[发明专利]一种铪基铁电场效应晶体管及其制备方法在审
| 申请号： | 202210013629.4 | 申请日： | 2022-01-06 |
| 公开（公告）号： | CN114520265A | 公开（公告）日： | 2022-05-20 |
| 发明（设计）人： | 罗庆;彭学阳 | 申请（专利权）人： | 北京超弦存储器研究院;中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L29/423 |
| 代理公司： | 北京辰权知识产权代理有限公司 11619 | 代理人： | 史晶晶 |
| 地址： | 100176 北京市大兴区经济技*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种铪基铁电场效应晶体管及其制备方法。一种铪基铁电场效应晶体管，包括硅衬底；以及设置在所述硅衬底上的栅极，所述栅极与硅衬底之间由界面层隔开，所述栅极的两侧分别设有源极、漏极；其中，所述界面层采用氮氧化铝，所述栅极包括由下至上堆叠的HZO层和氮化钛层。本发明解决了现有铁电晶体管耐久性差的问题，还增加HPA工艺降低陷阱密度和增强Pr。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 铪基铁 电场 效应 晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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