏压变化而进行相应切换，实现了微秒级别(16.5μs)的响应速度和400‑1550nm的宽谱探测。

CIS光电二极管及其制备方法-202210901214.0
发明人：赵德鹏;范晓 -专利权人：华虹半导体（无锡）有限公司
申请日： 2022-07-28 - 公布日： 2022-10-25 - 主分类号： H01L31/102
摘要：本发明提供一种CIS光电二极管及其制备方法，其中方法包括：提供一其上形成有第一外延层、阻挡层的衬底；刻蚀第一深度的第一外延层；形成保护层；刻蚀第二深度的第一外延层；形成第一厚度的第二外延层；去除所述保护层；形成第二厚度的第二外延层，其中，所述第二厚度的第二外延层在宽度上的尺寸大于所述第一厚度的第二外延层在宽度上的尺寸；对高出阻挡层表面的第二外延层执行CMP工艺；去除阻挡层；对高出所述第一外延层表面的所述第二外延层执行CMP工艺，本申请在解决制备超深光电二极管结构受到深沟槽的深宽比、IMP注入深度和浓度的限制的问题的同时提高了所述第二外延层的晶体质量和厚度均匀性，避免了第二外延层中出现空洞缺陷。

专利分类

H 电学

H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的

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[发明专利]光侦测器、影像感测器及制造光侦测器的方法在审

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