[发明专利]金属层间通孔形成方法在审
| 申请号： | 202210057474.4 | 申请日： | 2022-01-19 |
| 公开（公告）号： | CN114496911A | 公开（公告）日： | 2022-05-13 |
| 发明（设计）人： | 叶晓 | 申请（专利权）人： | 普冉半导体（上海）股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 王江富 |
| 地址： | 201210 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种金属层间通孔形成方法，在介质凹槽侧壁上保留一定厚度的绝缘层材料，在后续对介质凹槽及对应通孔实施金属层间介质一体化刻蚀时，由于介质凹槽侧壁有绝缘层材料残余的保护，介质凹槽的开口尺寸保持不变不会变大，同时也是介质凹槽侧壁的残余绝缘层材料的作用，通孔相对底层金属即使有移位也不会偏移出相应的位线的底层金属外面，不会因通孔移位造成的某一边的金属间距更小，避免相邻通孔之间出现金属短接风险，增加了底层金属的通孔区域的工艺窗口，增加了次工艺的窗口边距，从而提升了金属层间通孔形成工艺的健康度。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 层间通孔 形成 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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